igbt-transistormodule
De IGBT-transistormodule is een hoogwaardig halfgeleiderapparaat dat de eenvoudige gate drive-kenmerken van een MOSFET effectief combineert met de hoge stroom- en spanningsmogelijkheden van een bipolaire transistor. De belangrijkste functies zijn onder meer het schakelen en regelen van de stroom van elektrische energie in verschillende krachtelektronica. Technologische kenmerken van de IGBT-module zijn onder meer hoge spanning en stroom, lage verzadigingsspanning en snelle schakeltijden, waardoor deze zeer efficiënt en betrouwbaar is. Deze eigenschappen maken de IGBT-module ideaal voor een breed scala aan toepassingen, van elektrische voertuigen en hernieuwbare energiesystemen tot industriële motorbesturing en spoorwegtractie.
EN
