dubbele igbt-module
De dubbele IGBT-module (Insulated Gate Bipolar Transistor) vormt een belangrijke vooruitgang in vermogenselektronica, waarbij twee IGBT-apparaten gecombineerd worden in één behuizing voor verbeterde prestaties en efficiëntie. Deze geavanceerde component fungeert als een hoeksteen in moderne vermogensconversie- en besturingssystemen. De module integreert twee IGBT's met antiparallelle vrije lusdioden, waardoor efficiënt schakelen en stroomregeling in beide richtingen mogelijk is. Deze modules werken op hoge frequenties terwijl ze lage schakelverliezen behouden, en hebben typisch spanningswaarden van 600V tot 6500V en stroomwaarden van 50A tot 3600A. De dubbele configuratie maakt diverse schakelingstopologieën mogelijk, waaronder halfbruggenschakelingen, die essentieel zijn voor omvormertoepassingen. Geavanceerde thermische beheerfuncties, zoals direct koperbonden en geavanceerde verpakkingsmethoden, zorgen voor optimale warmteafvoer en betrouwbaarheid. Het modulontwerp omvat verbeterde gatebesturingscircuitry, die nauwkeurige schakelcontrole biedt en bescherming tegen overstromen en kortsluiting. Deze technologie wordt uitgebreid toegepast in industriële motoraandrijvingen, systemen voor hernieuwbare energie, onderbrekingsvrije stroomvoorzieningen en aandrijflijnen van elektrische voertuigen, waarbij hoge efficiëntie en betrouwbaarheid van groot belang zijn.
EN
