Modul IGCT Halangan Songsang
Modul Thyristor Bersepadu Gerbang-Komutasi (RB-IGCT) Halangan Songsang ialah peranti semikonduktor berkuasa tinggi yang canggih, direka untuk sistem penukaran kuasa voltan tinggi generasi seterusnya. Dengan keupayaan halangan voltan songsang terbina dalam, modul RB-IGCT memberikan prestasi elektrik yang sangat baik, kebolehpercayaan tinggi, dan kecekapan unggul untuk aplikasi penukaran tenaga yang mencabar.
Berdasarkan teknologi IGCT yang telah terbukti dan pembungkusan jenis tekan-pak , modul RB-IGCT menggabungkan kelebihan peranti thyristor, termasuk kehilangan konduksi yang sangat rendah dan keupayaan arus tinggi, bersama prestasi pemutusan kawalan gerbang yang pantas dan cekap. Struktur tekan-pak yang kukuh membolehkan prestasi haba yang sangat baik, kekuatan mekanikal yang tinggi, serta operasi yang boleh dipercayai di bawah tekanan elektrik dan haba yang ketat.
Kemampuan halangan songsang terkamir membolehkan modul RB-IGCT mempermudah rekabentuk sistem dengan mengurangkan keperluan komponen perlindungan voltan songsang tambahan, meningkatkan ketumpatan kuasa dan kebolehpercayaan keseluruhan sistem.
Kelebihan utama
Kemampuan halangan voltan songsang terkamir untuk rekabentuk sistem yang lebih mudah;
Kemampuan voltan tinggi dan arus tinggi untuk aplikasi penukaran kuasa berskala besar;
Kehilangan konduksi ultra-rendah untuk peningkatan kecekapan tenaga;
Kemampuan pemadaman pantas dengan prestasi pensuisan yang sangat baik;
Rekabentuk bungkusan tekanan maju dengan keupayaan penyejukan dua sisi;
Kebolehpercayaan tinggi di bawah keadaan tekanan elektrik, haba dan mekanikal .
Aplikasi
Penghantaran arus terus voltan tinggi (HVDC);
Sistem Penghantaran AC Fleksibel (FACTS);
Penukar voltan sederhana dan voltan tinggi;
Sistem kuasa tarikan kereta api;
Bekalan kuasa industri berskala besar;
Tenaga boleh baharu dan sistem penukaran kuasa bersambung grid;
Aplikasi storan tenaga dan penukaran kuasa tinggi.
YT-RBC5580Y11
Parameter Utama
V DRM |
8000 |
V |
V RRM |
8000 |
V |
Saya TGQM |
6600 |
A |
Saya T(AV) |
3290 |
A |
Saya TSM |
40 |
kA |
V Kepada |
1.25 |
V |
r T |
0.26 |
mΩ |
R thJC |
3.6 |
K/ kw |
Aplikasi
● Litar DC |
● Penukar berkominasi hibrid pemutus litar |
Ciri-ciri
● Arus tahanan tinggi |
● Kehilangan konduksi rendah |
● Halangan ke hadapan/songsang |
● Perolehan tenaga sendiri |
Penyekat Data
Simbo l |
Parameter |
Syarat |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
V DRM |
Voltan puncak berulang dalam keadaan mati |
Unit get dihidupkan ,T Vj =90℃,Saya D ≤Saya DRM ,t p = 10ms |
- |
- |
8000 |
V |
Saya DRM |
Arus puncak berulang dalam keadaan mati |
Unit get dihidupkan ,T Vj =90℃,V D ≤V DRM ,t p = 10ms |
- |
- |
300 |
mA |
V RRM |
Voltan puncak berulang songsang keadaan tidak aktif |
Unit get dihidupkan ,T Vj =90℃,Saya R ≤Saya RRM ,t p = 10ms |
- |
- |
8000 |
V |
Saya RRM |
Arus puncak berulang songsang keadaan tidak aktif |
Unit get dihidupkan ,T Vj =90℃,V R ≤V RRM ,t p = 10ms |
- |
- |
300 |
mA |
V GRM |
Voltan puncak berulang songsang get |
/ |
- |
- |
24 |
V |
Saya D(DC) |
Arus keadaan tidak aktif DC |
Unit get dihidupkan ,T Vj =90℃,V D (DC )=6450V |
- |
- |
40 |
mA |
Saya R(DC) |
Arus songsang DC |
Unit get dihidupkan ,T Vj =90℃,V R (DC )=6450V |
- |
- |
40 |
mA |
V RAL |
Voltan longgokan songsang panjang |
Unit get dihidupkan , T Vj =90℃ ,t p =250μs/2 500 mikrosekon |
- |
- |
8500 |
V |
Saya RAL |
Arus longgokan balik panjang |
Unit get dihidupkan , T Vj =90℃ ,t p =250μs/2 500 mikrosekon |
- |
- |
30 |
A |
V Ras |
Voltan longgokan balik pendek |
Unit get dihidupkan , T Vj =90℃ ,t p= 1.5 mikrosekon/50 mikrosekon |
- |
- |
8900 |
V |
Saya Ras |
Arus longgokan balik pendek |
Pintu unit dihidupkan, T Vj =90℃ ,t p= 1.5 mikrosekon/50 mikrosekon |
- |
- |
50 |
A |
d v /dt |
Kadar kritikal peningkatan voltan dalam keadaan mati |
Unit get dihidupkan ,T Vj =90℃,V Dm =6400 V |
- |
- |
4000 |
V/ μs |
EN
