TG1800HF17H1-S500,Modul IGBT,Jambatan Separuh IGBT,CRRC

符号 Simbol

参数名称 Parameter

条件

Keadaan Ujian

nilai bilangan Nilai

unit Unit

V CES

集电极 -voltan pemancar

Voltan kolektor-emiter

V GE = 0V, T C = 25 °C

1700

V

V GES

grid -voltan pemancar

Voltan penyiaran pintu

T C = 25 °C

± 20

V

Saya C

集电极电流

Arus kolektor-penerbit

T C = 85 °C, T vj max = 175°C

1800

A

Saya C (((PK)

集电极峰值电流

Arus puncak kolektor

t P =1ms

3600

A

P max

kehilangan maksimum bahagian transistor

Maks. pengaliran kuasa transistor

T vj = 175°C, T C = 25 °C

9.38

kw

Saya 2t

diod Saya 2t 值 Dioda Saya 2t

V R =0V, t P = 10ms, T vj = 175 °C

551

kA 2s

V isolasi

绝缘 elektrik tekanan (模块 )

Pengasingan voltan - per modul

短接 semua hujung, hujung dan pangkalan antara tekanan elektrik ( Pengepalaan terminal s kepada plat asas ) AC RMS,1 min, 50Hz, T C = 25 °C

4000

V

参数 Simbol

penjelasan

Penjelasan

值 Nilai

unit Unit

jarak merayap

Jarak merangkak

penyambung -penyejuk

Penyambung ke pencuci haba

36.0

mm

penyambung -penyambung

Terminal ke Terminal

28.0

mm

jarak pengasingan Pembersihan

penyambung -penyejuk

Penyambung ke pencuci haba

21.0

mm

penyambung -penyambung

Terminal ke Terminal

19.0

mm

indeks jejak kebocoran relatif

CTI (Comparative Tracking Index)

400

符号 Simbol

参数名称 Parameter

条件

Keadaan Ujian

最小值 Min.

典型值 - TIP.

maksimal nilai Max.

unit Unit

R th(j-c) IGBT

IGBT rintangan haba sambungan

Termal tahanan - IGBT

16

K \/ kw

R th(j-c) Dioda

ketahanan terma sambungan dioda

Termal tahanan - Dioda

33

K \/ kw

R th ((c-h) IGBT

rintangan haba sentuhan (IGBT)

Termal tahanan -

kotak ke penyerap haba (IGBT)

penghantaran 5Nm, lem haba 1W/m·K Tork pemasangan 5Nm,

dengan pemasangan minyak pelincir 1W/m·K

14

K \/ kw

R th ((c-h) Dioda

rintangan haba sentuhan (Diod)

Termal tahanan -

kotak ke penyerap haba (Diod)

penghantaran 5Nm, lem haba 1W/m·K Tork pemasangan 5Nm,

dengan pemasangan minyak pelincir 1W/m·K

17

K \/ kw

T vjop

kerja sejuk

Sambungan operasi suhu

IGBT cip ( IGBT )

-40

150

°C

cip diod ( Diod )

-40

150

°C

T sTG

suhu penyimpanan

Julat Suhu Penyimpanan

-40

150

°C

M

penghantaran

Tork skru

untuk pengikat pemasangan – M5 Pemasangan – M5

3

6

Nm

untuk sambungan litar – M4

Sambungan elektrik – M4

1.8

2.1

Nm

untuk sambungan litar – M8

Sambungan elektrik – M8

8

10

Nm

符号 Simbol

参数名称 Parameter

条件

Keadaan Ujian

最小值 Min.

典型值 - TIP.

maksimal nilai Max.

unit Unit

R th(j-c) IGBT

IGBT rintangan haba sambungan

Termal tahanan - IGBT

16

K \/ kw

R th(j-c) Dioda

ketahanan terma sambungan dioda

Termal tahanan - Dioda

33

K \/ kw

R th ((c-h) IGBT

rintangan haba sentuhan (IGBT)

Termal tahanan -

kotak ke penyerap haba (IGBT)

penghantaran 5Nm, lem haba 1W/m·K Tork pemasangan 5Nm,

dengan pemasangan minyak pelincir 1W/m·K

14

K \/ kw

R th ((c-h) Dioda

rintangan haba sentuhan (Diod)

Termal tahanan -

kotak ke penyerap haba (Diod)

penghantaran 5Nm, lem haba 1W/m·K Tork pemasangan 5Nm,

dengan pemasangan minyak pelincir 1W/m·K

17

K \/ kw

T vjop

kerja sejuk

Sambungan operasi suhu

IGBT cip ( IGBT )

-40

150

°C

cip diod ( Diod )

-40

150

°C

T sTG

suhu penyimpanan

Julat Suhu Penyimpanan

-40

150

°C

M

penghantaran

Tork skru

untuk pengikat pemasangan – M5 Pemasangan – M5

3

6

Nm

untuk sambungan litar – M4

Sambungan elektrik – M4

1.8

2.1

Nm

untuk sambungan litar – M8

Sambungan elektrik – M8

8

10

Nm

符号 Simbol

参数名称 Parameter

条件

Keadaan Ujian

最小值 Min.

典型值 - TIP.

maksimal nilai Max.

unit Unit

R 25

nilai rintangan dirujuk

Berperingkat rintangan

T C = 25 °C

5

kΩ

△R /R

R100 sisihan

Sisihan daripada R100

T C = 100 °C, R 100=493Ω

-5

5

%

P 25

kuasa pereputan

Disipasi kuasa

T C = 25 °C

20

mW

B 25/50

B- 值

Nilai B

R 2 = R 25exp [B 25/501/T 2 - 1/(298.15 K))]

3375

K

B 25/80

B- 值

Nilai B

R 2 = R 25exp [B 25/801/T 2 - 1/(298.15 K))]

3411

K

B 25/100

B- 值

Nilai B

R 2 = R 25exp [B 25/1001/T 2 - 1/(298.15 K))]

3433

K

符号 Simbol

参数名称 Parameter

条件

Keadaan Ujian

最小值 Min.

典型值 - TIP.

maksimal nilai Max.

unit Unit

Saya CES

集电极截止电流

Arus pemotongan kolektor

V GE = 0V, V CE = V CES

1

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , T vj =150 °C

40

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , T vj =175 °C

60

mA

Saya GES

极漏电流

Pintu arus kebocoran

V GE = ±20V, V CE = 0V

0.5

μA

V GE (TH)

grid -voltan ambang emisor Voltan ambang pintu

Saya C = 60mA, V GE = V CE

5.1

5.7

6.3

V

V CE (sat) (*1)

集电极 -voltan tepu emisor

Penuh kolektor-emiter

voltan

V GE =15V, Saya C = 1800A

1.70

V

V GE =15V, Saya C = 1800A, T vj = 150 °C

2.10

V

V GE =15V, Saya C = 1800A, T vj = 175 °C

2.15

V

Saya F

arus DC ke hadapan diod Diod arus ke hadapan

DC

1800

A

Saya Pendapatan

arus puncak berulang ke hadapan diod Dioda kini ke hadapan puncak nt

t P = 1ms

3600

A

V F (*1)

voltan positif diod

Voltan dioda ke hadapan

Saya F = 1800A, V GE = 0

1.60

V

Saya F = 1800A, V GE = 0, T vj = 150 °C

1.75

V

Saya F = 1800A, V GE = 0, T vj = 175 °C

1.75

V

Saya SC

arus pintasan

Litar pendek semasa

T vj = 175°C, V CC = 1000V, V GE ≤15V, t p ≤10μs,

V CE(maks) = V CES – L (*2) ×di/dt, IEC 60747-9

7400

A

C ies

kapasiti input

Kapasiti input

V CE = 25V, V GE = 0V, f = 100kHz

542

nF

Q g

极电荷

Bayaran pintu

±15V

23.6

μC

C res

kapasiti penghantaran bertentangan

Kapasiti pemindahan terbalik

V CE = 25V, V GE = 0V, f = 100kHz

0.28

nF

L sCE

modul strayed induktans

Modul terayau indukta nce

8.4

nH

R CC ’+EE ’

modul rintangan penghubung, terminal -cip M modul penghubung rintangan, terminal-chip

setiap pemula

setiap suis

0.20

mΩ

R Gint

rintangan gerbang dalaman

Gerbang Dalaman perintang

1

ω

符号 Simbol

参数名称 Parameter

条件

Keadaan Ujian

最小值 Min.

典型值 - TIP.

maksimal nilai Max.

unit Unit

t d (((off)

kelewatan pemadaman

Masa kelewatan penutupan

Saya C =1800A,

V CE = 900V,

V GE = ±15V, R G ((OFF) = 0.5Ω, L S = 25nH,

d v ⁄dt =3800V⁄μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

1000

n

T vj = 150 °C

1200

T vj = 175 °C

1250

t f

下降时间 Waktu kejatuhan

T vj = 25 °C

245

n

T vj = 150 °C

420

T vj = 175 °C

485

E Dimatikan

kerugian pemutusan

Kehilangan tenaga penutupan

T vj = 25 °C

425

mJ

T vj = 150 °C

600

T vj = 175 °C

615

t d (dalam)

开通延迟时间

Masa kelewatan penyambutan

Saya C =1800A,

V CE = 900V,

V GE = ±15V, R G ((ON) = 0.5Ω, L S = 25nH,

d saya ⁄dt = 8500A⁄μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

985

n

T vj = 150 °C

1065

T vj = 175 °C

1070

t r

上升时间 Masa naik

T vj = 25 °C

135

n

T vj = 150 °C

205

T vj = 175 °C

210

E Pada

kerugian pembukaan

Tenaga penyambungan kerugian

T vj = 25 °C

405

mJ

T vj = 150 °C

790

T vj = 175 °C

800

Q rr

cas pemulihan terbalik diod Dioda songsang

bayaran pemulihan

Saya F =1800A, V CE = 900V,

- D saya F /dt = 8500A⁄μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

420

μC

T vj = 150 °C

695

T vj = 175 °C

710

Saya rr

arus pemulihan terbalik diod Dioda songsang

arus pemulihan

T vj = 25 °C

1330

A

T vj = 150 °C

1120

T vj = 175 °C

1100

E rEC

kerugian pemulihan terbalik diod Dioda songsang

tenaga pemulihan

T vj = 25 °C

265

mJ

T vj = 150 °C

400

T vj = 175 °C

420