YMIF1500-33-I1-01 3300V 1500A Modul IGBT Tekanan Tinggi Smart Grid CRRC Choppers Inverter/Konverter Drives

Profil Syarikat

Beijing World E To Technology Co., Ltd. adalah sebuah syarikat berbasis teknologi dengan kelayakan import dan eksport, ditubuhkan atas prinsip kecemerlangan dan inovasi, berdiri di garis had penyelesaian alternatif semikonduktor dan teknologi. berspecial dalam reka bentuk produk semikonduktor, penyesuaian kontrak, dan taburan. Kami mempunyai permintaan ketat terhadap pilihan rakan kerjasama, kami hanya bekerjasama dengan syarikat teknologi dan pengeluar yang mempunyai teknologi rekabentuk dan pembuatan kelas pertama. Penyesuaian pembaikan garis transmisi automatik kilang adalah sebahagian penting lain daripada pembuatan kontrak kami.

Kami produk

1	Modul IGBT dan Pemandu
2	Modul IGCT dan Pemandu
3	Papan teras inverter
4	Modul diod
5	Modul Tirus
6	Sensor arus
7	Kondensator
8	Perintang
9	Relay keadaan pepejal
10	Robot industri dan Bahagian Utama
11	Kraftangan Tanpa Awak Awam dan Bahagian Utama

Keterangan Produk

Ciri-ciri

(1) Papan asas AISiC
(2) Substrat AIN
(3) Keupayaan Siklus Haba Tinggi
(4) 10μs Daya Tahan Litar Pendek

(5) Peranti Vce(sat) Rendah

(6) Ketumpatan arus tinggi

Pembolehubah Tipikal

(1) Penggerak tarikan
(2) Pengawal Motor
(3) Grid Pintar
(4) Inverter Kebolehpercayaan Tinggi

YMIF1500-33-I1-01

3300V/1500A Tunggal Switch IGBT

Parameter Utama

Simbol	Penerangan	Nilai	Unit
V _CES		3300	V
V _CE(sat)	- TIP.	2.40	V
Saya _C	Max.	1500	A
Saya _{C ((RM)}	IC ((RM)	3000	A

Penarafan Maksimum mutlak

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Nilai	Unit
V _CES	Voltan kolektor-emiter	V _GE= 0V, T _C= 25 °C	3300	V
V _GES	Voltan penyiaran pintu	T _C= 25 °C	±20	V
Saya _C	Arus kolektor-penerbit	T _C= 75°C	1500	A
Saya _{C (((PK)}	Arus puncak kolektor	t _P=1ms	3000	A
P _max	Maks. pengaliran kuasa transistor	Tvj= 150°C, TC= 25 °C	15600	W
Saya ²t	Diod I ²t	V _R=0V, T _P= 10ms, Tvj= 150 °C	720	kA ²s
Visol	Voltan isolasi –per modul	(Terminal biasa ke plat asas), AC RMS,1 minit, 50Hz,T _C= 25 °C	6000	V
Q _PD	Pengisan sebahagian–per modul	IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V，50HzRMS	10	pC

Data Terma & Mekanikal

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	Max.	Nilai		Unit
R _{th(J-C) IGBT}	Tahanan terma – IGBT			8	K / kW		℃
R _{th(J-C) Diod}	Tahanan terma – Diod			16	K / kW		℃
R _{th(C-H) IGBT}	Tahanan terma – kes ke heatsink (IGBT)	Tork pemasangan 5Nm, dengan gris pemasangan 1W/m·°C		6	K / kW		℃
T _vj	Suhu Sambungan Operasi	IGBT	-40	150	°C
T _vj	Suhu Sambungan Operasi			Dioda	-40	150	°C
M	Tork skru	Pemasangan –M6		5	nm
				Kesambungan elektrik – M4		2	nm
				Kesambungan elektrik – M8		10	nm

Ciri-ciri Elektrik

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
Saya _CES	Arus pemotongan kolektor	V _GE= 0V,V _CE= V _CES			1	mA
				V _GE= 0V, V _CE= V _CES, T _C= 125 °C			90	mA
				V _GE= 0V, V _CE= V _CES, T _C=150 °C			150	mA
Saya _GES	Pasaran kebocoran pintu	V _GE= ±20V, V _CE= 0V			1	μA
V _{GE (TH)}	Voltan ambang pintu	Saya _C= 40mA, V _GE= V _CE	5.0	6.1	7.0	V
V _{CE (sat)}	Tegangan Penyerapan Pengumpul-Pemancar	VGE=15V, IC= 1200A,Tvj = 25 °C		2.40	2.90	V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C		2.95	3.40	V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 150 °C		3.10	3.60	V
Saya _F	Diod arus ke hadapan	DC		1500		A
Saya _Pendapatan	Pasaran arus hadapan puncak dioda	t _P= 1ms		3000		A
V _F	Voltan dioda ke hadapan	Saya _F= 250A, V _GE= 0		2.10	2.60	V
				Saya _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 125 °C		2.25	2.70	V
				Saya _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 150 °C		2.25	2.70	V
Saya _SC	Arus pendek😉	Tvj= 150°C, V _CC= 1000V, V _GE≤15V, tp≤10μs, V _CE(maks)= V _CES–L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		5800		A
Ces	Kapasiti input	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		260		nF
Qg	Bayaran pintu	±15		25		μC
Cres	Kapasiti pemindahan terbalik	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		6.0		nF
L _M	Induktansi modul			10		nH
R _INT	Rintangan transistor dalaman			110		mΩ

T kes = 25°C melainkan dinyatakan sebaliknya

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min

Jenis

Max

Unit

t _{d (((off)}

Masa kelewatan penutupan

Saya _C= 2400A
V _CE= 900V
L _S~ 50nH
V _GE= ±15V
R _{G ((ON)}= 0.5Ω
R _{G ((OFF)}= 0.5Ω

2100

n

E _Dimatikan

Kehilangan tenaga penutupan

2400

mJ

t _{d (dalam)}

Masa kelewatan penyambutan

750

n

E _Pada

Kehilangan tenaga semasa menyala

1450

mJ

Q _rr

Muatan pemulihan diod terbalik

Saya _F= 2400A
V _CE= 900V
diF/dt =10000A/us

1150

μC

Saya _rr

Diod arus pemulihan terbalik

1250

A

E _rEC

Diod pemulihan tenaga terbalik

1550

mJ

T kes = 150°C kecuali dinyatakan sebaliknya