TIM500GDM33-PSA011 Baharu Asal Modul Kuasa IGBT CRRC Transistor Semikonduktor Terpisah Kapasitor Inverter/Konverter Kawalan

Profil Syarikat

Beijing World E To Technology Co., Ltd. adalah sebuah syarikat berbasis teknologi dengan kelayakan import dan eksport, Didirikan atas prinsip kecemerlangan dan kebaruan, berdiri di garis had teknologi dan penyelesaian alternatif semikonduktor. Khusus dalam reka bentuk produk semikonduktor, penyesuaian kontrak, dan taburan. Kami mempunyai permintaan ketat terhadap pilihan rakan kerjasama, Kami hanya bekerjasama dengan syarikat teknologi dan pengeluar yang mempunyai teknologi rekabentuk dan pembuatan kelas pertama. Penyesuaian pemboleh ubah garis penjana automatik kilang adalah sebahagian penting lain daripada pembuatan kontrak kami.

Kami produk

1	Modul IGBT dan Pemandu
2	Modul IGCT dan Pemandu
3	Papan teras inverter
4	Modul diod
5	Modul Tirus
6	Sensor arus
7	Kondensator
8	Perintang
9	Relay keadaan pepejal
10	Robot industri dan Bahagian Utama
11	Kraftangan Tanpa Awak Awam dan Bahagian Utama

Keterangan Produk

Ciri-ciri

(1) Papan asas AISiC untuk keupayaan kitaran kuasa tinggi
(2) Substrat AIN untuk rintangan haba rendah
(3) Keupayaan Siklus Haba Tinggi
(4) Ketumpatan arus tinggi

(5) 10μs tahan lalu arus singkat
(6) VCEsat rendah

Pembolehubah Tipikal

(1) Penggerak tarikan
(2) Pengawal Motor
(3) Penjolok
(4) Inverter/converter voltan sederhana

TIM500GDM33 -PSA011

YMIBD500-33

3300V/500A Modul IGBT voltan tinggi

Parameter Utama

Simbol	Penerangan	Nilai	Unit
V _CES		3300	V
V _CE(sat)	- TIP.	2.4	V
Saya _C	Max.	500	A
Saya _CM	ICRM	1000	A

Penarafan Maksimum mutlak

Simbol	Penerangan	Nilai	Unit
V _CES	Voltan kolektor-emiter	3300	V
V _GES	Voltan penyiaran pintu	±20	V
Saya _C	Arus Pengumpul @ T _C=100℃	500	A
Saya _CM	Arus kolektor pulsa ,tp=1ms,Tc=140°C	1000	A
P _tot	Kehilangan kuasa jumlah,TC=25°C,per suis (IGBT)	5200	W
Saya ²t	Diod I ²t ,VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150°C	80	kA ²s
V _isolasi	1min, f=50Hz	6000	V
t _psc	IGBT Pendek Sirkuit SOA VCC=2500V,VCEMCHIP≤3300V VGE≤15V,Tvj≤125°C	10	μs
Saya _F	Arus Maju DC	500	A
Saya _Pendapatan	Arus kehadapan puncak ,tp=1ms	1000	A
Q _PD	Pembisan separa,V1= 3500V ,V2= 2600V, 50Hz RMS,TC=25°C(IEC 61287)	10	pC
Tork pemasangan	M _SPemasangan – M6	5	Nm
		M _T1Sambungan elektrik – M4		2
		M _T2Sambungan elektrik – M8		8

Nilai Ciri Diod

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	jenis	Max.	Nilai		Unit
V _F	Voltan Maju IF =500A	Tvj = 25 °C		2.10	2.60	V		℃
				Tvj = 125 °C		2.25	2.7	V		℃
				Tvj = 15 0°C		2.25	2.7	V		℃
Saya _rr	Arus Pemulihan Balik Saya _F=500A V _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		420		A
				Tvj = 125 °C			460		A		V
				Tvj = 150 °C			490
Q _rr	Caj Dipulihkan Saya _F=500A V _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		390		μC
				Tvj = 125 °C			620
				Tvj = 150 °C			720
E _rEC	Tenaga Pemulihan Balik Saya _F=500A V _CC=1800V, diF/dt=2100A/μs	Tvj = 25 °C		480		mJ
				Tvj = 125 °C			760
				Tvj = 150 °C			900

Nilai ciri IGBT

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
_{V _CEsat}	Tegangan jenuh pengumpul-pengelu. _C=500A,V _GE=15V	Tvj= 25°C		2.40	2.90	V
				Tvj= 125°C		2.95	3.40	V
				Tvj= 150°C		3.10	3.60	V
Saya _GES	Pasaran kebocoran pintu	V _CE=0V, V _GE=±20V, Tvj=25°C	-500		500	nA
V _{GE (TH)}	Tegangan Ambang Gate-Emitter	Saya _C=40mA, V _CE=V _GE, Tvj=25°C	5.5	6.1	7.0	V
Saya _CES	Voltan jenuh pengumpul-pengeluar.V _CE=3300V,V _GE=0V	Tvj= 25°C			1	mA
				Tvj= 125°C			30	mA
				Tvj = 150 °C			50	mA
Saya _SC	Arus pendek😉	tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 150°C,VCC= 2500V		250		A
Saya _Pendapatan	Pasaran arus hadapan puncak dioda	t _P= 1ms		500		A
t _{d (dalam)}	Masa kelewatan penyambutan	Tvj = 25 °C		650		n
				Tvj = 125 °C		630		n
				Tvj = 150 °C		620		n
t _{d (((off)}	Masa kelewatan penutupan	Tvj = 25 °C		1720		n
				Tvj = 125 °C		1860		n
				Tvj = 150 °C		1920		n
Saya _SC	Arus pendek😉	t _psc≤ 10μs, V _GE=15V, T _vj= 150°C,V _CC= 2500V		1800		A
Ces	Kapasiti input	V _CE=25V,V _GE=0V,f=1MHz,Tvj=25°C		90		nF
Qg	Bayaran pintu	C=500A,V _CE=1800V,V _GE=-15V…15V		5.0		μC
Cres	Kapasiti pemindahan terbalik	V _CE=25V,V _GE=0V,f=1MHz,Tvj=25°C		2		nF
E _pada	Tenaga kerugian suis hidup Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C	V _CC=1800V, I _C=500A, RG(ON)=3.0Ω RG(OFF)=4.5Ω,C _GE=100nF,V _GE=±15V L _δ=150nH		730		nH
							880		mJ
							930
E _dimatikan	Tenaga kerugian suis mati Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C				780		mJ
							900
							1020

KENAPA MEMILIH KAMI

1. kami hanya memasarkan produk dari pengeluar China dengan teknologi kelas atas. Ini adalah langkah utama kami.
2. Kami mempunyai keperluan ketat dalam pemilihan pengeluar.
3. Kami mempunyai keupayaan untuk memberikan penyelesaian alternatif kepada pelanggan daripada China.
4. Kami mempunyai pasukan yang bertanggungjawab.

Pembungkusan produk