Modul IGBT CRRC TG1000HF17H1-S300 1700V Inverter Penkonverter Penggerak Asli Baru Turbin Angin Modul Semikonduktor Diskrit

Profil Syarikat

Beijing World E To Technology Co., Ltd. adalah sebuah syarikat berbasis teknologi dengan kelayakan import dan eksport, ditubuhkan atas prinsip kecemerlangan dan inovasi, berdiri di garis had penyelesaian alternatif semikonduktor dan teknologi. berspecial dalam reka bentuk produk semikonduktor, penyesuaian kontrak, dan taburan. Kami mempunyai permintaan ketat terhadap pilihan rakan kerjasama, kami hanya bekerjasama dengan syarikat teknologi dan pengeluar yang mempunyai teknologi rekabentuk dan pembuatan kelas pertama. Penyesuaian pembaikan garis transmisi automatik kilang adalah sebahagian penting lain daripada pembuatan kontrak kami.

Kami produk

1	Modul IGBT dan Pemandu
2	Modul IGCT dan Pemandu
3	Papan teras inverter
4	Modul diod
5	Modul Tirus
6	Sensor arus
7	Kondensator
8	Perintang
9	Sistem Simpanan Tenaga
10	Robot industri dan Bahagian Utama
11	Kraftangan Tanpa Awak Awam dan Bahagian Utama

Keterangan Produk

Ciri-ciri

(1) Papan asas AISiC untuk keupayaan kitaran kuasa tinggi
(2) Cu Baseplate
(3) Keupayaan Siklus Haba Tinggi
(4) Ketumpatan arus tinggi

(5) 10μs tahan lalu arus singkat
(6) VCEsat rendah

Pembolehubah Tipikal

(1) Pemacu Motor
(2) Penukar Kuasa Tinggi
(3) Turbina Angin
(4) Inverter Kebolehpercayaan Tinggi

TG1000HF17H1-S300

1700V/1000A IGBT Setengah Jambatan

Parameter Utama

Simbol	Penerangan	Nilai	Unit
V _CES		1200	V
V _CE(sat)	- TIP.	1.85	V
Saya _C	Max.	1000	A
IC ((RM)	Max.	2000	A

Spesifikasi Maksimum Mutlak( Tcase = 25°C kecuali dinyatakan sebaliknya )

Simbol	Penerangan	Nilai	Unit
V _CES	Voltan kolektor-emiter	1700	V
V _GES	Voltan penyiaran pintu	±20	V
Saya _C	Arus pengumpul @ Tcase = 90 °C	1000	A
Saya _{C (((PK)}	Arus pengumpul puncak, tp=1ms, Tcase = 110 °C	2000	A
P _max	Daya disipasi transistor maks., Tvj = 150°C, Tcase = 25 °C	6250	W
Saya ²t	Diod I ²t ,V _R=0V, T _P= 10ms, T _vj= 150°C	144	kA ²s
V _isolasi	(Terminal sepunya kepada pelat asas), AC RMS, 1 minit, 50Hz	4000	V
Saya _F	Arus hadapan diode, DC	1000	A
Saya _Pendapatan	Arus hadapan maksimum diod ,tp=1ms	2000	A
Tork pemasangan	Pemasangan – M5	6	Nm
	Pemasangan – M5	6
		Sambungan elektrik – M8		10

Ciri-ciri Elektrik

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

jenis

Max.

Nilai

Unit

V _F

Voltan dioda ke hadapan

Saya _F=1000A，V _GE = 0，Tvj = 25 °C

1.80

2.20

V

Saya _F=1000A，V _GE= 0，Tvj = 125 °C

1.90

2.30

Saya _F=1000A，V _GE= 0，Tvj = 125 °C

1.90

2.30

Saya _Pendapatan

Pasaran arus hadapan puncak dioda

t _P= 1ms

2000

A

Saya _F

Arus hadapan diod,

DC

1000

A

Irr

Dioda Balik
arus pemulihan

IF =1000A,
VCE = 900V,
- diF/dt = 7200A/us
(Tvj= 150 °C).

@Tvj= 25 °C

@Tvj= 125 °C

@Tvj= 150 °C

520

A

620

655

Qrr

Dioda Balik
bayaran pemulihan

285

μC

315

340

E _rEC

Diod pemulihan tenaga terbalik

IF =900A,
VCE = 600V,
- diF/dt = 6800A/us
(Tvj= 150 °C).@Tvj= 25 °C
@Tvj= 125 °C
@Tvj= 150 °C

110

mJ

235

240

Ciri-ciri Elektrik

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
V _{CE (sat)}	Tegangan Penyerapan Pengumpul-Pemancar	V _GE=15V, I _C= 900A,T _vj= 25°C		1.75	2.15	V
				V _GE=15V, I _C= 900A,T _vj= 125°C			2.1	2.5
				V _GE=15V, I _C= 900A,T _vj= 150°C			2.2	2.6
Saya _CES	Arus pemotongan kolektor	V _GE=15V, I _C= 900A,Tvj= 25°C			1	mA
				V _GE=15V, I _C= 900A,Tvj= 125°C				10
				V _GE=15V, I _C= 900A,Tvj= 150°C				20
Saya _GES	Pasaran kebocoran pintu	V _CE=0V, V _GE= ±20V,			4	μA
V _{GE (TH)}	Tegangan Ambang Gate-Emitter	Saya _C= 40mA, V _GE= V _CE	5.0	6.0	7.0	V
t _{d (dalam)}	Masa kelewatan penyambutan @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C). @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		1320		n
								1410
								1440
td ((off)	Masa kelewatan penutupan @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IC =1000A, VCE = 900V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω, LS = 20nH, dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C). @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C @Tvj= 25 °C		500		n
								470
								450
Saya _SC	Arus pendek😉	Tvj= 150°C, V _CC= 800V, V _GE≤15V, tp≤10μs, V _CE(maks)= VCES –L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		3800		A
Ces	Kapasiti input	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		147		nF
Cres	Kapasiti pemindahan terbalik	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		1.5		nF
Qg	Bayaran pintu	±15V		11.4		μC
E _pada	Kehilangan tenaga semasa menyala @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IF =1000A, VCE = 900V, - diF/dt = 7200A/us (Tvj= 150 °C).		340		mJ
								370
								385
E _dimatikan	Tenaga kerugian suis mati @Tvj= 25 °C @Tvj= 125 °C @Tvj= 150 °C	IIF =1000A, VCE = 900V, - diF/dt = 7200A/us (Tvj= 150 °C).		350		mJ
								360
								385

KENAPA MEMILIH KAMI

1. kami hanya memasarkan produk dari pengeluar China dengan teknologi kelas atas. Ini adalah langkah utama kami.
2. Kami mempunyai keperluan ketat dalam pemilihan pengeluar.
3. Kami mempunyai keupayaan untuk memberikan penyelesaian alternatif kepada pelanggan daripada China.
4. Kami mempunyai pasukan yang bertanggungjawab.

Pembungkusan produk