CRRC 1700V 2400A Modul IGBT Voltan-Tinggi TIM2400ESM17-TSA000 Baharu/Asal Modul Kuasa Grid Pintar Choppers Inverter Pengubah

Profil Syarikat

Beijing World E To Technology Co., Ltd. adalah sebuah syarikat berbasis teknologi dengan kelayakan import dan export, Didirikan atas prinsip inovasi dan kecemerlangan, berada di garis hadapan penyelesaian alternatif dan teknologi semikonduktor. berspecial dalam reka bentuk produk semikonduktor, penyesuaian kontrak, dan taburan. Kami mempunyai permintaan ketat terhadap pilihan rakan kerjasama, Kami hanya bekerjasama dengan syarikat teknologi dan pengeluar yang mempunyai teknologi reka bentuk dan pembuatan kelas pertama. Penyesuaian pembaikan talian transmisi automatik kilang merupakan sebahagian penting lain daripada pembuatan kontrak kami. .

Kami produk

1	Modul IGBT dan Pemandu
2	Modul IGCT dan Pemandu
3	Papan teras inverter
4	Modul diod
5	Modul Tirus
6	Sensor arus
7	Kondensator
8	Perintang
9	Relay keadaan pepejal
10	Robot industri dan Bahagian Utama
11	Kraftangan Tanpa Awak Awam dan Bahagian Utama

Keterangan Produk

Ciri-ciri

(1) Papan asas AISiC
(2) Substrat AIN
(3) Keupayaan Siklus Haba Tinggi
(4) 10μs Daya Tahan Litar Pendek

(5) Peranti Vce(sat) Rendah

(6) Ketumpatan arus tinggi

Pembolehubah Tipikal

(1) Penggerak tarikan
(2) Pengawal Motor
(3) Grid Pintar
(4) Inverter Kebolehpercayaan Tinggi

TIM2400ESM17-TSA000

YMIF2400-17(E)

1700V/2400A Tunggal Switch IGBT

Parameter Utama

Simbol	Penerangan	Nilai	Unit
V _CES		1700	V
V _CE(sat)	- TIP.	1.75	V
Saya _C	Max.	2400	A
Saya _{C ((RM)}	IC ((RM)	4800	A

Penarafan Maksimum mutlak

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Nilai	Unit
V _CES	Voltan kolektor-emiter	V _GE= 0V, T _C= 25 °C	1700	V
V _GES	Voltan penyiaran pintu	T _C= 25 °C	±20	V
Saya _C	Arus kolektor-penerbit	T _C= 75°C	2400	A
Saya _{C (((PK)}	Arus puncak kolektor	t _P=1ms	4800	A
P _max	Maks. pengaliran kuasa transistor	Tvj= 150°C, TC= 25 °C	19200	W
Saya ²t	Diod I ²t	V _R=0V, T _P= 10ms, Tvj= 150 °C	1170	kA ²s
Visol	Voltan isolasi –per modul	(Terminal biasa ke plat asas), AC RMS,1 minit, 50Hz,T _C= 25 °C	4000	V
Q _PD	Pengisan sebahagian–per modul	IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V，50HzRMS	10	pC

Data Terma & Mekanikal

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	Max.	Nilai		Unit
R _{th(J-C) IGBT}	Tahanan terma – IGBT			6.5	K / kW		℃
R _{th(J-C) Diod}	Tahanan terma – Diod			13	K / kW		℃
R _{th(C-H) IGBT}	Tahanan terma – kes ke heatsink (IGBT)	Tork pemasangan 5Nm, dengan gris pemasangan 1W/m·°C		6	K / kW		℃
T _vj	Suhu Sambungan Operasi	IGBT	-40	150	°C
T _vj	Suhu Sambungan Operasi			Dioda	-40	150	°C
M	Tork skru	Pemasangan –M6		5	nm
				Kesambungan elektrik – M4		2	nm
				Kesambungan elektrik – M8		10	nm

Ciri-ciri Elektrik

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
Saya _CES	Arus pemotongan kolektor	V _GE= 0V,V _CE= V _CES			1	mA
				V _GE= 0V, V _CE= V _CES, T _C= 125 °C			40	mA
				V _GE= 0V, V _CE= V _CES, T _C=150 °C			60	mA
Saya _GES	Pasaran kebocoran pintu	V _GE= ±20V, V _CE= 0V			1	μA
V _{GE (TH)}	Voltan ambang pintu	Saya _C= 40mA, V _GE= V _CE	5.0	6.0	7.0	V
V _{CE (sat)}	Tegangan Penyerapan Pengumpul-Pemancar	VGE=15V, IC= 1200A,Tvj = 25 °C		1.75		V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 125 °C		1.95		V
				VGE =15V, IC = 250A,Tvj = 150 °C		2.05		V
Saya _F	Diod arus ke hadapan	DC		2400		A
Saya _Pendapatan	Pasaran arus hadapan puncak dioda	t _P= 1ms		4800		A
V _F	Voltan dioda ke hadapan	Saya _F= 250A, V _GE= 0		1.65		V
				Saya _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 125 °C		1.75		V
				Saya _F= 250A, V _GE= 0, T _vj= 150 °C		1.75		V
Saya _SC	Arus pendek😉	Tvj= 150°C, V _CC= 1000V, V _GE≤15V, tp≤10μs, V _CE(maks)= V _CES–L(*2)×di/dt, IEC 6074-9		12000		A
Ces	Kapasiti input	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		400		nF
Qg	Bayaran pintu	±15		19		μC
Cres	Kapasiti pemindahan terbalik	V _CE= 25V, V _GE= 0V, f = 100kHz		3.0		nF
L _M	Induktansi modul			10		nH
R _INT	Rintangan transistor dalaman			110		mΩ

T kes = 25°C melainkan dinyatakan sebaliknya

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min

Jenis

Max

Unit

t _{d (((off)}

Masa kelewatan penutupan

Saya _C= 2400A
V _CE= 900V
L _S~ 50nH
V _GE= ±15V
R _{G ((ON)}= 0.5Ω
R _{G ((OFF)}= 0.5Ω

2320

n

E _Dimatikan

Kehilangan tenaga penutupan

500

mJ

t _{d (dalam)}

Masa kelewatan penyambutan

1050

n

E _Pada

Kehilangan tenaga semasa menyala

410

mJ

Q _rr

Muatan pemulihan diod terbalik

Saya _F= 2400A
V _CE= 900V
diF/dt =10000A/us

480

μC

Saya _rr

Diod arus pemulihan terbalik

1000

A

E _rEC

Diod pemulihan tenaga terbalik

320

mJ

T kes = 150°C kecuali dinyatakan sebaliknya