MTx1000 MFx1000 MT1000,Modul Thyristor/Diode,Penyejukan Air

VRRM,VDRM

Jenis & Garis Besar

2000V

MTx1000-20-411F3

MFx1000-20-411F3

2200V

MTx1000-22-411F3

MFx1000-22-411F3

2500V

MTx1000-25-411F3

MFx1000-25-411F3

2500V

MT3Penggunaan bahan kimia

Simbol

Ciri-ciri

Keadaan Ujian

Tj( ℃ )

Nilai

Unit

Min

TAIP

Max

IT ((AV)

Purata semasa keadaan

180。separuh gelombang sinus 50Hz

Satu sisi sejuk, THS=55 ℃

125

1000

A

IT(RMS)

Arus keadaan RMS

1570

A

Idrm Irrm

Arus puncak berulang

di VDRM di VRRM

125

50

mA

ITSM

Tambah semasa semasa

VR=60%VRRM, t=10ms separuh sinus

125

18.0

kA

I2t

I2t untuk penyelarasan pencairan

125

1620

10³A ²s

VTO

Voltan Ambang

125

0.85

V

rt

Rintangan cerun pada keadaan aktif

0.24

mΩ

VTM

Voltan puncak semasa keadaan

ITM=3000A

25

2.20

V

dv/dt

Kadar kritikal peningkatan voltan dalam keadaan mati

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kadar kritikal peningkatan arus semasa

Sumber gerbang 1.5A

tr ≤ 0.5μs Ulang

125

200

A/μs

IGT

Pasukan pemicu gerbang

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Voltan pemicu pintu

0.8

3.0

V

IH

Aktifkan arus

10

200

mA

IL

Arus penguncian

1000

mA

VGD

Voltan pintu bukan pencetus

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Rintangan terma Junction ke kes

Satu sisi sejuk setiap cip

0.048

。C/W

Rth(c-h)

Rintangan terma kes ke heatsink

Satu sisi sejuk setiap cip

0.024

。C/W

VISO

Voltan pengasingan

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Tombok sambungan terminal ((M12)

12

16

N·m

Tombor pemasangan ((M8)

10

12

N·m

TVj

Suhu persimpangan

-40

125

℃

TSTG

Suhu simpanan

-40

125

℃

Wt

Berat

3230

g

Gambaran Ringkas

411F3