Pengenalan ringkas perkembangan
Modul IGBT , dihasilkan oleh StarPower. 1700V 650A
Ciri-ciri
-
Rendah V CE (sat ) Parit IGBT teknologi
-
10μs keupayaan litar pintas ility
-
V CE (sat ) dengan positif suhu pepejal
-
Maksimum suhu persimpangan 175o C
-
Diod yang Diperbesar untuk regeneratif operasi
- Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC
-
Keupayaan kuasa tinggi dan kitaran terma iaitu
Tipikal Aplikasi
- Penukar kuasa tinggi
- Tenaga Angin dan Solar
- Pemanduan Tarikan
Absolut Maksimum Penilaian T C =25o C kecuali jika tidak nota
IGBT
Simbol |
Penerangan |
Nilai |
Unit |
V CES |
Voltan kolektor-emiter |
1700 |
V |
V GES |
Voltan penyiaran pintu |
±20 |
V |
Saya C |
Arus Pengumpul @ T C =25o C
@ T C = 100o C
|
1073
650
|
A |
Saya CM |
Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms |
1300 |
A |
P D |
Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =175o C |
4.2 |
kw |
Dioda
Simbol |
Penerangan |
Nilai |
Unit |
V RRM |
Tegangan Terbalik Puncak Berulang |
1700 |
V |
Saya F |
Arus Maju Berterusan Diod =0V, |
650 |
A |
Saya FM |
Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms |
1300 |
A |
Modul
Simbol |
Penerangan |
Nilai |
Unit |
T jmax |
Suhu Sambungan Maksimum |
175 |
o C |
T jop |
Suhu Sambungan Operasi |
-40 hingga +150 |
o C |
T STG |
Suhu penyimpanan Julat |
-40 hingga +150 |
o C |
V ISO |
Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t= 1min |
4000 |
V |
IGBT Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
|
V CE(sat)
|
Pengumpul kepada Emitter
Voltan Jenuh
|
Saya C =650A,V GE =15V, T j =25o C |
|
1.90 |
2.35 |
V
|
Saya C =650A,V GE =15V, T j =125o C |
|
2.35 |
|
Saya C =650A,V GE =15V, T j =150o C |
|
2.45 |
|
V GE (th ) |
Ambang Gate-Emitter Voltan |
Saya C =24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Saya CES |
Kolektor Potongan -Dimatikan
Semasa
|
V CE =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
Saya GES |
Kebocoran Gate-Emitter Semasa |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Rintangan Gerbang Dalaman ance |
|
|
2.3 |
|
ω |
C ies |
Kapasiti input |
V CE =25V,f=1MHz,
V GE =0V
|
|
72.3 |
|
nF |
C res |
Pemindahan Balik
Kapasitans
|
|
1.75 |
|
nF |
Q G |
Bayaran pintu |
V GE =- 15...+15V |
|
5.66 |
|
μC |
t d (pada ) |
Masa kelewatan penyambutan |
V CC =900V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE = ± 15V,T j =25o C
|
|
468 |
|
n |
t r |
Masa naik |
|
86 |
|
n |
t d (dimatikan ) |
Matikan Masa Lembapan |
|
850 |
|
n |
t f |
Waktu kejatuhan |
|
363 |
|
n |
E pada |
Hidupkan Penukaran
Kerugian
|
|
226 |
|
mJ |
E dimatikan |
Pemadaman Suis
Kerugian
|
|
161 |
|
mJ |
t d (pada ) |
Masa kelewatan penyambutan |
V CC =900V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE = ± 15V,T j = 125o C
|
|
480 |
|
n |
t r |
Masa naik |
|
110 |
|
n |
t d (dimatikan ) |
Matikan Masa Lembapan |
|
1031 |
|
n |
t f |
Waktu kejatuhan |
|
600 |
|
n |
E pada |
Hidupkan Penukaran
Kerugian
|
|
338 |
|
mJ |
E dimatikan |
Pemadaman Suis
Kerugian
|
|
226 |
|
mJ |
t d (pada ) |
Masa kelewatan penyambutan |
V CC =900V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE = ± 15V,T j = 150o C
|
|
480 |
|
n |
t r |
Masa naik |
|
120 |
|
n |
t d (dimatikan ) |
Matikan Masa Lembapan |
|
1040 |
|
n |
t f |
Waktu kejatuhan |
|
684 |
|
n |
E pada |
Hidupkan Penukaran
Kerugian
|
|
368 |
|
mJ |
E dimatikan |
Pemadaman Suis
Kerugian
|
|
242 |
|
mJ |
|
Saya SC
|
Data SC
|
t P ≤10μs,V GE =15V,
T j =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V
|
|
2600
|
|
A
|
Dioda Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
|
V F
|
Dioda Maju
Voltan
|
Saya F =650A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
Saya F =650A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.98 |
|
Saya F =650A,V GE =0V,T j = 150o C |
|
2.02 |
|
Q r |
Caj Dipulihkan |
V R =900V,I F =650A,
-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j =25o C
|
|
176 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Terbalik
Arus pemulihan
|
|
765 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Tenaga |
|
87.4 |
|
mJ |
Q r |
Caj Dipulihkan |
V R =900V,I F =650A,
-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C
|
|
292 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Terbalik
Arus pemulihan
|
|
798 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Tenaga |
|
159 |
|
mJ |
Q r |
Caj Dipulihkan |
V R =900V,I F =650A,
-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C
|
|
341 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Terbalik
Arus pemulihan
|
|
805 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Tenaga |
|
192 |
|
mJ |
NTC Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
R 25 |
Rintangan bertaraf |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Pengecualian bagi R 100 |
T C = 100 o C,R 100= 493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Kuasa
Perosakan
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
Nilai B |
R 2=R 25exp [B 25/501/T 2-
1/ ((298.15K))]
|
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
Nilai B |
R 2=R 25exp [B 25/801/T 2-
1/ ((298.15K))]
|
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
Nilai B |
R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2-
1/ ((298.15K))]
|
|
3433 |
|
K |
Modul Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
L CE |
Induktans Terbuang |
|
18 |
|
nH |
R CC’+EE’ |
Modul rintangan plumbum, Terminal ke cip |
|
0.30 |
|
mΩ |
R thJC |
Junction-to-Case (per IGB T)
Junction-to-Case (per D iode)
|
|
|
35.8
71.3
|
K/kW |
|
R thCH
|
Case-to-Heatsink (per IGBT)
Case-to-Heatsink (p er Diode)
Case-to-Heatsink (per Modul)
|
|
13.5
26.9
4.5
|
|
K/kW |
|
M
|
Tork Sambungan Terminal, Skru M4 Sambungan Terminal Tork, Skrin M8 Tork Pemasangan, Skrin M5 |
1.8
8.0
3.0
|
|
2.1
10.0
6.0
|
N.M
|
G |
Berat bagi Modul |
|
810 |
|
g |
EN
