GD650HFX170P1S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =650A,V GE =15V, T j =25 o C

1.90

2.35

V

Saya C =650A,V GE =15V, T j =125 o C

2.35

Saya C =650A,V GE =15V, T j =150 o C

2.45

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter Voltan

Saya C =24.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -Dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

2.3

ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

72.3

nF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.75

nF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

5.66

μC

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE = ± 15V,T j =25 o C

468

n

t r

Masa naik

86

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

850

n

t f

Waktu kejatuhan

363

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

226

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

161

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE = ± 15V,T j = 125o C

480

n

t r

Masa naik

110

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

1031

n

t f

Waktu kejatuhan

600

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

338

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

226

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =650A, R Gon = 1.8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE = ± 15V,T j = 150o C

480

n

t r

Masa naik

120

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

1040

n

t f

Waktu kejatuhan

684

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

368

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

242

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15V,

T j =150 o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

2600

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

Voltan

Saya F =650A,V GE =0V,T j =25 o C

1.85

2.30

V

Saya F =650A,V GE =0V,T j = 125o C

1.98

Saya F =650A,V GE =0V,T j = 150o C

2.02

Q r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

176

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

765

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

87.4

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

292

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

798

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

159

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

341

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

805

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

192

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

R 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

δR/R

Pengecualian bagi R 100

T C = 100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

K