YMIF250-65,Modul IGBT,Voltan tinggi, IGBT tunggal,CRRC

Parameter

Simbol

Syarat

min

max

Unit

Kolektor-Pemancar voltan

V CES

V GE =0V,T vj ≥ 25°C

6500

V

Arus kolektor DC

Saya C

T C =80°C

250

A

Arus puncak kolektor

Saya CM

tp=1ms,Tc=80°C

500

A

Voltan penyiaran pintu

V GES

-20

20

V

Kuasa keseluruhan perosakan

P tot

T C =25°C,perswitch(IGBT)

3200

W

Arus Maju DC

Saya F

250

A

Puncak ke hadapan semasa

Saya Pendapatan

tP=1ms

500

A

Pendek IGBT lITUPAN SOA

t psc

V CC =4400V,V CEMCHIP ≤ 6500V V GE ≤ 15V,Tvj≤ 125°C

10

μ s

Voltan pengasingan

V isolasi

1min, f=50Hz

10200

V

Suhu persimpangan

T vj

125

℃

Suhu operasi sambungan

T vj(op)

-50

125

℃

Suhu kes

T C

-50

125

℃

Suhu penyimpanan

T sTG

-50

125

℃

Tork pemasangan

Ms

4

6

Nm

M T1

8

10

Parameter

Simbol

Syarat

Min

tAIP

max

Unit

Kolektor (- pemancar) voltan pecahan

V ((BR) CES

VGE=0V,IC=3mA, Tvj=25°C

6500

V

Kolektor-Pemancar tepu voltan

VCEsat

IC=250A,V GE=15V

Tvj= 25°C

2.6

3

3.4

V

Tvj=125°C

3.4

4

4.6

V

Kolektor arus pemotongan

ICES

VCE=6500V,VGE=0V

Tvj= 25°C

4

mA

Tvj=125°C

50

mA

Pintu arus kebocoran

IGES

VCE=0V,VGE=20V,Tvj=125°C

-500

500

nA

Ambang Gate-Emitter voltan

V GE (th)

IC=80mA,VCE=VGE,Tvj=25°C

5.4

6.2

7

V

Masa kelewatan penyambutan

t d (dalam)

VCC=3600V, IC=250A,

RGon=6.8Ω ,

RGoff=33Ω ,

CGE=100nF

VGE=±15V,

Ls=280nH,

感性负载

TVj = 25 °C

1

μ s

TVj = 125 °C

0.94

Kenaikan masa

tr

TVj = 25 °C

0.76

TVj = 125 °C

0.81

Masa kelewatan penutupan

t d (((off)

TVj = 25 °C

3.9

μ s

TVj = 125 °C

4.2

Waktu kejatuhan

t f

TVj = 25 °C

2.2

TVj = 125 °C

2.8

Penghidupan Suis tenaga hilang

EON

TVj = 25 °C

3081

mJ

TVj = 125 °C

3900

Pemadaman Suis tenaga hilang

E dimatikan

TVj = 25 °C

2100

mJ

TVj = 125 °C

1236

Pendek arus litar

Saya SC

tpsc ≤ 10μ s, V GE

=15V, Tvj=125℃,V CC =

4400V

TVj = 125 °C

940

A