Pengenalan ringkas
Modul IGBT , dihasilkan oleh STARPOWER. 1700V 225A.
Ciri-ciri
Rendah V CE (sat ) Parit IGBT teknologi
10μs keupayaan litar pintas ility
V CE (sat ) dengan positif suhu pepejal
Maksimum suhu persimpangan 175o C
Rendah induktans kes
Pemulihan terbalik cepat & lembut fWD anti-paralel
Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC
Tipikal Aplikasi
Inverter untuk motor d rIV
AC dan DC servo pemandu pemberi kuasa
Kuasa yang tidak terganggu r bekalan
Absolut Maksimum Penilaian T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
Simbol |
Penerangan |
Nilai |
Unit |
V CES |
Voltan kolektor-emiter |
1700 |
V |
V GES |
Voltan penyiaran pintu |
±20 |
V |
Saya C |
Arus Pengumpul @ T C =25o C
@ T C = 100o C
|
396
225
|
A |
Saya CM |
Arus Pengumpul Berdenyut t p = 1ms |
450 |
A |
P D |
Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =175o C |
1530 |
W |
Dioda
Simbol |
Penerangan |
Nilai |
Unit |
V RRM |
Tegangan Terbalik Puncak Berulang |
1700 |
V |
Saya F |
Arus Maju Berterusan Diod =0V, |
225 |
A |
Saya FM |
Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms |
450 |
A |
Modul
Simbol |
Penerangan |
Nilai |
Unit |
T jmax |
Suhu Sambungan Maksimum |
175 |
o C |
T jop |
Suhu Sambungan Operasi |
-40 hingga +150 |
o C |
T STG |
Suhu penyimpanan Julat |
-40 hingga +125 |
o C |
V ISO |
Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 min |
4000 |
V |
IGBT Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
|
V CE(sat)
|
Pengumpul kepada Emitter
Voltan Jenuh
|
Saya C =225A,V GE =15V, T j =25o C |
|
1.85 |
2.20 |
V
|
Saya C =225A,V GE =15V, T j =125o C |
|
2.25 |
|
Saya C =225A,V GE =15V, T j =150o C |
|
2.35 |
|
V GE (th ) |
Ambang Gate-Emitter Voltan |
Saya C =9.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Saya CES |
Kolektor Potongan -Dimatikan
Semasa
|
V CE =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
Saya GES |
Kebocoran Gate-Emitter Semasa |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Rintangan Gerbang Dalaman ance |
|
|
2.8 |
|
ω |
C ies |
Kapasiti input |
V CE =25V,f=1MHz,
V GE =0V
|
|
27.1 |
|
nF |
C res |
Pemindahan Balik
Kapasitans
|
|
0.66 |
|
nF |
Q G |
Bayaran pintu |
V GE =- 15...+15V |
|
2.12 |
|
μC |
t d (pada ) |
Masa kelewatan penyambutan |
V CC =900V,I C =225A, R Gon =3.3Ω, R Goff =6.2Ω, V GE =±15V,
T j =25o C
|
|
187 |
|
n |
t r |
Masa naik |
|
76 |
|
n |
t d (dimatikan ) |
Matikan Masa Lembapan |
|
587 |
|
n |
t f |
Waktu kejatuhan |
|
350 |
|
n |
E pada |
Hidupkan Penukaran
Kerugian
|
|
56.1 |
|
mJ |
E dimatikan |
Pemadaman Suis
Kerugian
|
|
52.3 |
|
mJ |
t d (pada ) |
Masa kelewatan penyambutan |
V CC =900V,I C =225A, R Gon =3.3Ω, R Goff =6.2Ω, V GE =±15V,
T j = 125o C
|
|
200 |
|
n |
t r |
Masa naik |
|
85 |
|
n |
t d (dimatikan ) |
Matikan Masa Lembapan |
|
693 |
|
n |
t f |
Waktu kejatuhan |
|
662 |
|
n |
E pada |
Hidupkan Penukaran
Kerugian
|
|
75.9 |
|
mJ |
E dimatikan |
Pemadaman Suis
Kerugian
|
|
80.9 |
|
mJ |
t d (pada ) |
Masa kelewatan penyambutan |
V CC =900V,I C =225A, R Gon =3.3Ω, R Goff =6.2Ω, V GE =±15V,
T j = 150o C
|
|
208 |
|
n |
t r |
Masa naik |
|
90 |
|
n |
t d (dimatikan ) |
Matikan Masa Lembapan |
|
704 |
|
n |
t f |
Waktu kejatuhan |
|
744 |
|
n |
E pada |
Hidupkan Penukaran
Kerugian
|
|
82.8 |
|
mJ |
E dimatikan |
Pemadaman Suis
Kerugian
|
|
87.7 |
|
mJ |
|
Saya SC
|
Data SC
|
t P ≤10μs,V GE =15V,
T j =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V
|
|
900
|
|
A
|
Dioda Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
|
V F
|
Dioda Maju
Voltan
|
Saya F =225A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
Saya F =225A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.90 |
|
Saya F =225A,V GE =0V,T j = 150o C |
|
1.95 |
|
Q r |
Caj Dipulihkan |
V R =900V,I F =225A,
-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =25o C
|
|
63.0 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Terbalik
Arus pemulihan
|
|
352 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Tenaga |
|
37.4 |
|
mJ |
Q r |
Caj Dipulihkan |
V R =900V,I F =225A,
-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =125o C
|
|
107 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Terbalik
Arus pemulihan
|
|
394 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Tenaga |
|
71.0 |
|
mJ |
Q r |
Caj Dipulihkan |
V R =900V,I F =225A,
-di/dt=3565A/μs,V GE =- 15V T j =150o C
|
|
121 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Terbalik
Arus pemulihan
|
|
385 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Tenaga |
|
82.8 |
|
mJ |
NTC Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
R 25 |
Rintangan bertaraf |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Pengecualian bagi R 100 |
T C = 100 o C,R 100= 493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Kuasa
Perosakan
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
Nilai B |
R 2=R 25exp [B 25/501/T 2-
1/ ((298.15K))]
|
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
Nilai B |
R 2=R 25exp [B 25/801/T 2-
1/ ((298.15K))]
|
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
Nilai B |
R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2-
1/ ((298.15K))]
|
|
3433 |
|
K |
Modul Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
L CE |
Induktans Terbuang |
|
20 |
|
nH |
R CC’+EE’ |
Modul rintangan plumbum, Terminal ke cip |
|
1.10 |
|
mΩ |
R thJC |
Junction-to-Case (per IGB T)
Junction-to-Case (per Di ode)
|
|
|
0.098
0.158
|
K/W |
|
R thCH
|
Case-to-Heatsink (per IGBT)
Case-to-Heatsink (p er Diode)
Case-to-Heatsink (per Modul)
|
|
0.029
0.047
0.009
|
|
K/W |
M |
Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5 |
3.0
3.0
|
|
6.0
6.0
|
N.M |
G |
Berat bagi Modul |
|
350 |
|
g |
EN
