GD75HFX170C1S,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

136

75

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

150

A

PD

Maksimum Kuasa Perosakan @ T vj =175o C

539

W

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1700

V

IF

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

75

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

150

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

IC= 75A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC= 75A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC= 75A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC=3.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Dalaman Gate

8.5

ω

Cies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

9.03

nF

Cres

Pemindahan Balik Kapasitans

0.22

nF

S G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

0.71

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C= 75A, R G=6.8Ω,V GE =±15V, Ls =60nH ,T vj =25o C

237

n

t r

Masa naik

59

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

314

n

t f

Waktu kejatuhan

361

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

25.0

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

9.5

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C= 75A, R G=6.8Ω,V GE =±15V, Ls =60nH ,T vj =125o C

254

n

t r

Masa naik

70

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

383

n

t f

Waktu kejatuhan

524

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

33.3

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

15.1

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C= 75A, R G=6.8Ω,V GE =±15V, Ls =60nH ,T vj =150o C

257

n

t r

Masa naik

75

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

396

n

t f

Waktu kejatuhan

588

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

36.9

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

16.6

mJ

ISC

Data SC

t P≤10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =1000V

V CEM ≤1700V

300

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V F

Dioda Maju Voltan

IF = 75A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF = 75A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF = 75A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

S r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F = 75A,

-di/dt=700A/μs,V GE =-15V Ls =60nH ,T vj =25o C

16.4

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

58

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

7.2

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F = 75A,

-di/dt=600A/μs,V GE =-15V Ls =60nH ,T vj =125o C

30.8

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

64

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

15.8

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F = 75A,

-di/dt=600A/μs,V GE =-15V Ls =60nH ,T vj =150o C

31.4

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

64

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

18.2

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

LCE

Induktans Terbuang

30

nH

R CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, Terminal ke cip

0.65

mΩ

R thJC

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per Di ode)

0.278 0.467

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.160 0.268 0.050

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrin M5 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

150

g