Semua Kategori
Dapatkan Sebut Harga

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
E-mel
Nama
Nama syarikat
Mesej
0/1000

Modul IGBT 1700V

Modul IGBT 1700V

Laman Utama/Produk/Modul IGBT/Modul IGBT 1700V

GD300HFX170C6SA,Modul IGBT,STARPOWER

Modul IGBT,1700V 300A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300HFX170C6SA
  • Pengenalan
  • Gambaran Ringkas
Pengenalan

Pengenalan ringkas

Modul IGBT ,dihasilkan oleh STARPOWER .1700V 300A.

Ciri-ciri

  • Teknologi IGBT Trench VCE(sat) Rendah
  • keupayaan litar pintas 10μs
  • VCE(sat) dengan pekali suhu positif
  • Suhu sambungan maksimum 175oC
  • Kes induktans rendah
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC y

Aplikasi Lazim

  • Inverter untuk pemacu motor
  • Penguat pemacu servo AC dan DC
  • Bekalan Kuasa Tanpa Gangguan

Absolut Maksimum Penilaian T F =25o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

493

300

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

600

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =175o C

1829

W

Dioda

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1700

V

IF

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

300

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

600

A

Modul

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

o C

T jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

IGBT Ciri-ciri T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

IC=300A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=300A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

IC=300A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC=12.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

2.5

ω

Cies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

36.1

nF

Cres

Pemindahan Balik Kapasitans

0.88

nF

S G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C=300A,

R Gon =3.3Ω, R Goff =4.7Ω, LS =66nH,V GE =±15V, T j =25o C

265

n

t r

Masa naik

94

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

565

n

t f

Waktu kejatuhan

326

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

77.6

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

52.8

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C=300A,

R Gon =3.3Ω, R Goff =4.7Ω, LS =66nH,V GE =±15V, T j =125o C

302

n

t r

Masa naik

104

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

631

n

t f

Waktu kejatuhan

521

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

108

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

72.8

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C=300A,

R Gon =3.3Ω, R Goff =4.7Ω, LS =66nH,V GE =±15V, T j =150o C

313

n

t r

Masa naik

108

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

645

n

t f

Waktu kejatuhan

545

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

119

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

78.4

mJ

ISC

Data SC

t P≤10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

1200

A

Dioda Ciri-ciri T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju Voltan

IF =300A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =300A,V GE =0V,T j =125o C

1.95

IF =300A,V GE =0V,T j =150o C

1.90

S r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=2650A/μs,V GE =-15V LS =66nH ,T j =25o C

56.3

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

228

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

38.4

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =300A,

-di⁄dt=2300A⁄μs,V GE =-15V LS =66nH ,T j =125o C

89.6

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

262

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

60.2

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=2250A/μs,V GE =-15V LS =66nH ,T j =150o C

102

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

272

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

69.6

mJ

NTC Ciri-ciri T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

R 25

Rintangan bertaraf

5.0

∆R/R

Pengecualian dari R 100

T C=100 o Cr 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Modul Ciri-ciri T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

LCE

Induktans Terbuang

20

nH

R CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, Terminal ke cip

1.10

R thJC

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per D iode)

0.082 0.121

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.030 0.045 0.009

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Berat dari Modul

350

g

Gambaran Ringkas

image(c537ef1333).png

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
E-mel
Nama
Nama syarikat
Mesej
0/1000

Produk Berkaitan

Ada soalan tentang sebarang produk?

Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.

Dapatkan Sebut Harga

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
E-mel
Nama
Nama syarikat
Mesej
0/1000

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
E-mel
Nama
Nama syarikat
Mesej
0/1000