GD300HFX170C2S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

493

300

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

600

A

P D

Pelepasan Kuasa Maksimum T = 175 o C

1829

W

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =300A,V GE =15V, T j =25 o C

1.85

2.20

V

Saya C =300A,V GE =15V, T j =125 o C

2.25

Saya C =300A,V GE =15V, T j =150 o C

2.35

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter Voltan

Saya C = 12.0mA,V CE =V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -Dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

2.5

ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

36.1

nF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.88

nF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

2.83

μC

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =300A, R G =2.4Ω,

V GE =±15V, T j =25 o C

204

n

t r

Masa naik

48

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

595

n

t f

Waktu kejatuhan

100

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

69.3

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

63.3

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =300A, R G =2.4Ω

,V GE =±15V, T j = 125o C

224

n

t r

Masa naik

55

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

611

n

t f

Waktu kejatuhan

159

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

96.8

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

99.0

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =300A, R G =2.4Ω

,V GE =±15V, T j = 150o C

240

n

t r

Masa naik

55

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

624

n

t f

Waktu kejatuhan

180

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

107

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

105

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15V,

T j =150 o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

1200

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

Voltan

Saya F =300A,V GE =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

V

Saya F =300A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

Saya F =300A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

Q r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

55

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

297

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

32.2

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125 o C

116

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

357

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

68.2

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =300A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150 o C

396

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

120

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

81.6

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

Unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

R CC’+EE’

Rintangan Pemimpin Modul nce, Terminal ke Cip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per Di ode)

0.082

0.129

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Case-to-Heatsink (p er Diode)

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.033

0.051

0.010

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat bagi Modul

300

g