GD100HFX170C1S,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

173

112

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

200

A

PD

Maksimum Kuasa Perosakan @ T vj =175o C

666

W

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1700

V

IF

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

100

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

200

A

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

T vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t= 1min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

IC=100A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=100A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC=100A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC=4.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Dalaman Gate

7.5

ω

Cies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

12.0

nF

Cres

Pemindahan Balik Kapasitans

0.29

nF

S G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

0.94

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V GE =±15V, Ls=60nH,

T vj =25o C

272

n

t r

Masa naik

55

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

369

n

t f

Waktu kejatuhan

389

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

28.2

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

16.4

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V GE =±15V, Ls=60nH,

T vj =125o C

296

n

t r

Masa naik

66

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

448

n

t f

Waktu kejatuhan

576

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

40.1

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

24.1

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V GE =±15V, Ls=60nH,

T vj =150o C

302

n

t r

Masa naik

69

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

463

n

t f

Waktu kejatuhan

607

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

43.9

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

25.7

mJ

ISC

Data SC

t P≤10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =1000V

V CEM ≤1700V

400

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V F

Dioda Maju Voltan

IF =100A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =100A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =100A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

S r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =100A,

-di/dt=1290A/μs,V GE =-15V Ls=60nH,

T vj =25o C

23.5

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

85

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

11.5

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =100A,

-di/dt=1020A/μs,V GE =-15V Ls=60nH,

T vj =125o C

36.6

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

88

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

18.1

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =100A,

-di/dt=960A/μs,V GE =-15V Ls=60nH,

T vj =150o C

46.2

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

91

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

24.6

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

LCE

Induktans Terbuang

30

nH

R CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, Terminal ke cip

0.65

mΩ

R thJC

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per D iode)

0.225 0.391

K/W

R thCH

Kes -kepada -Pencuci haba (perIGBT )Case-to-Heatsink (p er Diode) Case-to-Heatsink (per Modul)

0.158 0.274 0.050

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrin M5 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

150

g