modul IGBT
Modul IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) mewakili kemajuan bermakna dalam elektronik kuasa, menggabungkan ciri-ciri terbaik teknologi MOSFET dan transistor dwikutub. Peranti semikonduktor yang canggih ini berfungsi sebagai komponen utama dalam aplikasi kawalan kuasa moden, menawarkan keupayaan pensuisan yang luar biasa dan pengurusan kuasa yang berkesan. Modul ini terdiri daripada beberapa cip IGBT yang disusun dalam pelbagai konfigurasi, dilengkapi dengan diod anti-selari dan pembungkusan khas yang direka untuk pengurusan haba yang optimum. Beroperasi pada frekuensi antara 1 kHz hingga 100 kHz, modul IGBT mampu mengendalikan voltan dari 600V hingga 6500V dan arus sehingga beribu-ribu ampere. Modul-modul ini unggul dalam aplikasi yang memerlukan keupayaan mengendalikan voltan dan arus yang tinggi, menjadikannya tidak dapat dipisahkan dalam pemacu motor industri, sistem tenaga boleh diperbaharui, dan kuasa kereta elektrik. Pengintegrasian litar kawalan get yang canggih memastikan kawalan pensuisan yang tepat, manakala ciri keselamatan binaan melindungi modul daripada keadaan lebih arus, litar pintas, dan suhu berlebihan. Modul IGBT moden juga merangkumi penyelesaian pengurusan haba yang lebih maju, termasuk substrat kuprum berbondong secara langsung (DCB) dan sistem penyejukan tingkat tinggi, membolehkan operasi yang boleh dipercayai dalam keadaan mencabar.