Īss ievads
IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1200V 900A.
Īpašības
- NPT IGBT tehnoloģija
-
10μs īss īssavienojuma spējas ība
-
Zemi slēgšanas zudumi
-
Izturīgs ar ultrātraku veiktspēju - - - -
-
V CE (= 40 ) ar pozitīvs temperatūra koeficients
-
Ātra & maiga atpakaļatgriešanās anti-paralēlais FWD
- Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju
Tipisks Lietojuma jomas
- Slēgšanas režīma barošanas avots
- Induktīvā sildīšana
- Elektriskās sārgmašīnas
Absolūta Maksimālais Reitingu rādītāji T C =25o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
T C |
Kolektora strāva @ T C =25o C
@ T C =80o C
|
1350
900
|
A |
T CM |
Impulsu kolektora strāva t p =1ms |
1800 |
A |
P D |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =150o C |
7.40 |
kw |
Dioda
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums |
1200 |
V |
T F |
Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde |
900 |
A |
T FM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
1800 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
T jmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
150 |
o C |
T žop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +125 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūra Darbības diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min. |
4000 |
V |
IGBT Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents
Sātumapstrādes spriegums
|
T C =800A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C |
|
2.90 |
3.35 |
V
|
T C =800A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C |
|
3.60 |
|
V ĢEN (th) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
T C = 16.0mA,V CE =V ĢEN , T j =25o C |
5.0 |
6.1 |
7.0 |
V |
T Tips |
Kolektors Griezts -Izslēgt
Pašreizējais
|
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
T =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
C 125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=1MHz,
V ĢEN =0V
|
|
53.1 |
|
mHz |
C pretestība |
Atgriezītais pārvedums
Jauda
|
|
3.40 |
|
mHz |
Q G |
NF |
V ĢEN =- 15...+15V |
|
8.56 |
|
μC |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V,I C =800A, Stienis G = 1.3Ω,
V ĢEN =±15V, T j =25o C
|
|
90 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
81 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
500 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
55 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
36.8 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
41.3 |
|
mJ |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V,I C =800A, Stienis G = 1.3Ω,
V ĢEN =±15V, T j = 125o C
|
|
115 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
92 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
550 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
66 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
52.5 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
59.4 |
|
mJ |
|
T SC
|
SC dati
|
t P ≤ 10 μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T j =125o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V
|
|
5200
|
|
A
|
Dioda Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
V F |
Diode uz priekšu
Spriegums
|
T F =800A,V ĢEN =0V,T j =25o C |
|
1.95 |
2.40 |
V |
T F =800A,V ĢEN =0V,T j = 125o C |
|
1.95 |
|
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V CC = 900V,I F =800A,
-di/dt=9500A/μs,V ĢEN =±15V, T j =25o C
|
|
56 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
550 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
38.7 |
|
mJ |
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V CC = 900V,I F =800A,
-di/dt=9500A/μs,V ĢEN =±15V, T j = 125o C
|
|
148 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
920 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
91.8 |
|
mJ |
Modulis Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
L CE |
Neatklāta induktantība |
|
12 |
|
nH |
Stienis CC+EE |
Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu |
|
0.19 |
|
mΩ |
Stienis θ JC |
Savienojums ar lietu (par IGB) T)
Savienojums ar kārtu (par D) jods)
|
|
|
16.9
26.2
|
K/kW |
Stienis θ CS |
Korpuss uz siltuma izkliedētāju (katram IGBT)
Korpuss uz siltuma izkliedētāju (katram diodam)
|
|
19.7
30.6
|
|
K/kW |
Stienis θ CS |
Korpuss uz siltuma izkliedētāju |
|
6.0 |
|
K/kW |
|
M
|
Terminala savienojuma griezes moments, Skrūve M4 Termināla savienojums Griezes moments, Skrūve M8 Monta griezes moments, M6 skrūvis |
1.8
8.0
4.25
|
|
2.1
10
5.75
|
N.m.
|
G |
Svars no Modulis |
|
1500 |
|
g |
EN
