GD900SGU120C3SN,IGBT modulis,STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 o C

@ T C =80 o C

1350

900

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1800

A

P D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j = 150 o C

7.40

kW

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

900

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

1800

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

150

o C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +125

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =800A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 o C

2.90

3.35

V

I C =800A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 o C

3.60

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 16.0mA,V CE =V ĢEN , T j =25 o C

5.0

6.1

7.0

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

53.1

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

3.40

mHz

Q G

NF

V ĢEN =- 15...+15V

8.56

μC

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =800A, R G = 1.3Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 o C

90

ns

t r

Atkāpšanās laiks

81

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

500

ns

t f

Nolieku laiks

55

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

36.8

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

41.3

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =800A, R G = 1.3Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 125o C

115

ns

t r

Atkāpšanās laiks

92

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

550

ns

t f

Nolieku laiks

66

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

Zaudējumi

52.5

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

59.4

mJ

I SC

SC dati

t P ≤ 10 μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j =125 o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

5200

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =800A,V ĢEN =0V,T j =25 o C

1.95

2.40

V

I F =800A,V ĢEN =0V,T j = 125o C

1.95

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 900V,I F =800A,

-di/dt=9500A/μs,V ĢEN =±15V, T j =25 o C

56

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

550

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

38.7

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 900V,I F =800A,

-di/dt=9500A/μs,V ĢEN =±15V, T j = 125o C

148

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

920

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

91.8

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

12

nH

R CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu

0.19

mΩ

R θ JC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

16.9

26.2

K/kW

R θ CS

Korpuss uz siltuma izkliedētāju (katram IGBT)

Korpuss uz siltuma izkliedētāju (katram diodam)

19.7

30.6

K/kW

R θ CS

Korpuss uz siltuma izkliedētāju

6.0

K/kW

M

Terminala savienojuma griezes moments, Skrūve M4 Termināla savienojums Griezes moments, Skrūve M8 Monta griezes moments, M6 skrūvis

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.m.

G

Svars of Modulis

1500

g