Īsa ievads
IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1200V 450A.
Funkcijas
-
Zema V CE (= 40 ) Grīdas IGBT tehnoloģijas
-
10μs īss īssavienojuma spējas ība
-
V CE (= 40 ) ar pozitīvs temperatūra koeficients
-
Maksimāli junkcijas temperatūra 175o C
-
Zema induktivitāte gadījums
-
Ātra & maiga atpakaļatgriešanās anti-paralēlais FWD
- Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju
Tipisks Lietojumprogrammas
-
Hibrīda un elektriskā ve hicle
-
Inverteris motora vajadzībām d rīve
-
Neapstrādāts spēks stienis piedāvājums
Absolūta Maksimāli Reitingu rādītāji T C=25o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
Es C |
Kolektora strāva @ T C=25o C
@ T C= 100o C
|
680
450
|
A |
Es Cm |
Impulsu kolektora strāva t p =1ms |
900 |
A |
PD |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175o C |
2173 |
V |
Dioda
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums |
1200 |
V |
Es F |
Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde |
450 |
A |
Es FM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
900 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
T jmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
o C |
T žop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūra Darbības diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 mINŪTE |
2500 |
V |
IGBT Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents
Sātumapstrādes spriegums
|
Es C= 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
Es C= 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C |
|
1.95 |
|
Es C= 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C |
|
2.00 |
|
V ĢEN (th) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
Es C= 11,3 mA,V CE =V ĢEN ,T j =25o C |
5.2 |
5.8 |
6.4 |
V |
Es Tips |
Kolektors Griezts – Izslēgt
Pašreizējais
|
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V,
T j =25o C
|
|
|
1.0 |
mA |
Es =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
Stienis Gint |
Iekšējā vārtu pretestība - - - - |
|
|
0.7 |
|
ω |
C125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=1MHz,
V ĢEN =0V
|
|
46.6 |
|
mHz |
Cpretestība |
Atgriezītais pārvedums
Jauda
|
|
1.31 |
|
mHz |
J G |
NF |
V ĢEN =- 15...+15V |
|
3.50 |
|
μC |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C= 450A, Stienis G= 1.3Ω,
V ĢEN =±15V, T j =25o C
|
|
203 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
64 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
491 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
79 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
16.1 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
38.0 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C= 450A, Stienis G= 1.3Ω,
V ĢEN =±15V, T j = 125o C
|
|
235 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
75 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
581 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
109 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
27.8 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
55.5 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C= 450A, Stienis G= 1.3Ω,
V ĢEN =±15V, T j = 150o C
|
|
235 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
75 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
621 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
119 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
30.5 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
61.5 |
|
mJ |
|
Es SC
|
SC dati
|
t P≤ 10 μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
1800
|
|
A
|
Dioda Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V F
|
Diode uz priekšu
Spriegums
|
Es F = 450A,V ĢEN =0V,T j =25o C |
|
1.65 |
2.10 |
V
|
Es F = 450A,V ĢEN =0V,T j = 125o C |
|
1.65 |
|
Es F = 450A,V ĢEN =0V,T j = 150o C |
|
1.65 |
|
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
V CC = 600V,I F = 450A,
-di/dt=6600A/μs,V ĢEN =- 15 V, T j =25o C
|
|
46 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
428 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
25.2 |
|
mJ |
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
V CC = 600V,I F = 450A,
-di/dt=6600A/μs,V ĢEN =- 15 V, T j = 125o C
|
|
87 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
523 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
46.1 |
|
mJ |
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
V CC = 600V,I F = 450A,
-di/dt=6600A/μs,V ĢEN =- 15 V, T j = 150o C
|
|
100 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
546 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
52.3 |
|
mJ |
NTC Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
Stienis 25 |
Nominālais pretestība |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Atkāpe no Stienis 100 |
T C= 100 o C,R 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Enerģiju
Zudums
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B vērtība |
Stienis 2=R 25eks [B 25/501/T 2–
1/(298.15K))]
|
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B vērtība |
Stienis 2=R 25eks [B 25/801/T 2–
1/(298.15K))]
|
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B vērtība |
Stienis 2=R 25eks [B 25/1001/T 2–
1/(298.15K))]
|
|
3433 |
|
K |
Modulis Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
LCE |
Neatklāta induktantība |
|
20 |
|
nH |
Stienis CC+EE |
Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu |
|
1.10 |
|
mΩ |
Stienis tJC |
Savienojums ar lietu (par IGB) T)
Savienojums ar korpusu (par Di) ode)
|
|
|
0.069
0.108
|
K/W |
|
Stienis tCH
|
Izmērs: IGBT)
Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode)
Izmērs: (atkārtojiet)
|
|
0.030 0.046 0.009 |
|
K/W |
M |
Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis |
3.0
3.0
|
|
6.0
6.0
|
N.m. |
G |
Svars no Modulis |
|
350 |
|
g |
EN
