Īss ievads
IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1700V 100A.
Īpašības
- Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
- 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
- VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
-
Maksimālā savienojuma temperatūra 175 ℃
- Zema induktivitātes kārta
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
- Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju
Tipiskas lietošanas metodes
- Inverteris motora vadībai
- AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
- Nepārtraukta strāva nodrošināšana
Absolūta Maksimālais Reitingu rādītāji T F =25o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1700 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
T C |
Kolektora strāva @ T C =25o C @ T C =100o C |
196
100
|
A |
T CM |
Impulsu kolektora strāva t p =1ms |
200 |
A |
P D |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175o C |
815 |
V |
Dioda
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums |
1700 |
V |
T F |
Dioda nepārtraukta uz priekšu īr |
100 |
A |
T FM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
200 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
T vjmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
o C |
T vjop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūras diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min. |
4000 |
V |
IGBT Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums
|
T C =100A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C |
|
1.85 |
2.20 |
V
|
T C =100A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125o C |
|
2.25 |
|
T C =100A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =150o C |
|
2.35 |
|
V ĢEN (th) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
T C =4.00mA ,V CE =V ĢEN , T vj =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
T Tips |
Kolektors Griezts -Izslēgt Pašreizējais |
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25o C |
|
|
5.0 |
mA |
T =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
Stienis Gint |
Iekšējā vārtu pretestība |
|
|
7.5 |
|
ω |
C 125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V |
|
12.0 |
|
mHz |
C pretestība |
Atgriezītais pārvedums Jauda |
|
0.29 |
|
mHz |
Q G |
NF |
V ĢEN =-15 ...+15V |
|
0.94 |
|
μC |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V,I C =100A, Stienis G =1.0Ω,V ĢEN =±15V, LS =52nH ,T vj =25o C
|
|
196 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
44 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
298 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
367 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
26.4 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
14.7 |
|
mJ |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V,I C =100A, Stienis G =1.0Ω,V ĢEN =±15V, LS =52nH ,T vj =125o C
|
|
217 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
53 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
361 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
516 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
36.0 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
21.0 |
|
mJ |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V,I C =100A, Stienis G =1.0Ω,V ĢEN =±15V, LS =52nH ,T vj =150o C
|
|
223 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
56 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
374 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
551 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
39.1 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
22.4 |
|
mJ |
|
T SC
|
SC dati
|
t P ≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T vj =150o C,V CC =1000V,
V CEM ≤ 1700V
|
|
400
|
|
A
|
Dioda Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V F
|
Diode uz priekšu Spriegums |
T F =100A,V ĢEN =0V,T vj =25o C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
T F =100A,V ĢEN =0V,T vj =125o C |
|
1.95 |
|
T F =100A,V ĢEN =0V,T vj =150o C |
|
1.90 |
|
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 900V,I F =100A,
-di/dt=1332A/μs,V ĢEN =-15V LS =52nH ,T vj =25o C
|
|
26.8 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
78 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
14.4 |
|
mJ |
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 900V,I F =100A,
-di/dt=1091A/μs,V ĢEN =-15V LS =52nH ,T vj =125o C
|
|
42.3 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
86 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
23.7 |
|
mJ |
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 900V,I F =100A,
-di/dt=1060A/μs,V ĢEN =-15V LS =52nH ,T vj =150o C
|
|
48.2 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
89 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
27.4 |
|
mJ |
Modulis Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
L CE |
Neatklāta induktantība |
|
20 |
|
nH |
Stienis CC+EE |
Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu |
|
1.10 |
|
mΩ |
Stienis tJC |
Savienojums -pret -Gadījums (perIGBT ) Savienojums ar korpusu (par Di) ode) |
|
|
0.184 0.274 |
K/W |
|
Stienis tCH
|
Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet) |
|
0.060 0.090 0.009 |
|
K/W |
M |
Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.m. |
G |
Svars no Modulis |
|
350 |
|
g |
EN
