Diodu modulis, YMDBD1200-45, TFM1200XDM45-D200

符号

Sīkāku informāciju

参数名称

Parametrs

testu nosacījumi

Testēšanas apstākļi

skaitlis

Vērtību

vienība

Drošības un drošības politika

V RRM

重复 piekrāpju spiediens

Atkārtojamā spriegums

T C = 25 °C

4500

V

I F

virszemes tīrstrāvas

Virszemes strāvas

DC

1200

A

I Diodes uzpriekšējā strāva

正向重复峰值电流 (PVV)

Pīķa priekšējā strāva

t P = diodes maksimālā uzpriekšējā

2400

A

I FSM

浪涌电流

Sūknēšanas strāva

V R =0V, t P = 10 ms, T vj = 25 °C

TBD

A

I 2t

I 2t 值

I 2t

V R =0V, t P = 10 ms, T vj = 25 °C

530

kA 2s

V izoli

绝缘电压 (模块 )

Izolācija spriegums - par modulis

短接 visus posmus, posmus un pamatplates starpā, (Kopiņdārzi bāze plāksne), AC RMS,1 min, 50 Hz, T C = 25 °C

10200

V

Q PD

局部放电电荷 (模块 )

Daļēji izlāde - par modulis

IEC1287. V 1= 6900V, V 2= 5100V, 50Hz

RMS ,T C = 25 °C

10

pC

符号

Sīkāku informāciju

参数名称

Parametrs

条件

Testēšanas apstākļi

最小值 Min.

典型值 Tips.

maksimālais vērtība

Max.

vienība

Drošības un drošības politika

I RRM

重复 pretējā virzienā

Atkārtošanās atkārtots

pašreiz

V RM = V RRM

1

mA

V RM = V RRM , T C =125 °C

50

mA

V F

virszemes spiediens

Uz priekšu spriegums

I F = 1200A

2.70

V

I F = 1200A, T vj = 125 °C

3.10

V

Q r

atpakaļ atjaunošanas lādiņš

Atkārtots atgūšana

uzlāde

V CC = 2800V, I F =1200A, - D i F /dt = ar:

R G ((ON) =1,5Ω ,

C ĢEN = 220nF,

Garums S = 150nH,

(T vj = 125 °C).

IGBT:

Šķīdums:

T vj = 25 °C

1220

μC

T vj = 125 °C

1750

μC

I r

atpakaļ atjaunošanas strāva

Atkārtots atgūšana

pašreiz

T vj = 25 °C

1320

A

T vj = 125 °C

1420

A

E rec

atgriezenisks atjaunošanas zaudējums

Atkārtots atgūšana

enerģija

T vj = 25 °C

2.60

J

T vj = 125 °C

3.90

J