YMIBD800-17,IGBT modulis,divi slēdži IGBT,CRRC

(Simbols)

(Parametrs)

(Testa apstākļi)

(vērtība)

(Vienība)

VCES

Sildītājs-izsildītājs

V GE = 0V, TC= 25 。C

1700

V

V GES

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

TC= 25 。C

± 20

V

I C

Kolektors-izsūknis strāvas

TC = 80 。C

800

A

I C(PK)

Sildītāja maksimālais strāvas daudzums

t P=1ms

1600

A

P maks.

Maks. tranzistora jaudas izmešana

Tvj = 150 。C, TC = 25 。C

6.94

kw

I 2t

Diode I 2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125 。C

120

kA2s

Visol

Izolācijas spriegums – uz moduli

(Kopējo termināļu savienojums ar pamatni),

AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 。C

4000

V

Q PD

Daļēja izlāde – uz moduli

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25 。C

10

pC

(Sīkāku informāciju )

(Parametrs )

(Testa apstākļi)

(Min )

(Simbols )

(Maks. )

(Vienība )

I CES

Kolektors ir pārklāts ar strāvu

V GE = 0V,VCE = VCES

1

mA

V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C

25

mA

I GES

Izplūdes strāvas

V GE = ±20V, VCE = 0V

4

μA

V GE (TH)

Izmantošanas ātrums

I C = 40mA, V GE = VCE

5.00

5.70

6.50

V

VCE (sat) ((*1)

Kolektora-emisijas piesātinājuma spriegums

V GE =15V, I C = 800A

2.30

2.60

V

V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C

2.80

3.10

V

I F

Dioda virsma uz priekšu

dC DC

800

A

I FRM

Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums

t P = 1ms

1600

A

VF(*1)

Dioda priekšējā spriegums

I F = 800A

1.70

2.00

V

I F = 800A, Tvj = 125 ° C

1.80

2.10

V

C ies

Ies

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

60

mHz

Q g

NF

vārsta uzlāde

9

μC

C res

Apgādes pārneses kapacitāte

VCE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

-

mHz

L M

Moduļa induktivitāte

20

nH

R INT

Iekšējā tranzistora pretestība

270

μΩ

I SC

Īssavienojuma strāva, ISC

Tvj = 125° C, VCC = 1000V,

V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt,

IEC 6074-9

3700

A

td (izslēgt)

Izslēgšanas kavējuma laiks

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

890

ns

t f

Nolieku laiks

220

ns

E OFF

Izslēgšanas enerģijas zudumi

220

mJ

(td)

Slēgšanas kavējuma laiks

320

ns

t r

Atkāpšanās laiks

190

ns

EON

Ieslēgšanas enerģijas zudums

160

mJ

Q rr

Diodes reversās atgūšanas uzlāde

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

260

μC

I rr

Diodes reversās atgūšanas strāva

510

A

E rec

Diodes reversās atgūšanas enerģija

180

mJ

td (izslēgt)

Izslēgšanas kavējuma laiks

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

980

ns

t f

Nolieku laiks

280

ns

E OFF

Izslēgšanas enerģijas zudumi

290

mJ

(td)

Slēgšanas kavējuma laiks

400

ns

t r

Atkāpšanās laiks

250

ns

EON

Ieslēgšanas enerģijas zudums

230

mJ

Q rr

Diodes reversās atgūšanas uzlāde

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

420

μC

I rr

Diodes reversās atgūšanas strāva

580

A

E rec

Diodes reversās atgūšanas enerģija

280

mJ