GD400HFU120C2S,IGBT modulis,STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD400HFU120C2S

Vienības

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

V

I C

Kolektora strāva @ T C = 25°C

@ T C =80 °C

660

400

A

I CM (1)

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

800

A

I F

Dioda nepārtraukta tālvadība

400

A

I FM (1)

Dioda maksimālais priekšējais krustpunkts īrvalde

800

A

P D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j = 150°C

2660

Platums

T SC

Slēgtā savienojuma izturēšanās laiks @ T j =125 °C

10

μs

T j

Maksimālā savienojuma temperatūra

150

°C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

°C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Pievienošanas griezes moments

Jautājumu termināla skrūvs:M6

2,5 līdz 5.0

N.m.

Montāža Šķirbju:M6

3,0 līdz 6.0

N.m.

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR )Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1200

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde

Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis

Spriegums

I C =4,0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 °C

4.4

4.9

6.0

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

3.10

3.60

V

I C =400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 125°C

3.45

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, R G = 2,2Ω,V ĢEN = ± 15 V, T j =25 °C

680

ns

t r

Atkāpšanās laiks

142

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

638

ns

t f

Nolieku laiks

99

ns

E ieslēgta

Slēpšanas pārvēršana

Zaudējumi

19.0

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

32.5

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, R G = 2,2Ω,V ĢEN = ± 15 V, T j = 125°C

690

ns

t r

Atkāpšanās laiks

146

ns

t d (izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

669

ns

t f

Nolieku laiks

108

ns

E ieslēgta

Slēpšanas pārvēršana

Zaudējumi

26.1

mJ

E izslēgt

Izslēgtas

Zaudējumi

36.7

mJ

C 125 °C

Ies

V CE =30V,f=1MHz,

V ĢEN =0V

33.7

mHz

C ejs

Izvades jauda

2.99

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

1.21

mHz

I SC

SC dati

T P ≤ 10 μs, V ĢEN =15 V, T j =25 °C ,

V CC =600V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

R Gint

Iekšējā vārsta pretestība pretestība

0.5

ω

Garums CE

Neatklāta induktantība

18

nH

R CC + EE ’

Modula vedlejuma pretestība c) Termināls uz čipu

T C =25 °C

0.32

m ω

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =400A

T j =25 °C

1.95

2.35

V

T j = 125°C

1.85

Q r

Atgūstamā nodeva

I F =400A,

V R = 600 V,

di/dt=-2850A/μs, V ĢEN =- 15V

T j =25 °C

24.1

μC

T j = 125°C

44.3

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

T j =25 °C

220

A

T j = 125°C

295

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

T j =25 °C

13.9

mJ

T j = 125°C

24.8

Sīkāku informāciju

Parametrs

Tips.

Max.

Vienības

R θ JC

Savienojums ar lietu (pa IG) BT)

0.047

K/W

R θ JC

Savienojums ar kārtu (par D) Jods)

0.096

K/W

R θ CS

(Vidēja tauku un (attiecīgi)

0.035

K/W

G

Masas Modulis

350

g