Īsa ievads
IGBT modulis ,ražota STARPOWER .1200V 100A.
Funkcijas
- Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
- 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
- VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
-
Maksimālā savienojuma temperatūra 175 ℃
- Zema induktivitātes kārta
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
- Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju
Tipiskas lietošanas metodes
- Slēgšanas režīma barošanas avots
- Induktīvā sildīšana
- Elektriskās sārgmašīnas
Absolūta Maksimāli Reitingu rādītāji T F =25o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
Es C |
Kolektora strāva @ T C=25o C @ T C=100o C |
162
100
|
A |
Es Cm |
Impulsu kolektora strāva t p =1ms |
200 |
A |
PD |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175o C |
595 |
V |
Dioda
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums |
1200 |
V |
Es F |
Dioda nepārtraukta uz priekšu īr |
100 |
A |
Es FM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
200 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
T vjmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
o C |
T vjop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūras diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min |
2500 |
V |
IGBT Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums
|
Es C=100A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
Es C=100A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125o C |
|
2.25 |
|
Es C=100A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =150o C |
|
2.35 |
|
V ĢEN (th) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
Es C=4.0mA ,V CE =V ĢEN , T vj =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Es Tips |
Kolektors Griezts – Izslēgt Pašreizējais |
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
Es =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
Stienis Gint |
Iekšējā vārtu pretestība - - - - |
|
|
7.5 |
|
ω |
C125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V |
|
10.8 |
|
mHz |
Cpretestība |
Atgriezītais pārvedums Jauda |
|
0.30 |
|
mHz |
J G |
NF |
V ĢEN =-15 ...+15V |
|
0.84 |
|
μC |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C=100A, Stienis G=5.1Ω, V ĢEN =±15V, LS =45nH ,T vj =25o C
|
|
59 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
38 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
209 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
71 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
11.2 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
3.15 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C=100A, Stienis G=5.1Ω, V ĢEN =±15V, LS =45nH ,T vj =125o C
|
|
68 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
44 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
243 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
104 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
14.5 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
4.36 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C=100A, Stienis G=5.1Ω, V ĢEN =±15V, LS =45nH ,T vj =150o C
|
|
71 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
46 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
251 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
105 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
15.9 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
4.63 |
|
mJ |
|
Es SC
|
SC dati
|
t P≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
400
|
|
A
|
Dioda Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V F
|
Diode uz priekšu Spriegums |
Es F =100A,V ĢEN =0V,T vj =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
Es F =100A,V ĢEN =0V,T vj =125o C |
|
1.90 |
|
Es F =100A,V ĢEN =0V,T vj =150o C |
|
1.95 |
|
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F =100A,
-di/dt=961A/μs,V ĢEN =-15V LS =45nH ,T vj =25o C
|
|
7.92 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
46.4 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
2.25 |
|
mJ |
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F =100A,
-di/dt=871A/μs,V ĢEN =-15V LS =45nH ,T vj =125o C
|
|
15.0 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
54.5 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
5.08 |
|
mJ |
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F =100A,
-di/dt=853A/μs,V ĢEN =-15V LS =45nH ,T vj =150o C
|
|
18.8 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
58.9 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
6.67 |
|
mJ |
Modulis Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
LCE |
Neatklāta induktantība |
|
|
30 |
nH |
Stienis CC+EE |
Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu |
|
0.75 |
|
mΩ |
Stienis tJC |
Savienojums – līdz – Gadījums (perIGBT ) Savienojums ar korpusu (par Di) ode) |
|
|
0.252 0.446 |
K/W |
|
Stienis tCH
|
Gadījums – līdz – Siltumapdalītājs (perIGBT )Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: Modulis) |
|
0.157 0.277 0.050 |
|
K/W |
M |
Terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.m. |
G |
Svars no Modulis |
|
150 |
|
g |
EN
