Īss ievads
IGBT modulis ,izgatavots uzņēmumā STARPOWER. 1200V 200A.
Īpašības
- Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
- 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
- VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
-
Maksimālā savienojuma temperatūra 175 ℃
- Zema induktivitātes kārta
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
- Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju
Tipiskas lietošanas metodes
- Inverteris motora vadībai
- AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
- Nepārtraukta strāva nodrošināšana
Absolūta Maksimālais Reitingu rādītāji T C =25o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtības |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
T C |
Kolektora strāva @ T C =25o C
@ T C =90o C
|
297
200
|
A |
T CM |
Impulsu kolektora strāva t p =1ms |
400 |
A |
P D |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175o C |
937 |
V |
Dioda
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtības |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums |
1200 |
V |
T F |
Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde |
200 |
A |
T FM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
400 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtības |
Vienība |
T jmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
o C |
T žop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūra Darbības diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min |
2500 |
V |
IGBT Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents
Sātumapstrādes spriegums
|
T C =200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C |
|
1.75 |
2.20 |
V
|
T C =200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C |
|
2.00 |
|
T C =200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C |
|
2.05 |
|
V ĢEN (th) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
T C =5.0mA ,V CE =V ĢEN , T j =25o C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
T Tips |
Kolektors Griezts -Izslēgt
Pašreizējais
|
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
T =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
Stienis Gint |
Iekšējā vārtu pretestība - - - - |
|
|
1.0 |
|
ω |
C 125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=1MHz,
V ĢEN =0V
|
|
18.6 |
|
mHz |
C pretestība |
Atgriezītais pārvedums
Jauda
|
|
0.52 |
|
mHz |
Q G |
NF |
V ĢEN =- 15...+15V |
|
1.40 |
|
μC |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C =200A, Stienis G = 1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j =25o C
|
|
120 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
26 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
313 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
88 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
8.96 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
10.7 |
|
mJ |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C =200A, Stienis G = 1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j = 125o C
|
|
129 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
30 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
391 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
157 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
15.8 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
16.1 |
|
mJ |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C =200A, Stienis G = 1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j = 150o C
|
|
129 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
34 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
411 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
175 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
17.5 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
18.1 |
|
mJ |
|
T SC
|
SC dati
|
t P ≤ 10 μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T j =150o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V
|
|
720
|
|
A
|
Dioda Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienības |
|
V F
|
Diode uz priekšu
Spriegums
|
T F =200A,V ĢEN =0V,T j =25o C |
|
1.75 |
2.15 |
V
|
T F =200A,V ĢEN =0V,T j = 125o C |
|
1.65 |
|
T F =200A,V ĢEN =0V,T j = 150o C |
|
1.65 |
|
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F =200A,
-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25o C
|
|
18.5 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
239 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
8.08 |
|
mJ |
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F =200A,
-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =125o C
|
|
33.1 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
250 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
14.5 |
|
mJ |
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F =200A,
-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =150o C
|
|
38.4 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
259 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
15.9 |
|
mJ |
Modulis Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
L CE |
Neatklāta induktantība |
|
15 |
|
nH |
Stienis CC+EE |
Modulā "Slēpuma pretestība" nce, termināls uz čipu |
|
0.25 |
|
mΩ |
Stienis tJC |
Savienojums ar lietu (par IGB) T)
Savienojums ar korpusu (par Di) ode)
|
|
|
0.160
0.206
|
K/W |
|
Stienis tCH
|
Izmērs: IGBT)
Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)
Izmērs: Modulis)
|
|
0.036
0.046
0.010
|
|
K/W |
M |
Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
N.m. |
G |
Svars no Modulis |
|
300 |
|
g |
EN
