Īsa ievads
IGBT modulis ,izgatavots uzņēmumā STARPOWER. 1200V 200A.
Funkcijas
- Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
- 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
- VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
-
Maksimālā savienojuma temperatūra 175 ℃
- Zema induktivitātes kārta
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
- Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju
Tipiskas lietošanas metodes
- Inverteris motora vadībai
- AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
- Nepārtraukta strāva nodrošināšana
Absolūta Maksimāli Reitingu rādītāji T C=25o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
APRAKSTS |
Vērtības |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
IC |
Kolektora strāva @ T C=25o C
@ T C=90o C
|
297
200
|
A |
ICm |
Impulsu kolektora strāva t p =1ms |
400 |
A |
PD |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175o C |
937 |
V |
Dioda
Sīkāku informāciju |
APRAKSTS |
Vērtības |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums |
1200 |
V |
IF |
Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde |
200 |
A |
IFM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
400 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
APRAKSTS |
Vērtības |
Vienība |
T jmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
o C |
T žop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūra Darbības diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 mINŪTE |
2500 |
V |
IGBT Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents
Sātumapstrādes spriegums
|
IC=200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C |
|
1.75 |
2.20 |
V
|
IC=200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C |
|
2.00 |
|
IC=200A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C |
|
2.05 |
|
V ĢEN (th) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
IC=5.0mA ,V CE =V ĢEN , T j =25o C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
ITips |
Kolektors Griezts —Izslēgt
Pašreizējais
|
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
I=150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Iekšējā vārtu pretestība - - - - |
|
|
1.0 |
|
ω |
C125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=1MHz,
V ĢEN =0V
|
|
18.6 |
|
mHz |
Cpretestība |
Atgriezītais pārvedums
Jauda
|
|
0.52 |
|
mHz |
J G |
NF |
V ĢEN =- 15...+15V |
|
1.40 |
|
μC |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j =25o C
|
|
120 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
26 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
313 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
88 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
8.96 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
10.7 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j = 125o C
|
|
129 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
30 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
391 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
157 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
15.8 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
16.1 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C=200A, R G= 1. 1Ω, V ĢEN =±15V, T j = 150o C
|
|
129 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
34 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
411 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
175 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
17.5 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
18.1 |
|
mJ |
|
ISC
|
SC dati
|
t P≤ 10 μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T j =150o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V
|
|
720
|
|
A
|
Dioda Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienības |
|
V F
|
Diode uz priekšu
Spriegums
|
IF =200A,V ĢEN =0V,T j =25o C |
|
1.75 |
2.15 |
V
|
IF =200A,V ĢEN =0V,T j = 125o C |
|
1.65 |
|
IF =200A,V ĢEN =0V,T j = 150o C |
|
1.65 |
|
J r |
Atgūstamā nodeva |
V R = 600V,I F =200A,
-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25o C
|
|
18.5 |
|
μC |
IRM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
239 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
8.08 |
|
mJ |
J r |
Atgūstamā nodeva |
V R = 600V,I F =200A,
-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =125o C
|
|
33.1 |
|
μC |
IRM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
250 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
14.5 |
|
mJ |
J r |
Atgūstamā nodeva |
V R = 600V,I F =200A,
-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =- 15V T j =150o C
|
|
38.4 |
|
μC |
IRM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
259 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
15.9 |
|
mJ |
Modulis Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
LCE |
Neatklāta induktantība |
|
15 |
|
nH |
R CC+EE |
Modulā "Slēpuma pretestība" nce, termināls uz čipu |
|
0.25 |
|
mΩ |
R tJC |
Savienojums ar lietu (par IGB) T)
Savienojums ar korpusu (par Di) ode)
|
|
|
0.160
0.206
|
K/W |
|
R tCH
|
Izmērs: IGBT)
Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)
Izmērs: Modulis)
|
|
0.036
0.046
0.010
|
|
K/W |
M |
Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
N.m. |
G |
Svars no Modulis |
|
300 |
|
g |
EN
