GD450HFX120N6HY, IGBT modulis, STARPOWER

Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 450A.

Iespējas

Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
Zemas slēgšanas zudumi
6 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
Zema induktivitātes kārta
Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
Izolēta medus pinfin pamatplāke, izmantojot Si3N4 AMB tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

Automobiļu lietojums
Hibrīda un elektriskā transportlīdzeklis
Inverteris motora vadībai

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T F =25 o C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1200	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I CN	Izmantotais kolektors Cu īr	450	A
I C	Kolektora strāva @ T F =100 o C	300	A
I CRM	Atkārtošanās Pīķis Kolektors Pašreiz tp ierobežotas ar T vjop	900	A
P D	Maksimālais jaudas izmešana cijas @ T F =65 o C T vj =175 o C	1208	Platums

Dioda

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volta ģEN	1200	V
I FN	Izmantotais kolektors Cu īr	450	A
I F	Dioda nepārtraukta uz priekšu īr	300	A
I Diodes uzpriekšējā strāva	Atkārtošanās Pīķis Uz priekšu Pašreiz tp ierobežotas ar T vjop	900	A

Modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtību	Drošības un drošības politika
T vjmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	o C
T vjop	Darbības savienojuma temperatūra nepārtraukta	-40 līdz +150	o C
T STG	Uzglabāšanas temperatūras diapazons	-40 līdz +125	o C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min	2500	V
d Kāpšana	Termināls līdz Heatsink Termināls uz terminālu	7.3 7.3	mm
d Skaidrs	Termināls līdz Heatsink Termināls uz terminālu	7.3 4.0	mm

IGBT Raksturlielumi T F =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C = 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 o C		1.25	1.70	V
		I C = 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 o C		1.35
		I C = 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175 o C		1.40
		I C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25 o C		1.40
		I C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj = 150 o C		1.65
		I C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175 o C		1.70
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C = 15,6 mA ,V CE = V ĢEN , T vj =25 o C	5.8	6.4	7.0	V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25 o C			1.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25 o C			400	nA
R Gint	Iekšējā vārtu pretestība			1.67		ω
C 125 °C	Ies	V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V		81.2		mHz
C ejs	Izvades jauda			1.56		mHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda			0.53		mHz
Q G	NF	V CE = 600V,I C =450A, V ĢEN =-8...+15V		5.31		μC
t d (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C = 450A, R G =1,5Ω, Garums S =20 nH ,V ĢEN =-8V/+15V, T vj =25 o C		361		ns
t r	Atkāpšanās laiks			63		ns
t d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			729		ns
t f	Nolieku laiks			150		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi			57.8		mJ
E izslēgt	Izslēgtas Zaudējumi			34.7		mJ
t d (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C = 450A, R G =1,5Ω, Garums S =20 nH ,V ĢEN =-8V/+15V, T vj = 150 o C		406		ns
t r	Atkāpšanās laiks			81		ns
t d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			825		ns
t f	Nolieku laiks			235		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi			80.6		mJ
E izslēgt	Izslēgtas Zaudējumi			45.9		mJ
t d (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C = 450A, R G =1,5Ω, Garums S =20 nH ,V ĢEN =-8V/+15V, T vj =175 o C		420		ns
t r	Atkāpšanās laiks			84		ns
t d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			844		ns
t f	Nolieku laiks			241		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi			88.9		mJ
E izslēgt	Izslēgtas Zaudējumi			47.5		mJ
I SC	SC dati	t P ≤ 6 μs, V G E kolektora-emiteru piesātinājums		1800		A
		T vj =175 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

Dioda Raksturlielumi T F =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F = 300A,V ĢEN =0V,T vj =2 5o C		1.60		V
		I F = 300A,V ĢEN =0V,T vj = 150 o C		1.50
		I F = 300A,V ĢEN =0V,T vj =175 o C		1.45
		I F = 450A,V ĢEN =0V,T vj =2 5o C		1.80
		I F = 450A,V ĢEN =0V,T vj = 150 o C		1.75
		I F = 450A,V ĢEN =0V,T vj =175 o C		1.70
Q r	Atgūstamā nodeva	V R = 600V,I F = 450A, -di/dt=7460A/μs,V ĢEN =-8V, Garums S =20 nH ,T vj =25 o C		19.3		μC
I RM	Augstais augstums Atgūšanas strāvas			294		A
E rec	Atgriezeniska atgūšana Enerģija			8.32		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V R = 600V,I F = 450A, -di/dt=5610A/μs,V ĢEN =-8V, Garums S =20 nH ,T vj = 150 o C		49.9		μC
I RM	Augstais augstums Atgūšanas strāvas			308		A
E rec	Atgriezeniska atgūšana Enerģija			14.1		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V R = 600V,I F = 450A, -di/dt=5250A/μs,V ĢEN =-8V, Garums S =20 nH ,T vj =175 o C		56.0		μC
I RM	Augstais augstums Atgūšanas strāvas			311		A
E rec	Atgriezeniska atgūšana Enerģija			15.6		mJ

PTC Raksturlielumi T F =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
R	Nomināls Pretestība	T C =0 o C T C = 150 o C		1000 1573		ω ω
T Cr	Temperatūras koeficients n			0.38		%/K
T SH	Paša Apkure	T C =0 o C I m =0.1...0.3mA		0.4		K/mW

Modulis Raksturlielumi T F =25 o C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
Garums CE	Neatklāta induktantība		5		nH
p	Maksimālais spiediens dzesēšanas sistēmā apģērbs			2.5	bars
R tJF	Savienojums -uz -Dzesēšana Sūknis (perIGBT )Savienojums uz dzesēšanas šķidrumu (saskaņā ar D jods) △ V/ △ t=2.67 L/ min ,T F =65 o C		0.083 0.105	0.095 0.121	K/W
M	Terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis	3.6 5.4		4.4 6.6	N.m.
G	Svars of Modulis		220		g