GD1000HFA120C6S_B39, IGBT modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtības

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

IĶīna

Izmantotais kolektors Cu īr

1000

A

IC

Kolektora strāva @ T F =75o C

765

A

ICRM

Atkārtošanās Pīķis Kolektors Pašreizējais tp ierobežotas ar T vjop

2000

A

PD

Maksimālais jaudas izmešana cijas @ T F =75o C,T j =175o C

1515

V

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtības

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

IFN

Izmantotais kolektors Cu īr

1000

A

IF

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

765

A

IDiodes uzpriekšējā strāva

Atkārtošanās Pīķis Uz priekšu Pašreizējais tp ierobežotas ar T vjop

2000

A

IFSM

Pārsprieguma priekšējā strāva t p =10ms @ T vj =25o C@ T vj =150o C

4100

3000

A

I2t

I2t- vērtību ,t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

84000

45000

A2s

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtību

Vienība

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

o C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

IC=1000A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C

1.45

1.90

V

IC=1000A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125o C

1.65

IC=1000A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =175o C

1.80

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

IC=24.0mA ,V CE =V ĢEN , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ITips

Kolektors Griezts —Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25o C

1.0

mA

I=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

0.5

ω

C125 °C

Ies

V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V

51.5

mHz

Cpretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.36

mHz

J G

NF

V ĢEN =-15...+15V

13.6

μC

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C= 900A,

R G=0.51Ω, L S =40nH, V ĢEN =-8V/+15V,

T vj =25o C

330

ns

t r

Atkāpšanās laiks

140

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

842

ns

t f

Nolieku laiks

84

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

144

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

87.8

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C= 900A,

R G=0.51Ω, L S =40nH, V ĢEN =-8V/+15V,

T vj =125o C

373

ns

t r

Atkāpšanās laiks

155

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

915

ns

t f

Nolieku laiks

135

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

186

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

104

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C= 900A,

R G=0.51Ω, L S =40nH, V ĢEN =-8V/+15V,

T vj =175o C

390

ns

t r

Atkāpšanās laiks

172

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

950

ns

t f

Nolieku laiks

162

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

209

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

114

mJ

ISC

SC dati

t P≤8μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =150o C,V CC = 800V,

V CEM ≤1200V

3200

A

t P≤6μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =175o C,V CC = 800V,

V CEM ≤1200V

3000

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu Spriegums

IF =1000A,V ĢEN =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

IF =1000A,V ĢEN =0V,T vj =125o C

1.70

IF =1000A,V ĢEN =0V,T vj =175o C

1.60

J r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F = 900A,

-di/dt=4930A/μs,V ĢEN =-8V, LS =40nH ,T vj =25o C

91.0

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

441

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

26.3

mJ

J r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F = 900A,

-di/dt=4440A/μs,V ĢEN =-8V, LS =40nH ,

T vj =125o C

141

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

493

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

42.5

mJ

J r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F = 900A,

-di/dt=4160A/μs,V ĢEN =-8V, LS =40nH ,

T vj =175o C

174

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

536

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

52.4

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

R 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe no R 100

T C=100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Enerģiju

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/501/T 2— 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/801/T 2— 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/1001/T 2— 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

LCE

Neatklāta induktantība

20

nH

R CC ’+EE ’

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

0.80

mΩ

R tJF

Savienojums —līdz —Dzesēšana Sūknis (perIGBT )Savienojums uz dzesēšanas šķidrumu (saskaņā ar D jods) △V/ △t=10,0 dM 3/mINŪTE ,T F =75o C

0.066 0.092

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m.

G

Svars no Modulis

400

g

P

Maksimālais spiediens dzesēšanas ķēdē

3

stienis

∆p

Spiediena kritums Dzesēšanas Cir apģērbs

∆V/∆t=10.0dm 3/min;T F =25o C;Dzesēšanas Šķidrums=50% ūdens/50% etilēnglikols

47

bar