GD100PFX170C6SG, IGBT Modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtību

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

IC

Kolektora strāva @ T C=25o C @ T C=100o C

161

100

A

ICm

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

200

A

PD

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175o C

592

V

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtību

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1700

V

IF

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

100

A

IFM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

200

A

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtību

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1800

V

IO

Vidējā izvades strāva 5 0Hz/60Hz, sinusoida

100

A

IFSM

Pārsprieguma priekšējā strāva t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

1600

1400

A

I2t

I2t-vērtība,t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

13000

9800

A2s

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtību

Vienība

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra (inverteris) Maksimālā savienojuma temperatūra (pretējās straumes pārveidotājs)

175

150

o C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

IC=100A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=100A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C

2.25

IC=100A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C

2.35

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

IC=4.0mA ,V CE =V ĢEN , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ITips

Kolektors Griezts —Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25o C

5.0

mA

I=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība

7.5

ω

C125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

12.0

mHz

Cpretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.29

mHz

J G

NF

V ĢEN =-15 ...+15V

0.94

μC

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V ĢEN =±15V, LS =46nH ,T j =25o C

257

ns

t r

Atkāpšanās laiks

47

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

377

ns

t f

Nolieku laiks

382

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

24.6

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

16.7

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V ĢEN =±15V, LS =46nH, T j =125o C

284

ns

t r

Atkāpšanās laiks

56

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

444

ns

t f

Nolieku laiks

555

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

34.9

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

23.1

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V ĢEN =±15V, LS =46nH, T j =150o C

286

ns

t r

Atkāpšanās laiks

60

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

465

ns

t f

Nolieku laiks

636

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

38.0

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

26.1

mJ

ISC

SC dati

t P≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

400

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

IF =100A,V ĢEN =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =100A,V ĢEN =0V,T j =125o C

1.90

IF =100A,V ĢEN =0V,T j =150o C

1.95

J r

Atgūstamā nodeva

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1590A/μs,V ĢEN =-15V LS =46nH ,T j =25o C

13.3

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

107

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

8.79

mJ

J r

Atgūstamā nodeva

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1300A/μs,V ĢEN =-15V LS =46nH, T j =125o C

25.0

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

111

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

18.6

mJ

J r

Atgūstamā nodeva

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1230A/μs,V ĢEN =-15V LS =46nH, T j =150o C

28.0

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

112

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

20.4

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

IC=100A, T j =150o C

0.85

V

IR

Atpakaļgaitas strāva

T j =150o C,V R =1800V

3.0

mA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

R 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe no R 100

T C=100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Enerģiju

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/501/T 2— 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/801/T 2— 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/1001/T 2— 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

R tJC

Savienojums —līdz —Gadījums (perIGBT —inverters ) Saistība starp savienojumu un korpusu (katram DĪODA-invertoru er) Savinieks-līdz sargkorpuss (katram diodam-retif ier)

0.253 0.424 0.289

K/W

R tCH

Gadījums —līdz —Siltumapdalītājs (perIGBT —inverters )Sargkorpuss-līdz šķērslim (katram diodam-i nverters) Sargkorpuss-līdz šķērslim (katram diodam-re ctifiers) Izmērs: Modulis)

0.105 0.176 0.120 0.009

K/W

M

Monta griezes moments, Šķirbju:M5

3.0

6.0

N.m.

G

Svars no Modulis

300

g