GD100PFX170C6SG, IGBT Modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 o C @ T C =100 o C

161

100

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

200

A

P D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 o C

592

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1700

V

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

100

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

200

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1800

V

I O

Vidējā izvades strāva 5 0Hz/60Hz, sinusoida

100

A

I FSM

Pārsprieguma priekšējā strāva t p =10ms @ T j = 25o C @ T j = 150 o C

1600

1400

A

I 2t

I 2t-vērtība,t p =10ms @ T j =25 o C @ T j = 150 o C

13000

9800

A 2s

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra (inverteris) Maksimālā savienojuma temperatūra (pretējās straumes pārveidotājs)

175

150

o C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C =100A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 o C

1.85

2.20

V

I C =100A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 o C

2.25

I C =100A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 o C

2.35

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =4,0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 o C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība

7.5

ω

C 125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

12.0

mHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.29

mHz

Q G

NF

V ĢEN =-15 ...+15V

0.94

μC

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =100A, R G =4.7Ω,V ĢEN =±15V, Garums S =46 nH , T j =25 o C

257

ns

t r

Atkāpšanās laiks

47

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

377

ns

t f

Nolieku laiks

382

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

24.6

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

16.7

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =100A, R G =4.7Ω,V ĢEN =±15V, Garums S =46nH, T j =125 o C

284

ns

t r

Atkāpšanās laiks

56

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

444

ns

t f

Nolieku laiks

555

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

34.9

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

23.1

mJ

t d (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =100A, R G =4.7Ω,V ĢEN =±15V, Garums S =46nH, T j = 150 o C

286

ns

t r

Atkāpšanās laiks

60

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

465

ns

t f

Nolieku laiks

636

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

38.0

mJ

E izslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

26.1

mJ

I SC

SC dati

t P ≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

400

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F =100A,V ĢEN =0V,T j =25 o C

1.80

2.25

V

I F =100A,V ĢEN =0V,T j =1 25o C

1.90

I F =100A,V ĢEN =0V,T j =1 50o C

1.95

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1590A/μs,V ĢEN =-15V Garums S =46 nH , T j =25 o C

13.3

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

107

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

8.79

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1300A/μs,V ĢEN =-15V Garums S =46nH, T j =125 o C

25.0

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

111

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

18.6

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V R = 900V,I F =100A,

-di/dt=1230A/μs,V ĢEN =-15V Garums S =46nH, T j = 150 o C

28.0

μC

I RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

112

A

E rec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

20.4

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I C =100A, T j = 150 o C

0.85

V

I R

Atpakaļgaitas strāva

T j = 150 o C,V R =1800V

3.0

mA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

R 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe of R 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Jauda

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

R tJC

Savienojums -uz -Gadījums (perIGBT -invertors ) Saistība starp savienojumu un korpusu (katram DĪODA-invertoru er) Savinieks-līdz sargkorpuss (katram diodam-retif ier)

0.253 0.424 0.289

K/W

R tCH

Gadījums -uz -Siltumapdalītājs (perIGBT -invertors )Sargkorpuss-līdz šķērslim (katram diodam-i nverters) Sargkorpuss-līdz šķērslim (katram diodam-re ctifiers) Izmērs: Modulis)

0.105 0.176 0.120 0.009

K/W

M

Monta griezes moments, Šķirbju:M5

3.0

6.0

N.m.

G

Svars of Modulis

300

g