GD50PIX170C6SA, IGBT modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

Es C

Kolektora strāva @ T C=25o C @ T C=100o C

100

50

A

Es Cm

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

100

A

PD

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175o C

384

V

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1700

V

Es F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

50

A

Es FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

100

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1600

V

Es O

Vidējā izvades strāva 5 0Hz/60Hz, sinusoida

50

A

Es FSM

Pārvirzienu strāva V Stienis =0V,T p =10ms,T j =45o C

850

A

Es 2t

Es 2t-vērtība,V Stienis =0V,T p =10m s,T j =45o C

3610

A2s

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

Es C

Kolektora strāva @ T C=25o C @ T C=100o C

100

50

A

Es Cm

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

100

A

PD

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175o C

384

V

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1700

V

Es F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

50

A

Es FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

100

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtību

Vienība

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra (inverters, breikis) Maksimālā savienojuma temperatūra (pretējās straumes pārveidotājs)

175

150

o C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

Es C=50A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C

1.85

2.20

V

Es C=50A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C

2.25

Es C=50A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C

2.35

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

Es C=2.0mA ,V CE =V ĢEN , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Es Tips

Kolektors Griezts – Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25o C

5.0

mA

Es =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Stienis Gint

Iekšējā vārsta pretestība pretestība

9.5

ω

C125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

6.02

mHz

Cpretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.15

mHz

J G

NF

V ĢEN =-15 ...+15V

0.47

μC

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C=50A, Stienis G=9.6Ω,V ĢEN =±15V, T j =25o C

163

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

44

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

290

ns

t f

Nolieku laiks

347

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

12.7

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

7.28

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C=50A, Stienis G=9.6Ω,V ĢEN =±15V, T j =125o C

186

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

51

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

361

ns

t f

Nolieku laiks

535

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

17.9

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

11.1

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C=50A, Stienis G=9.6Ω,V ĢEN =±15V, T j =150o C

192

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

52

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

374

ns

t f

Nolieku laiks

566

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

20.0

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

12.0

mJ

Es SC

SC dati

t P≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

200

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

Es F =50A,V ĢEN =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

Es F =50A,V ĢEN =0V,T j =125o C

1.95

Es F =50A,V ĢEN =0V,T j =150o C

1.90

J stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 900V,I F =50A,

-di⁄dt=850A⁄μs,V ĢEN =-15V T j =25o C

11.8

μC

Es RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

48

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

6.08

mJ

J stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 900V,I F =50A,

-di⁄dt=850A⁄μs,V ĢEN =-15V T j =125o C

20.7

μC

Es RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

52

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

11.4

mJ

J stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 900V,I F =50A,

-di⁄dt=850A⁄μs,V ĢEN =-15V T j =150o C

23.7

μC

Es RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

54

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

13.1

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

Es F =50A, V ĢEN =0V, T j =150o C

1.14

V

Es Stienis

Atpakaļgaitas strāva

T j =150o C,V Stienis =1600V

3.0

mA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

Es C=50A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C

1.85

2.20

V

Es C=50A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C

2.25

Es C=50A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C

2.35

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

Es C=2.0mA ,V CE =V ĢEN , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Es Tips

Kolektors Griezts – Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25o C

5.0

mA

Es =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Stienis Gint

Iekšējā vārtu pretestība

9.5

ω

C125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

6.02

mHz

Cpretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.15

mHz

J G

NF

V ĢEN =-15 ...+15V

0.47

μC

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C=50A, Stienis G=9.6Ω,V ĢEN =±15V, T j =25o C

163

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

44

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

290

ns

t f

Nolieku laiks

347

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

12.7

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

7.28

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C=50A, Stienis G=9.6Ω,V ĢEN =±15V, T j =125o C

186

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

51

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

361

ns

t f

Nolieku laiks

535

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

17.9

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

11.1

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C=50A, Stienis G=9.6Ω,V ĢEN =±15V, T j =150o C

192

ns

t stienis

Atkāpšanās laiks

52

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

374

ns

t f

Nolieku laiks

566

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

20.0

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

12.0

mJ

Es SC

SC dati

t P≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

200

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

Es F =50A,V ĢEN =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

Es F =50A,V ĢEN =0V,T j =125o C

1.95

Es F =50A,V ĢEN =0V,T j =150o C

1.90

J stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 900V,I F =50A,

-di⁄dt=850A⁄μs,V ĢEN =-15V T j =25o C

11.8

μC

Es RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

48

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

6.08

mJ

J stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 900V,I F =50A,

-di⁄dt=850A⁄μs,V ĢEN =-15V T j =125o C

20.7

μC

Es RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

52

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

11.4

mJ

J stienis

Atgūstamā nodeva

V Stienis = 900V,I F =50A,

-di⁄dt=850A⁄μs,V ĢEN =-15V T j =150o C

23.7

μC

Es RM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

54

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

13.1

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

Stienis 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe no Stienis 100

T C=100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Enerģiju

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/501/T 2– 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/801/T 2– 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

Stienis 2=R 25eks [B 25/1001/T 2– 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

LCE

Neatklāta induktantība

60

nH

Stienis CC+EE Stienis AA ’+CC ’

Modulā "Slēpuma pretestība" nce, Kontakti līdz čipam

4.00 2.00

mΩ

Stienis tJC

Savienojums – līdz – Gadījums (perIGBT – inverters ) Saistība starp savienojumu un korpusu (katram DĪODA-invertoru er) Savinieks-līdz sargkorpuss (katram diodam-retif ier) Savienojums – līdz – Gadījums (perIGBT – bremze )

Savinājums līdz korpusam (par Diodu-br ake)

0.390 0.554 0.565 0.390 0.554

K/W

Stienis tCH

Gadījums – līdz – Siltumapdalītājs (perIGBT – inverters )Sargkorpuss-līdz šķērslim (katram diodam-i nverters) Sargkorpuss-līdz šķērslim (katram diodam-re ctifiers) Gadījums – līdz – Siltumapdalītājs (perIGBT – bremze )

Korpusam līdz dzesētājam (par Dio de-brake) Izmērs: Modulis)

0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009

K/W

M

Monta griezes moments, Šķirbju:M5

3.0

6.0

N.m.

G

Svars no Modulis

300

g