홈페이지 / 제품 / 캡슐형 정류 다이오드 / 빠른 꺼짐
이 T(AV) |
1200A |
V DRM |
2000V~ 3000V |
V RRM |
1000V~ 2500V |
t q |
20~75µs |
특징
전형적 응용
|
상징 |
특징 |
시험 조건 |
T j (℃) |
값 |
단위 |
||||
분 |
유형 |
최대 |
|||||||
이 T (AV ) |
평균 온 상태 전류 |
180。반 사인파 50Hz 양면 냉각, |
T C =55℃ |
125 |
|
|
1200 |
A |
|
T C =70℃ |
125 |
|
|
1000 |
A |
||||
V DRM |
반복적 최대 오프 상태 전압 |
tp=10ms |
125 |
2000 |
|
3000 |
V |
||
V RRM |
반복적 피크 역전압 |
1000 |
|
2500 |
|||||
이 DRM /IRRM |
반복적 피크 전류 |
v에서 DRM /VRRM |
125 |
|
|
80 |
mA |
||
이 TSM |
서지 온 상태 전류 |
10ms 반 사인 파동 V R =0.6V RRM |
125 |
|
|
16 |
kA |
||
이 2t |
이 2t 위한 융합 조정 |
|
|
1280 |
103A 2s |
||||
V 에 |
임계 전압 |
|
125 |
|
|
1.55 |
V |
||
r T |
온 상태 기울기 저항 |
|
|
0.40 |
mΩ |
||||
|
V TM |
피크 온 상태 전압 |
이 TM =3000A, F=24kN |
20≤tq ≤35 |
25 |
|
|
2.80 |
V |
|
36≤tq ≤60 |
|
|
2.60 |
V |
|||||
61≤tq ≤75 |
|
|
2.40 |
V |
|||||
dv/dt |
급격한 증가율 오프 상태의 전압 |
V Dm =0.67V DRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
||
di/dt |
급격한 증가율 정식 상태 현재 (비반복적) |
V Dm = 67% V DRM 에 1600A 게이트 펄스 t r ≤0.5μs 이 GM =1.5A |
125 |
|
|
1500 |
A/μs |
||
Q rr |
회복 전하 |
이 TM =1000A ,tp=4000µs, di/ dt=-20A/µs, V R =100V |
125 |
|
750 |
|
μC |
||
tq |
회로 전환 차단 시간 |
이 TM =1000A ,tp=4000µs, V R =100V dv/dt=30V/μs ,di/dt=-20A/μs |
100 |
20 |
|
75 |
μs |
||
이 GT |
게이트 트리거 전류 |
V A =12V, 이 A =1A |
25 |
40 |
|
300 |
mA |
||
V GT |
게이트 트리거 전압 |
0.9 |
|
3.0 |
V |
||||
이 H |
유지 전류 |
20 |
|
500 |
mA |
||||
이 L |
래칭 전류 |
|
|
500 |
mA |
||||
V GD |
비트리거 게이트 전압 |
V Dm =67%V DRM |
125 |
|
|
0.3 |
V |
||
R th(j-c) |
열적 저항력 접합에서 케이스까지 |
양면 냉각됨 클램핑 힘 24kN |
|
|
|
0.020 |
℃ /W |
||
R th(c-h) |
열적 저항력 케이스에서 히트 싱크 |
|
|
|
0.005 |
||||
F m |
장착 힘 |
|
|
19 |
|
26 |
kN |
||
T vj |
접점 온도 |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
||
T sTG |
저장 온도 |
|
|
-40 |
|
140 |
℃ |
||
W t |
무게 |
|
|
|
440 |
|
g |
||
개요 |
KT50cT |
||||||||
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