H50KSR, 양방향 제어 사이리스터

IT(AV)

350A

VDRM, VRRM

5600V 6000V

6500V

상징

특징

시험 조건

Tj( °C )

가치

UNIT

분

유형

최대

IT(AV)

평균 온 상태 전류

180° 반 사인파 50Hz 양면 냉각

TC=70 。C

125

350

A

IT(RMS)F

RMS 전류(사인파)

사인파 50Hz

이중 냉각

770

A

VDRM

반복 피크 역전압

tp=10ms

125

5600

6500

V

IDRM

반복 피크 전류

vDRM에서

125

200

mA

ITSM

서지 온 상태 전류

10ms 반 사인파 VR=0.6VRRM

125

4.5

kA

I2t

퓨징 조정을 위한 I2t

101

103A2s

VTO

임계 전압

125

1.25

V

르티

온 상태 기울기 저항

2.20

mΩ

VTM

피크 온 상태 전압

ITM=1000A, F=24kN

25

3.50

V

dv/dt

오프 상태 전압의 비판적 상승 속도

VDM=0.67VDRM

125

200

V/µs

di/dt

정전 전류의 급격한 증가율

VDM= 67%VDRM

게이트 펄스 트 ≤0.5μs IGM=1.5A 반복

125

100

A/µs

IGT

게이트 트리거 전류

VA=12V, IA=1A

25

40

350

mA

Vgt

게이트 트리거 전압

0.8

3.5

V

IH

유지 전류

20

400

mA

IL

래칭 전류

500

mA

VGD

비트리거 게이트 전압

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

열 저항 접합부에서 케이스까지

양면 냉각 클램핑 힘 24kN

0.045

。C /W

Rth(c-h)

케이스에서 히트 싱크까지의 열 저항

0.008

Fm

장착 힘

19

26

kN

TVj

접점 온도

-40

125

。C

TSTG

저장 온도

-40

140

。C

Wt

무게

440

g

개요

KS50dT