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간략한 소개
용접 다이오드 모듈 ,M D C 110,110A ,공기 냉각 ,tECHSEM에서 생산됨.
VRRM |
유형 및 개요 |
600V 800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V |
MDC 110-06-229H3 MDC 110-08-229H3 MDC 110-10-229H3 MDC 110-12-229H3 MDC 110-14-229H3 MDC 110-16-229H3 MDC 110-18-229H3 |
특징 :
전형적 응용 :
상징 |
특징 |
시험 조건 |
Tj( °C ) |
가치 |
UNIT |
||
분 |
유형 |
최대 |
|||||
IF(AV) |
평균 정방향 전류 |
180° 반 사인파 50Hz 단일 측면 냉각, TC=100 °C |
150 |
|
|
110 |
A |
IF(RMS) |
RMS 정방향 전류 |
|
|
173 |
A |
||
IRRM |
반복 피크 전류 |
vRRM에서 |
150 |
|
|
8 |
mA |
IFSM |
서지 정방향 전류 |
VR=60%VRRM,,t= 10ms 반사인, |
150 |
|
|
2.0 |
kA |
I2t |
퓨징 조정을 위한 I2t |
|
|
20.0 |
103A 2s |
||
VFO |
임계 전압 |
|
150 |
|
|
0.80 |
V |
rF |
정방향 기울기 저항 |
|
|
1.74 |
mΩ |
||
VFM |
피크 정방향 전압 |
IFM=330A |
25 |
|
|
1.55 |
V |
Rth(j-c) |
열 저항 접합부에서 케이스까지 |
1800 사인에서. 칩당 단일 측면 냉각 |
|
|
|
0.35 |
°C /W |
Rth(c-h) |
열 저항 케이스에서 방열판까지 |
1800 사인에서. 칩당 단일 측면 냉각 |
|
|
|
0.20 |
°C /W |
비소 |
격리 전압 |
50Hz,R.M.S,t= 1분,Iiso:1mA(최대) |
|
3000 |
|
|
V |
Fm |
단자 연결 토크(M5) |
|
|
2.5 |
|
4 |
N·m |
장착 토크(M6) |
|
|
4.5 |
|
6 |
N·m |
|
TVj |
접점 온도 |
|
|
-40 |
|
150 |
°C |
TSTG |
저장 온도 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
Wt |
무게 |
|
|
|
100 |
|
g |
개요 |
224H3 |
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