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| IT(AV) | 175A | 
| VDRM, VRRM | 5600V 6000V 6500V | 
기능 :
전형적 응용
| 
 상징 | 
 특징 | 
 시험 조건 | 
 Tj( °C ) | 값 | 
 UNIT | |||
| 분 | 유형 | 최대 | ||||||
| IT(AV) | 평균 온 상태 전류 | 180° 반 사인파 50Hz 양면 냉각 | 
 TC=70 。C | 
 125 | 
 | 
 | 175 | A | 
| IT(RMS)F | RMS 전류(사인파) | 사인파 50Hz 이중 냉각 | 
 | 
 | 385 | A | ||
| VDRM | 반복 피크 역전압 | tp=10ms | 125 | 5600 | 
 | 6500 | V | |
| IDRM | 반복 피크 전류 | vDRM에서 | 125 | 
 | 
 | 100 | mA | |
| ITSM | 서지 온 상태 전류 | 10ms 반 사인파 VR=0.6VRRM | 
 125 | 
 | 
 | 1.7 | kA | |
| I2t | 퓨징 조정을 위한 I2t | 
 | 
 | 14.5 | 103A2s | |||
| VTO | 임계 전압 | 
 | 
 125 | 
 | 
 | 1.10 | V | |
| 르티 | 온 상태 기울기 저항 | 
 | 
 | 2.30 | mΩ | |||
| VTM | 피크 온 상태 전압 | ITM=500A, F= 15kN | 25 | 
 | 
 | 3.50 | V | |
| dv/dt | 오프 상태 전압의 비판적 상승 속도 | VDM=0.67VDRM | 125 | 
 | 
 | 200 | V/μs | |
| di/dt | 정전 전류의 급격한 증가율 | VDM= 67%VDRM에서 1000A, 포트 펄스 tr ≤0.5μs IGM= 1.5A 반복 | 125 | 
 | 
 | 100 | A/μs | |
| IGT | 게이트 트리거 전류 | 
 
 VA= 12V, IA= 1A | 
 
 25 | 20 | 
 | 200 | mA | |
| Vgt | 게이트 트리거 전압 | 0.8 | 
 | 2.5 | V | |||
| IH | 유지 전류 | 20 | 
 | 150 | mA | |||
| IL | 래칭 전류 | 
 | 
 | 
 | 
 | 500 | mA | |
| VGD | 비트리거 게이트 전압 | VDM=67%VDRM | 125 | 
 | 
 | 0.3 | V | |
| Rth(j-c) | 열 저항 접합부에서 케이스까지 | 양면 냉각 클램핑 힘 15kN | 
 | 
 | 
 | 0.045 | 
 ° C /W | |
| Rth(c-h) | 케이스에서 히트 싱크까지의 열 저항 | 
 | 
 | 
 | 0.008 | |||
| Fm | 장착 힘 | 
 | 
 | 10 | 
 | 20 | kN | |
| TVj | 접점 온도 | 
 | 
 | -40 | 
 | 125 | 。C | |
| TSTG | 저장 온도 | 
 | 
 | -40 | 
 | 140 | 。C | |
| Wt | 무게 | 
 | 
 | 
 | 300 | 
 | g | |
| 개요 | KS33dT | |||||||

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