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중·저전압 트렌치(Trench) MOSFET 시리즈 제품은 N/P 20V~100V의 전압 범위를 포괄합니다. 다양한 응용 분야의 특정 성능 요구사항을 충족하기 위해 각기 다른 설계 방안이 적용되어, 각 응용 분야에서 우수한 성능을 보장합니다.
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기술적 개요
전력 반도체 저전압 트렌치 MOSFET은 기존의 평면 게이트 전계 효과 트랜지스터(FET)에서 진화해 왔다. 이러한 소자는 수평 전도 채널에서 수직 전도 채널로 전환함으로써 전도 채널을 개선하여, 단위 셀 면적을 추가로 감소시킬 수 있게 한다. 동시에, 충분한 내전압을 확보하기 위해 저농도 도핑된 에피택셜 층을 사용하며, 에피택셜 층의 도핑 농도 및 두께를 조절함으로써 다양한 정격 전압을 갖는 소자를 쉽게 구현할 수 있다. 소자의 파손 전압(Breakdown Voltage)이 요구 사양을 충족함을 보장하는 한편, 트렌치 전력 소자에 대한 중요한 개발 동향은 개별 단위 셀의 크기를 작게 하고 단위 셀 밀도를 높이는 것으로, 이를 통해 단위 면적당 온저항(On-resistance)을 낮추는 데 기여한다.
중·저전압 트렌치(Trench) MOSFET 시리즈 제품 정격 전압 범위는 N/P 20V~100V까지를 포괄한다. 다양한 특정 성능 요구 사항을 충족시키기 위해 서로 다른 설계 방안이 적용된다. 응용 각각의 응용 분야에서 뛰어난 성능을 보장하는 분야들.
제품 우위 및 경쟁력
높은 어벌런치 내구성
강한 충격 저항
완전한 제품 라인업
주요 적용 분야
DC-DC 변환기
충전기 및 어댑터
리튬 배터리 보호
모터 드라이브
동기 정류
로드 스위치
평면형 MOSFET의 개략도
| 부품 번호 |
iD(A) 25℃ |
RDS(ON)(mΩ) (VGS=10V) |
RDS(ON)(mΩ) (VGS=4.5V) |
Qg ((nc) (Vcs=10V) |
Qg ((nc) (VGS=4.5V) |
VGS (V) |
VGs(문턱전압) (V) |
포장 | ||
| 전형적인. | 최대. | 전형적인. | 최대. | 전형적인. | 전형적인. | 전형적인. | ||||
| 전압 수준 ：30V | ||||||||||
| LNNO3R040WE | 80 | 2.95 | 4 | 4.6 | 6.8 | 54 | -- | ±20 | 1.0-2.5 | DFN5*6 |
| LNNO3R050WE | 50 | 4.2 | 5 | -- | -- | 33.7 | -- | ±20 | 1.0-2.0 | DFN5*6 |
| LNNE03R078WE | 30 | 6.4 | 7.8 | 9.8 | 13 | 18.3 | -- | ±20 | 1.0-2.0 | DFN3*3 |
| 전압 수준 ：40V | ||||||||||
| LNC04R050 | 110 | 3.8 | 5 | 4.7 | 6.2 | 66.7 | -- | 20 | 1.5 | TO-220 |
| LNN04R050 | 80 | 3.8 | 5 | 4.7 | 6.2 | 66.7 | -- | 20 | 1.5 | DFN5*6 |
| LNN04R065WE | 55 | 4.8 | 6.5 | 6.8 | 9.5 | 54 | -- | ±20 | 1.1-2.2 | DFN5*6 |
| LNC04R075 | 60 | 5.6 | 7.5 | -- | -- | 51.2 | -- | ±20 | 1.5 | TO-220 |
| LNND04R120 | 20 | 7.5 | 12 | 9.5 | 16 | 25 | -- | ±20 | 1.5 | DFN5*6 |
| 전압 수준 ：60V | ||||||||||
| LNE06R079 | 90 | 6 | .5 7 | .9 7.6 | 9.5 | 69 | -- | 20 | 1.3 | TO-263 |
| 전압 수준 ：70V | ||||||||||
| LNG07R085H | 70 | 7.2 | 8.5 | -- | -- | 65.4 | -- | ±20 | 3 | TO-252 |
| LNE07R085H | 85 | 7.2 | 8.5 | -- | -- | 65.4 | -- | 20 | 3 | TO-263 |
자주 묻는 질문
Q : 저는 전기 기기 제조업체입니다. 귀사의 제품을 어떻게 선택해야 하나요?
A: 적절한 제품을 선택하는 것은 모든 사용자에게 매우 중요합니다. 고객님께서는 사용 분야와 필요한 IGBT의 주요 사양을 정확히 알려주셔야 합니다. 이에 따라 저희가 고객님의 요구사항에 부합하는 적합한 제품을 추천해 드리고, 사양 확인을 위해 제품 데이터시트를 보내드릴 것입니다.
Q: 저는 브랜드 소유주입니다. OEM 생산이 가능할까요?
A: 네, 가능합니다. 당사 전체 제품군에서 원하시는 모델을 선택하여 OEM 생산이 가능합니다. 카탈로그 외 제품의 경우, 당사 엔지니어가 고객님의 기술 요구사항에 따라 설계해 드립니다.
그런 다음 제조 계약서에 서명하십시오.
귀사는 자사 제품에 로고를 인쇄하는 업무를 당사에 위탁할 수 있으며, 또는 직접 인쇄를 완료할 수도 있습니다. 물론, 귀사가 당사에 로고 인쇄를 위탁하시려는 경우, 당사에 위임장(위임서)을 발급해 주셔야 합니다.
Q: 귀사 제품의 품질은 어떻게 보장하나요?
A: 당사의 제조 공장은 완전한 품질 관리 시스템과 최고 수준의 품질 검사 실험실을 갖추고 있습니다. 당사는 생산 과정의 핵심 단계에서 반제품에 대한 품질 검사를 실시하며, 출하 전 최종 무작위 검사를 실시합니다. 또한 검사 보고서 및 품질 인증서를 발행합니다.
Q: 공급하는 제품이 정품임을 어떻게 보장하나요?
A: (1) 당사 공장은 제품의 진위 여부를 보장하는 보증서를 작성합니다.
(2) 당사가 수출하는 모든 물품 배치는 중국 세관에서 발행한 원산지 증명서와 함께 제공됩니다. s.
저희는 IGBT 제품의 응용 분야에 집중하고 있습니다. IGBT 응용 기술을 기반으로, 당사는 고급 전력 어셈블리(Power Assemblies) 맞춤형 제품으로 사업 영역을 확장하였으며, 동시에 자동화 제어 제품 분야로도 사업을 확대하여 ADC/DAC, LDO, 계측용 증폭기(instrumentation amplifiers), 전자기 릴레이(electromagnetic relays), PhotoMOS, MOSFET 등을 취급하고 있습니다.
이를 통해 당사는 전문 분야에서 중국 내 최고 수준의 제조업체들과 협력하여 고객에게 신뢰성 높고 가성비 우수한 제품을 제공할 수 있습니다.
혁신과 탁월함이라는 원칙을 바탕으로 설립되어 반도체 대체 솔루션 및 기술 분야의 선두에 서 있습니다.
저희의 비전은 중국 생산을 통해 고객에게 대체 솔루션을 제공하고, 고객의 애플리케이션 솔루션 비용 효율성을 개선하며, 공급망의 안정성을 보장하는 것입니다.
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