홈페이지 / 제품 / 트라이스터/다이오드 모듈 / 정류 다이오드 모듈(비격리형)
간략한 소개
Diode Modules(Non-isolated Type) ,MDx 200,800V~1800V, tECHSEM에서 생산됨.
VRRM |
유형 및 개요 |
800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V |
MDx200-08-213F4 MDx200-10-213F4 MDx200-12-213F4 MDx200-14-213F4 MDx200-16-213F4 MDx200-18-213F4 |
기능 ：
전형적 응용 ：
|
상징 |
특징 |
시험 조건 |
Tj( 。C) |
값 |
UNIT |
||
분 |
유형 |
최대 |
|||||
IF(AV) |
평균 정방향 전류 |
180° 반 사인파 50Hz 단일 측면 냉각, TC=100 °C |
150 |
|
|
200 |
A |
IF(RMS) |
RMS 정방향 전류 |
|
|
314 |
A |
||
IRRM |
반복 피크 전류 |
vRRM에서 |
150 |
|
|
20 |
mA |
IFSM |
서지 정방향 전류 |
VR=60%VRRM, t=10ms 반 사이스 |
150 |
|
|
6.2 |
kA |
I2t |
퓨징 조정을 위한 I2t |
|
|
192 |
103A2s |
||
VFO |
임계 전압 |
|
150 |
|
|
0.80 |
V |
rF |
정방향 기울기 저항 |
|
|
0.96 |
m 오 |
||
VFM |
피크 정방향 전압 |
IFM=600A |
25 |
|
|
1.50 |
V |
Rth(j-c) |
열 저항 접합부에서 케이스까지 |
180에서 ° 시노스 칩당 단면 냉각 |
|
|
|
0.20 |
°C /W |
Rth(c-h) |
열 저항 케이스에서 방열판까지 |
180에서 ° 시노스 칩당 단면 냉각 |
|
|
|
0.10 |
°C /W |
|
Fm |
단자 연결 토크(M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N ·m |
장착 토크(M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N ·m |
|
TVj |
접점 온도 |
|
|
-40 |
|
150 |
°C |
TSTG |
저장 온도 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
Wt |
무게 |
|
|
|
280 |
|
g |
개요 |
213F4 |
||||||
전문 영업팀이 귀하의 문의를 기다리고 있습니다.
제품 목록을 따라가면 관심 있는 질문을 할 수 있습니다.
EN
