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IGBT 모듈 1200V

IGBT 모듈 1200V

홈페이지/제품/IGBT 모듈/IGBT 모듈 1200V

GD900SGX120C2SA_B20,IGBT 모듈,STARPOWER

1200V 900A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD900SGX120C2SA_B20
  • 소개
  • 개요
소개

간략한 소개

IGBT 모듈 , STARPOWER에서 생산됨. 1200V 900A.

주요 기능

  • 낮은 VCE(sat) 트렌치 IGBT 기술
  • 10μs 단회로 능력
  • 양의 온도 계수와 함께하는 VCE(sat)
  • 최대 접합 온도 175oC
  • 낮은 인덕턴스 케이스
  • 빠른 & 부드러운 역 회수 반 병렬 FWD
  • DBC 기술을 이용한 고립된 구리 기판

일반적인 적용 분야

  • 모터 드라이브용 인버터
  • AC 및 DC 서보 드라이브 앰프
  • 비상 전원 공급 장치

절대 최대 등급 T C=25o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

IGBT

상징

설명

값

단위

볼트 CES

컬렉터-이미터 전압

1200

볼트

볼트 GES

게이트-이미터 전압

±20

볼트

IC

콜렉터 전류 @ T C=25o C

@ T C= 100o C

1410

900

A

ICm

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

1800

A

PD

최대 전력 분산 @ T =175o C

5000

W

다이오드

상징

설명

값

단위

볼트 RRM

반복 피크 역전압

1200

볼트

IF

다이오드 연속 전면 커 임대료

900

A

IFm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

1800

A

모듈

상징

설명

값

단위

T jmax

최대 분기 온도

175

o C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

볼트 ISO

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분

4000

볼트

IGBT 특성 T C=25o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

IC=900A,V GE =15V, T j =25o C

1.80

2.25

볼트

IC=900A,V GE =15V, T j =125o C

2.10

IC=900A,V GE =15V, T j =150o C

2.15

볼트 GE (th)

게이트 발산자 문 전압

IC=22.5mA ,볼트 CE =볼트 GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

볼트

ICES

수집가 절단 -끄다

현재

볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

게이트 발사자 누출 현재

볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T j =25o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

0.6

ω

QG

게이트 요금

볼트 GE =- 15V…+15V

7.40

μC

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=900A,

R Gon = 1.5Ω,R 고프 =0.9Ω, 볼트 GE =±15V,T j =25o C

257

nS

t r

상승 시간

96

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

628

nS

t f

하강 시간

103

nS

E켜짐

켜 전환

손실

43

mJ

E끄다

그림 전환

손실

82

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=900A,

R Gon = 1.5Ω,R 고프 =0.9Ω,

볼트 GE =±15V,T j = 125o C

268

nS

t r

상승 시간

107

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

659

nS

t f

하강 시간

144

nS

E켜짐

켜 전환

손실

59

mJ

E끄다

그림 전환

손실

118

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=900A,

R Gon = 1.5Ω,R 고프 =0.9Ω,

볼트 GE =±15V,T j = 150o C

278

nS

t r

상승 시간

118

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

680

nS

t f

하강 시간

155

nS

E켜짐

켜 전환

손실

64

mJ

E끄다

그림 전환

손실

134

mJ

ISC

SC 데이터

t P≤ 10μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V,

볼트 CEM ≤1200V

3600

A

다이오드 특성 T C=25o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 F

다이오드 앞

전압

IF =900A,V GE =0V,T j =25o C

1.71

2.16

볼트

IF =900A,V GE =0V,T j = 125o C

1.74

IF =900A,V GE =0V,T j = 150o C

1.75

Qr

회복 전하

볼트 R =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

76

μC

IRM

피크 역전

회복 전류

513

A

Erec

역회복 에너지

38.0

mJ

Qr

회복 전하

볼트 R =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

143

μC

IRM

피크 역전

회복 전류

684

A

Erec

역회복 에너지

71.3

mJ

Qr

회복 전하

볼트 R =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

171

μC

IRM

피크 역전

회복 전류

713

A

Erec

역회복 에너지

80.8

mJ

모듈 특성 T C=25o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

사양

최소.

전형적인.

최대.

단위

LCE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

0.18

mΩ

R thJC

부문별 (IGB당) T)

부대와 부대 (D당) 요오드)

0.030

0.052

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-히트싱크 (p er 다이오드)

케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.016

0.027

0.010

K/W

분

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

무게 의 모듈

300

g

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