GD300MNX120C6SA, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

값

단위

볼트 CES

컬렉터-이미터 전압

1200

볼트

볼트 GES

게이트-이미터 전압

±20

볼트

나 C

콜렉터 전류 @ T C=25o C @ T C=100o C

468

300

A

나 CRM

반복적 최고 수집가 현재 tp 제한적 작성자 T vjop

600

A

PD

최대 전력 분산 @ T vj =175o C

1530

W

상징

설명

값

단위

볼트 RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

볼트

나 F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

300

A

나 FRM

반복적 최고 앞으로 현재 tp 제한적 작성자 T vjop

600

A

상징

설명

값

단위

볼트 RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

볼트

나 F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

300

A

나 FRM

반복적 최고 앞으로 현재 tp 제한적 작성자 T vjop

600

A

상징

설명

값

단위

T vjmax

최대 분기 온도

175

o C

T vjop

작동점 온도

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

볼트 ISO

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

2500

볼트

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

나 C= 300A,V GE =15V, T vj =25o C

1.70

2.15

볼트

나 C= 300A,V GE =15V, T vj =125o C

1.95

나 C= 300A,V GE =15V, T vj =150o C

2.00

볼트 GE (th)

게이트 발산자 문 전압

나 C=12.0mA ,볼트 CE =볼트 GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

볼트

나 CES

수집가 절단 -끄다 현재

볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

나 GES

게이트 발사자 누출 현재

볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T vj =25o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

2.5

ω

Cies

입력 용량

볼트 CE =25V,f=1Mhz, 볼트 GE =0V

31.1

nF

Cres

역전환 용량

0.87

nF

문의 지

게이트 요금

볼트 GE =-15 ...+15V

2.33

μC

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=300A, R 지 =2.4Ω,Ls=35nH, 볼트 GE =±15V,T vj =25o C

215

nS

t r

상승 시간

53

nS

t d(off)

그림 지연 시간

334

nS

t f

하강 시간

205

nS

E켜짐

켜 전환 손실

21.5

mJ

E끄다

그림 전환 손실

20.7

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=300A, R 지 =2.4Ω,Ls=35nH, 볼트 GE =±15V,T vj =125o C

231

nS

t r

상승 시간

59

nS

t d(off)

그림 지연 시간

361

nS

t f

하강 시간

296

nS

E켜짐

켜 전환 손실

30.1

mJ

E끄다

그림 전환 손실

28.1

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=300A, R 지 =2.4Ω,Ls=35nH, 볼트 GE =±15V,T vj =150o C

240

nS

t r

상승 시간

62

nS

t d(off)

그림 지연 시간

376

nS

t f

하강 시간

311

nS

E켜짐

켜 전환 손실

32.9

mJ

E끄다

그림 전환 손실

29.9

mJ

나 SC

SC 데이터

t P≤10μs, 볼트 GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, 볼트 CEM ≤1200V

1200

A

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

볼트 F

다이오드 앞 전압

나 F = 300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

볼트

나 F = 300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

나 F = 300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

문의 r

회복 전하

볼트 CC =600V,I F =300A,

-di⁄dt=2937A⁄μs, Ls=70nH, 볼트 GE =-15V,T vj =25o C

36.3

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

235

A

Erec

역회복 에너지

15.7

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 CC =600V,I F =300A,

-di⁄dt=2720A⁄μs, Ls=70nH, 볼트 GE =-15V,T vj =125o C

61.3

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

257

A

Erec

역회복 에너지

27.5

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 CC =600V,I F =300A,

-di⁄dt=2616A⁄μs, Ls=70nH, 볼트 GE =-15V,T vj =150o C

68.8

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

262

A

Erec

역회복 에너지

30.8

mJ

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

볼트 F

다이오드 앞 전압

나 F = 300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

볼트

나 F = 300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

나 F = 300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

문의 r

회복 전하

볼트 CC =600V,I F =300A,

-di⁄dt=5683A⁄μs,Ls=35nH, 볼트 GE =-15V,T vj =25o C

36.2

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

290

A

Erec

역회복 에너지

13.4

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 CC =600V,I F =300A,

-di/dt=4958A/μs,Ls=35nH, 볼트 GE =-15V,T vj =125o C

56.6

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

301

A

Erec

역회복 에너지

22.2

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 CC =600V,I F =300A,

-di/dt=4673A/μs,Ls=35nH, 볼트 GE =-15V,T vj =150o C

65.9

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

306

A

Erec

역회복 에너지

26.3

mJ

상징

사양

최소.

전형적인.

최대.

단위

LCE

방랑 인덕턴스

35

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

1.45

mΩ

R thJC

교차점 -~까지 -사례 (perIGBT -인버터 ) 접합부-케이스 (다이오드당-인버터 )접합부-케이스 (다이오드당-3레벨 )

0.098 0.176 0.176

K/W

R thCH

케이스-싱크 (IGBT당-인버터 )케이스-싱크 (다이오드당- )케이스-싱크 (다이오드당-3- 레벨) 케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.033 0.059 0.059 0.009

K/W

분

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 스크루브 M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

지

무게 의 모듈

350

지