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SiC 모듈

SiC 모듈

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SCE900N1200ED, SiC 모듈, 하프브리지

1200V, 900A, 1.8mΩ

Brand:
SCE
Spu:
SCE900N1200ED
Appurtenance:

제품 브로셔:다운로드

  • 서론
  • 치수 및 회로
  • 제품 카탈로그
  • 제품 카탈로그
서론

전기차, 재생에너지, 산업 자동화 및 첨단 전력 전자 기술의 급속한 발전에 따라 탄화규소(SiC) 전력 반도체는 차세대 고효율 전력 시스템을 위한 핵심 기술로 부상하고 있다.

기존 실리콘 기반 소자에 비해 SiC 소자는 높은 스위칭 주파수, 낮은 스위칭 손실, 높은 온도 내성, 향상된 전력 밀도 등 여러 기술적 이점을 제공합니다. 이러한 특성은 시스템 효율을 향상시키고, 에너지 소비를 줄이며, 보다 소형화되고 경량화된 시스템 설계를 지원합니다.

고성능 전력 반도체에 대한 급증하는 시장 수요를 충족하기 위해, 당사는 SiC 기반 제품군을 완전히 갖춘 포트폴리오로 확장하고 있습니다. 제품 및 솔루션입니다. 당사의 SiC 제품 라인에는 다음이 포함됩니다:

  • SiC MOSFET 모듈

  • SiC MOSFET 분리형 소자

  • SiC 슈트키 배리어 다이오드(SBD)

  • 풀-SiC 전력 솔루션

당사 제품은 다음과 같은 다양한 산업 및 응용 분야에 적용될 수 있습니다:

  • 전기차(EV)

  • 에너지 저장 시스템(ESS)

  • 태양광 인버터

  • 산업용 인버터 및 모터 드라이브

  • EV 충전 시스템

  • 전원 공급 장비

  • 산업 자동화 시스템

  • 철도 및 고전력 산업용 응용 분야

고객사의 성능, 패키지 유형, 비용 최적화, 그리고 환경에 대한 요구 사항이 다양할 수 있음을 이해합니다. 응용 분야 따라서 표준 제품 외에도, 고객사의 프로젝트 요구 사항에 따라 제품 선정 및 응용 분야 매칭을 지원하고자 합니다.

SiC 기술이 지속적으로 발전하고 글로벌 시장에서 보다 광범위하게 채택됨에 따라, 향후 에너지 및 산업 응용 분야를 위한 신뢰성 높고 효율적인 SiC 전력 반도체 솔루션을 제공하기 위해 전 세계 고객사 및 파트너와 협력해 나가기를 기대합니다.

SCE900N1200ED
SiC 모듈

특징

  • 고온·고습·바이어스 동작
  • 초저손실
  • 고주파 작동
  • MOSFET의 턴오프 트레일 전류 제로
  • 노멀리-오프(Normally-off), 고장 안전(Fail-safe) 장치 동작
  • 구리 베이스플레이트 및 알루미나이트 절연체

응용 분야

  • 고전력 컨버터
  • 모터 드라이브
  • 세르보 드라이브
  • UPS 시스템
  • 풍력 터빈

상징

파라미터

가치

단위

시험 조건

절대 최대 등급

V Ds

드레인-소스 전압

1200

V

T C =25°C

D

배출 전류 (연속)

900

A

T C =25°C

T J

접점 온도

175

C

상징

파라미터

최소.

전형적인.

최대.

단위

시험 조건

정적 특성 ics

R DS(온)

정적 배출-소스 온 저항력

-

1.8

2.5

V Gs =18V; D =450A; T C =25°C

동적 특성

Q G

총 게이트 충전

-

2142

-

nC

V DD =800V; V Gs =-5/+18V; D =450A; T C =25°C

Q GD

게이트-드레인 전하량

-

705

-

소스-드레인 다이오드

Q Rr

역회복 충전

-

5517

-

nC

V Gs =-5/+18V; F =500A; V R =900V; 부하=100µH; T J =25°C

절대 최대 등급 (at T C =25°C 아니면 그렇지 않으면 지정된 )

치수 및 회로

CE900N1200ED.png电路图.png

제품 카탈로그
Ed VDS: 650~1700V, ID: 210~1000A, RDS(on): 1.3~8.7mΩ
제품 스킥 VDS RDS(on) @25℃ ID
SCE800N650ED 650V 1.5mΩ 800A
SCE400N650ED 650V 3mΩ 400A
SCE1P5N1200ED-A 1200V 1.3mΩ 1000A
SCE1P5N1200ED-G 1200V 1.3mΩ 1000A
SCE900N1200ED 1200V 1.8mΩ 900A
SCE800N1200ED 1200V 2mΩ 800A
SCE600N1200ED 1200V 2.7mΩ 600A
SCR2P7N1200ED-X 1200V 2.7mΩ 430A
SCE400N1200ED 1200V 4mΩ 400A
SCE400N1200EDF 1200V 4mΩ 400A
SCR4N1200ED-X 1200V 4mΩ 400A
SCE300N1200ED 1200V 5.3mΩ 300A
SCR8N1200ED 1200V 7.5mΩ 210A
SCR8N1200EDF 1200V 7.5mΩ 180A
SCR2P2N1700ED-G 1700V 1.75mΩ 1000A
SCE900N1700ED 1700V 2.8mΩ 900A
SCE800N1700ED 1700V 3.2mΩ 800A
SCE600N1700ED 1700V 4.3mΩ 600A
SCE600N1700EDH 1700V 4.3mΩ 600A
SCE500N1700ED 1700V 5.2mΩ 500A
SCE400N1700ED 1700V 6.5mΩ 400A
SCE300N1700ED 1700V 8.7mΩ 300A
SCE300N1700ED 1700V 8.7mΩ 300A

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