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간략한 소개
IGBT 모듈 , 3레벨 ,sTARPOWER에서 제작. 1200V 200A.
기능
전형적 응용
절대 최대 등급 T C =25 o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
T1-T4 IGBT
| 상징 | 설명 | 값 | UNIT | 
| V CES | 컬렉터-이미터 전압 | 1200 | V | 
| V GES | 게이트-이미터 전압 | ±20 | V | 
| I C | 콜렉터 전류 @ T C =25 o C @ T C = 100o C | 337 200 | A | 
| I 센티미터 | 펄스 콜렉터 전류 t p =1ms | 400 | A | 
| P D | 최대 전력 분산 @ T j =175 o C | 1162 | W | 
D1-D4 다이오드
| 상징 | 설명 | 값 | UNIT | 
| V RRM | 반복 피크 역전압 | 1200 | V | 
| I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 | 다이오드 연속 전면 커 임대료 | 200 | A | 
| I Fm | 다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms | 400 | A | 
D5,D6 다이오드
| 상징 | 설명 | 값 | UNIT | 
| V RRM | 반복 피크 역전압 | 1200 | V | 
| I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 | 다이오드 연속 전면 커 임대료 | 200 | A | 
| I Fm | 다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms | 400 | A | 
모듈
| 상징 | 설명 | 값 | UNIT | 
| T jmax | 최대 분기 온도 | 175 | o C | 
| T jop | 작동점 온도 | -40에서 +150 | o C | 
| T STG | 보관 온도 범위 | -40에서 +125 | o C | 
| V Iso | 격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분 | 2500 | V | 
T1-T4 IGBT 특성 T C =25 o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
| 상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | UNIT | 
| 
 
 V CE (sat) | 
 
 수집자로부터 발산자 포화전압 | I C =200A,V GE =15V, T j =25 o C | 
 | 1.70 | 2.15 | 
 
 V | 
| I C =200A,V GE =15V, T j =125 o C | 
 | 1.95 | 
 | |||
| I C =200A,V GE =15V, T j =150 o C | 
 | 2.00 | 
 | |||
| V GE (번째 ) | 게이트 발산자 문 전압 | I C =5.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C | 5.2 | 6.0 | 6.8 | V | 
| I CES | 수집가 절단 -끄다 전류 | V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C | 
 | 
 | 1.0 | mA | 
| I GES | 게이트 발사자 누출 전류 | V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C | 
 | 
 | 400 | 부적절함 | 
| R Gint | 내부 게이트 저항 ance | 
 | 
 | 4.0 | 
 | ω | 
| C ies | 입력 용량 | V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V | 
 | 20.7 | 
 | nF | 
| C res | 역전환 용량 | 
 | 0.58 | 
 | nF | |
| Q G | 게이트 요금 | V GE =- 15...+15V | 
 | 1.55 | 
 | μC | 
| t d (에 ) | 턴온 지연 시간 | 
 
 V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω, V GE =±15V, T j =25 o C | 
 | 150 | 
 | nS | 
| t r | 상승 시간 | 
 | 32 | 
 | nS | |
| t d (끄다 ) | 그림 지연 시간 | 
 | 330 | 
 | nS | |
| t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 | 하강 시간 | 
 | 93 | 
 | nS | |
| E 에 | 켜 Switching 손실 | 
 | 11.2 | 
 | mJ | |
| E 끄다 | 그림 전환 손실 | 
 | 11.3 | 
 | mJ | |
| t d (에 ) | 턴온 지연 시간 | 
 
 V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω, V GE =±15V, T j = 125o C | 
 | 161 | 
 | nS | 
| t r | 상승 시간 | 
 | 37 | 
 | nS | |
| t d (끄다 ) | 그림 지연 시간 | 
 | 412 | 
 | nS | |
| t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 | 하강 시간 | 
 | 165 | 
 | nS | |
| E 에 | 켜 Switching 손실 | 
 | 19.8 | 
 | mJ | |
| E 끄다 | 그림 전환 손실 | 
 | 17.0 | 
 | mJ | |
| t d (에 ) | 턴온 지연 시간 | 
 
 V CC =600V,I C =200A, R G = 1. 1Ω, V GE =±15V, T j = 150o C | 
 | 161 | 
 | nS | 
| t r | 상승 시간 | 
 | 43 | 
 | nS | |
| t d (끄다 ) | 그림 지연 시간 | 
 | 433 | 
 | nS | |
| t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 | 하강 시간 | 
 | 185 | 
 | nS | |
| E 에 | 켜 Switching 손실 | 
 | 21.9 | 
 | mJ | |
| E 끄다 | 그림 전환 손실 | 
 | 19.1 | 
 | mJ | |
| 
 I SC | 
 SC 데이터 | t P ≤ 10μs,V GE =15V, T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤1200V | 
 | 
 800 | 
 | 
 A | 
D1-D4 다이오드 특성 T C =25 o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
| 상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | 유닛 | 
| 
 V 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 | 다이오드 앞 전압 | I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =200A,V GE =0V,T j =25 o C | 
 | 1.65 | 2.10 | 
 V | 
| I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =200A,V GE =0V,T j = 125o C | 
 | 1.65 | 
 | |||
| I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =200A,V GE =0V,T j = 150o C | 
 | 1.65 | 
 | |||
| Q r | 회복 전하 | V R =600V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C | 
 | 17.6 | 
 | μC | 
| I RM | 피크 역전 회복 전류 | 
 | 228 | 
 | A | |
| E rec | 역회복 에너지 | 
 | 7.7 | 
 | mJ | |
| Q r | 회복 전하 | V R =600V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125 o C | 
 | 31.8 | 
 | μC | 
| I RM | 피크 역전 회복 전류 | 
 | 238 | 
 | A | |
| E rec | 역회복 에너지 | 
 | 13.8 | 
 | mJ | |
| Q r | 회복 전하 | V R =600V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150 o C | 
 | 36.6 | 
 | μC | 
| I RM | 피크 역전 회복 전류 | 
 | 247 | 
 | A | |
| E rec | 역회복 에너지 | 
 | 15.2 | 
 | mJ | 
D5,D6 다이오드 특성 T C =25 o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
| 상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | 유닛 | 
| 
 V 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 | 다이오드 앞 전압 | I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =200A,V GE =0V,T j =25 o C | 
 | 1.65 | 2.10 | 
 V | 
| I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =200A,V GE =0V,T j = 125o C | 
 | 1.65 | 
 | |||
| I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =200A,V GE =0V,T j = 150o C | 
 | 1.65 | 
 | |||
| Q r | 회복 전하 | V R =600V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C | 
 | 17.6 | 
 | μC | 
| I RM | 피크 역전 회복 전류 | 
 | 228 | 
 | A | |
| E rec | 역회복 에너지 | 
 | 7.7 | 
 | mJ | |
| Q r | 회복 전하 | V R =600V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =125 o C | 
 | 31.8 | 
 | μC | 
| I RM | 피크 역전 회복 전류 | 
 | 238 | 
 | A | |
| E rec | 역회복 에너지 | 
 | 13.8 | 
 | mJ | |
| Q r | 회복 전하 | V R =600V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =200A, -di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T j =150 o C | 
 | 36.6 | 
 | μC | 
| I RM | 피크 역전 회복 전류 | 
 | 247 | 
 | A | |
| E rec | 역회복 에너지 | 
 | 15.2 | 
 | mJ | 
NTC 특성 T C =25 o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
| 상징 | 매개변수 | 시험 조건 | 최소. | 전형적인. | 최대. | UNIT | 
| R 25 | 등급 저항 | 
 | 
 | 5.0 | 
 | kΩ | 
| δR/R | 오차 of R 100 | T C = 100 o C,R 100=493.3Ω | -5 | 
 | 5 | % | 
| P 25 | 전력 소산 | 
 | 
 | 
 | 20.0 | mW | 
| B 25/50 | B값 | R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))] | 
 | 3375 | 
 | K | 
| B 25/80 | B값 | R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))] | 
 | 3411 | 
 | K | 
| B 25/100 | B값 | R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))] | 
 | 3433 | 
 | K | 
모듈 특성 T C =25 o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
| 상징 | 매개변수 | 최소. | 전형적인. | 최대. | UNIT | 
| 
 R thJC | 접합부-케이스 (T당 1-T4 IGBT) 접합부-케이스 (D1-D4 다이오드당) 오드) 접합부-케이스 (D5,D6 다이오드당) de) | 
 | 
 | 0.129 0.237 0.232 | K/W | 
| 
 R thCH | 케이스-히트싱크 (per T1-T4 IGBT) 케이스-히트싱크 (D1-D4당) 다이오드) 케이스-히트싱크 (D5,D6 기준) 다이오드) 케이스-히트싱크 (per 모듈) | 
 | 0.073 0.134 0.131 0.010 | 
 | 
 K/W | 
| M | 단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6 | 2.5 3.0 | 
 | 5.0 5.0 | 
 | 
| G | 무게 of 모듈 | 
 | 340 | 
 | g | 


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