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간략한 소개
용접 사이리스터 모듈 ,M FC55 ，55A, 공기 냉각 ,tECHSEM에서 생산됨.
VRRM,VDRM |
유형 및 개요 |
|
800V 1000V 1200V 1400V 1600V 1800V |
MFC55-08-224H3 MFC55-10-224H3 MFC55-12-224H3 MFC55-14-224H3 MFC55-16-224H3 MFC55-18-224H3 |
기능 ：
전형적 응용 ：
|
상징 |
특징 |
시험 조건 |
Tj( °C ) |
값 |
UNIT |
||
분 |
유형 |
최대 |
|||||
IT(AV) |
평균 온 상태 전류 |
180° 반 사인파 50Hz 단일 측면 냉각, TC=85 °C |
125 |
|
|
55 |
A |
IT(RMS) |
RMS 온 상태 전류 |
|
|
86 |
A |
||
Idrm Irrm |
반복 피크 전류 |
vDRM에서 VRRM에서 |
125 |
|
|
15 |
mA |
ITSM |
서지 온 상태 전류 |
VR=60%VRRM,,t= 10ms 반사인, |
125 |
|
|
1.7 |
kA |
I2t |
퓨징 조정을 위한 I2t |
125 |
|
|
14.5 |
103A2s |
|
VTO |
임계 전압 |
|
125 |
|
|
0.75 |
V |
르티 |
온 상태 기울기 저항 |
|
|
4.05 |
mΩ |
||
VTM |
피크 온 상태 전압 |
ITM= 170A |
25 |
|
|
1.60 |
V |
dv/dt |
오프 상태 전압의 비판적 상승 속도 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
정전 전류의 급격한 증가율 |
게이트 소스 1.5A tr ≤0.5μs 반복 |
125 |
|
|
200 |
A/μs |
IGT |
게이트 트리거 전류 |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
30 |
|
200 |
mA |
Vgt |
게이트 트리거 전압 |
0.6 |
|
2.5 |
V |
||
IH |
유지 전류 |
10 |
|
250 |
mA |
||
IL |
래칭 전류 |
|
|
1000 |
mA |
||
VGD |
비트리거 게이트 전압 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
V |
Rth(j-c) |
열 저항 접합부에서 케이스까지 |
1800 사인에서. 칩당 단일 측면 냉각 |
|
|
|
0.470 |
°C /W |
Rth(c-h) |
열 저항 케이스에서 방열판까지 |
1800 사인에서. 칩당 단일 측면 냉각 |
|
|
|
0.150 |
°C /W |
비소 |
격리 전압 |
50Hz,R.M.S,t= 1분,Iiso:1mA(최대) |
|
3000 |
|
|
V |
|
Fm |
단자 연결 토크(M5) |
|
|
2.5 |
|
4.0 |
N·m |
장착 토크(M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
|
TVj |
접점 온도 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
TSTG |
저장 온도 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
Wt |
무게 |
|
|
|
100 |
|
g |
개요 |
224H3 |
||||||
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