Y50KAD,고주파 사이리스터

I T(AV)

1260A

V DRM v RRM

1200V 1400V

tq

12~28μs

상징

특징

시험 조건

Tj( °C )

가치

UNIT

분

유형

최대

IT(AV)

평균 온 상태 전류

180° 반사인파 50Hz 이중 측면 냉각,

TC=55 。C

125

1260

A

VDRM VRRM

반복 피크 오프 상태 전압 반복 피크 역전압

tp=10ms

125

1100

1400

V

Idrm Irrm

반복 피크 오프 상태 전류 반복 피크 역전류

vDRM에서 VRRM에서

125

80

mA

ITSM

서지 온 상태 전류

10ms 반 사인파 VR=0.6VRRM

125

16.3

kA

I2t

퓨징 조정을 위한 I2t

1328

A2s*103

VTO

임계 전압

125

1.65

V

르티

온 상태 슬로프 저항

0.36

mΩ

VTM

피크 온 상태 전압

ITM=2400A, F=24kN

25

3.20

V

dv/dt

오프 상태 전압의 비판적 상승 속도

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

정전 전류의 급격한 증가율

VDM= 67%VDRM, 2000A까지

게이트 펄스 tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

회복 전하

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

87

100

μC

tq

회로 전환 차단 시간

ITM=1000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

12

28

μs

IGT

게이트 트리거 전류

VA=12V, IA=1A

25

30

250

mA

Vgt

게이트 트리거 전압

0.8

3.0

V

IH

유지 전류

20

400

mA

IL

래칭 전류

500

mA

VGD

비트리거 게이트 전압

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

열 저항 접합부에서 케이스까지

1800 사인파에서, 양면 냉각 클램핑 힘 24kN

0.020

。C /W

Rth(c-h)

케이스에서 히트 싱크까지의 열 저항

0.005

Fm

장착 힘

19

26

kN

TVj

접점 온도

-40

125

。C

TSTG

저장 온도

-40

140

。C

Wt

무게

440

g

개요

KT50cT