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I T(AV) |
1260A |
V DRM v RRM |
1200V 1400V |
tq |
12~28μs |
기능
전형적 응용
|
상징 |
특징 |
시험 조건 |
Tj( °C ) |
값 |
UNIT |
|||
분 |
유형 |
최대 |
||||||
IT(AV) |
평균 온 상태 전류 |
180° 반사인파 50Hz 이중 측면 냉각, |
TC=55 。C |
125 |
|
|
1260 |
A |
VDRM VRRM |
반복 피크 오프 상태 전압 반복 피크 역전압 |
tp=10ms |
125 |
1100 |
|
1400 |
V |
|
Idrm Irrm |
반복 피크 오프 상태 전류 반복 피크 역전류 |
vDRM에서 VRRM에서 |
125 |
|
|
80 |
mA |
|
ITSM |
서지 온 상태 전류 |
10ms 반 사인파 VR=0.6VRRM |
125 |
|
|
16.3 |
kA |
|
I2t |
퓨징 조정을 위한 I2t |
|
|
1328 |
A2s*103 |
|||
VTO |
임계 전압 |
|
125 |
|
|
1.65 |
V |
|
르티 |
온 상태 슬로프 저항 |
|
|
0.36 |
mΩ |
|||
VTM |
피크 온 상태 전압 |
ITM=2400A, F=24kN |
25 |
|
|
3.20 |
V |
|
dv/dt |
오프 상태 전압의 비판적 상승 속도 |
VDM=0.67VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
|
di/dt |
정전 전류의 급격한 증가율 |
VDM= 67%VDRM, 2000A까지 게이트 펄스 tr ≤0.5μs IGM=1.5A |
125 |
|
|
1500 |
A/μs |
|
Qrr |
회복 전하 |
ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V |
125 |
|
87 |
100 |
μC |
|
tq |
회로 전환 차단 시간 |
ITM=1000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs |
125 |
12 |
|
28 |
μs |
|
IGT |
게이트 트리거 전류 |
VA=12V, IA=1A |
25 |
30 |
|
250 |
mA |
|
Vgt |
게이트 트리거 전압 |
0.8 |
|
3.0 |
V |
|||
IH |
유지 전류 |
20 |
|
400 |
mA |
|||
IL |
래칭 전류 |
|
|
500 |
mA |
|||
VGD |
비트리거 게이트 전압 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.3 |
V |
|
Rth(j-c) |
열 저항 접합부에서 케이스까지 |
1800 사인파에서, 양면 냉각 클램핑 힘 24kN |
|
|
|
0.020 |
。C /W |
|
Rth(c-h) |
케이스에서 히트 싱크까지의 열 저항 |
|
|
|
0.005 |
|||
Fm |
장착 힘 |
|
|
19 |
|
26 |
kN |
|
TVj |
접점 온도 |
|
|
-40 |
|
125 |
。C |
|
TSTG |
저장 온도 |
|
|
-40 |
|
140 |
。C |
|
Wt |
무게 |
|
|
|
440 |
|
g |
|
개요 |
KT50cT |
|||||||
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