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간략한 소개
타이리스터/다이오드 모듈, MTx 400 MFx 400 MT 400，400A ,물 냉각 ，tECHSEM에서 생산됨.
VRRM,VDRM |
유형 및 개요 |
|
600V |
MT3 수소수 |
MFx400-06-405F3 |
800V |
MT3 수소수 |
MFx400-08-405F3 |
1000V |
MTx400-10-405F3 |
MFx400-10-405F3 |
1200V |
MTx400-12-405F3 |
MFx400-12-405F3 |
1400V |
MTx400-14-405F3 |
MFx400-14-405F3 |
1600V |
MTx400-16-405F3 |
MFx400-16-405F3 |
1800V |
MTx400-18-405F3 |
MFx400-18-405F3 |
1800V |
MT400-18-405F3G |
|
MTx는 모든 종류 MTC ,MTA ,MTK
MFx는 모든 종류 MFC ,MFA ,MFK
기능
전형적 응용
|
상징 |
특징 |
시험 조건 |
Tj( °C ) |
값 |
UNIT |
||
분 |
유형 |
최대 |
|||||
IT(AV) |
평균 온 상태 전류 |
180。반 사인파 50Hz 단면 냉각, THS=55 °C |
125 |
|
|
400 |
A |
IT(RMS) |
RMS 온 상태 전류 |
|
|
628 |
A |
||
Idrm Irrm |
반복 피크 전류 |
vDRM에서 VRRM에서 |
125 |
|
|
35 |
mA |
ITSM |
서지 온 상태 전류 |
VR=60%VRRM, t=10ms 반 사이스 |
125 |
|
|
12.5 |
kA |
I2t |
퓨징 조정을 위한 I2t |
125 |
|
|
781 |
103A2s |
|
VTO |
임계 전압 |
|
125 |
|
|
0.80 |
V |
르티 |
온 상태 기울기 저항 |
|
|
0.80 |
mΩ |
||
VTM |
피크 온 상태 전압 |
ITM=1200A |
25 |
|
|
1.90 |
V |
dv/dt |
오프 상태 전압의 비판적 상승 속도 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
정전 전류의 급격한 증가율 |
게이트 소스 1.5A tr ≤0.5μs 반복 |
125 |
|
|
200 |
A/μs |
IGT |
게이트 트리거 전류 |
VA=12V, IA=1A |
25 |
30 |
|
200 |
mA |
Vgt |
게이트 트리거 전압 |
0.8 |
|
3.0 |
V |
||
IH |
유지 전류 |
10 |
|
200 |
mA |
||
IL |
래칭 전류 |
|
|
1000 |
mA |
||
VGD |
비트리거 게이트 전압 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
V |
Rth(j-c) |
열 저항 접합부에서 케이스까지 |
칩당 단면 냉각 |
|
|
|
0.11 |
°C /W |
Rth(c-h) |
열 저항 케이스에서 방열판까지 |
칩당 단면 냉각 |
|
|
|
0.04 |
°C /W |
비소 |
격리 전압 |
50Hz, R.M.S, t=1분, Iiso: 1mA(최대) |
|
3000 |
|
|
V |
|
Fm |
터미널 연결 토크 (M12) |
|
|
12 |
|
14 |
N·m |
장착 토크(M6) |
|
|
4.5 |
|
6 |
N·m |
|
TVj |
접점 온도 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
TSTG |
저장 온도 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
Wt |
무게 |
|
|
|
1060 |
|
g |
개요 |
405F3 |
||||||
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