IGBT 모듈,YMIF1500-33 | I1-03,단일 스위치 IGBT,48mm,CRRC

参数

符号

조건

최소값

特征값

최대값

单 位

极-发射极短路时的 집합 전압-발사 전압

V (BR )CES

V GE =0V, I C =10 mA ,T vj =25°C

3300

V

집전극－발전극 포화 전압

V CEsat

I C =1500A,V GE =15V

T vj =25°C

24

2.9

V

T vj =125°C

2.95

3.4

V

T vj =150°C

3.1

3.6

集电极截止电流 전류

I CES

V CE =3300V,V GE =0V

T vj =25°C

1

mA

T vj =125°C

90

mA

T vj =150°C

150

极漏电流

I GES

V CE =0V, V GE = ± 20V, T vj =125°C

1

uA

极- 발사极값 전압

V GE (번째 )

I C =240 mA ,V CE = V GE ,T vj =25°C

5.5

7

V

极电荷

Q G

I C =1500A,V CE =1800V, V GE =-15V..15V

25

μC

输入电容

C ies

V CE =25V,V GE =0V,f=1MHz, T vj =25°C

260

nF

역전달 용량

C res

6

开通延迟

t d(on)

V CC =1800V,I C =1500A,

V GE =±15V,Cge=330nF,

R G （에 ）=1.0 ω ,R G （끄다 ）=1.5 ω ,

L σ =150nH,

感性负载

T vj =25°C

750

nS

T vj =125°C

730

T vj =150°C

730

上升时间

t r

T vj =25°C

340

T vj =125°C

360

T vj =150°C

360

关断延迟

t d(off)

V CC =1800V,I C =1500A,

V GE =±15V,Cge=330nF,

R G （에 ）=1.0 ω ,R G （끄다 ）=1.5 ω ,

L σ =150nH,

感性负载

T vj =25°C

2100

nS

T vj =125°C

2250

T vj =150°C

2290

下降时间

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

T vj =25°C

540

T vj =125°C

570

T vj =150°C

580

开通能量

E 에

V CC =1800V,I C =1500A,

V GE =±15V,Cge=330nF,

R G （에 ）=1.0 ω ,R G （끄다 ）=1.5 ω ,

L σ =150nH,

感性负载

T vj =25°C

1450

mJ

T vj =125°C

1900

T vj =150°C

2100

关断能量

E 끄다

V CC =1800V,I C =1500A,

V GE =±15V,Cge=330nF,

R G （에 ）=1.0 ω ,R G （끄다 ）=1.5 ω ,

L σ =150nH,

感性负载

T vj =25°C

2400

mJ

T vj =125°C

2950

T vj =150°C

3200

参数

符号

조건

최소값

特征값

최대값

단위

다이오드 정방향 평균 전압

V 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =1500A

T vj =25°C

2.15

2.6

V

T vj =125°C

2.25

2.7

T vj =150°C

2.25

2.7

역향 회복 전류

I rr

V CC =1800V,

I C =1500A,

d iF /dt=4800A/

미국

T vj =25°C

1250

A

T vj =125°C

1420

A

T vj =150°C

1150

역 복구 전하

Q rr

T vj =25°C

880

μC

T vj =125°C

1800

μC

T vj =150°C

1980

역향 회복 에너지

E rec

T vj =25°C

1550

mJ

T vj =125°C

2450

T vj =150°C

2720