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비대칭 IGCT(A-IGCT)

비대칭 IGCT(A-IGCT)

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비대칭 IGCT 장치, YT-ASC40L6500IC

6500V 4000A

Brand:
YT
Spu:
YT-ASC40L6500IC
Appurtenance:

제품 브로슈어:다운로드

  • 소개
  • 개요
소개

간략한 소개

비대칭 통합 게이트-전환 티라이스터(A-IGCT) 모듈은 고전압 및 고전류 전력 변환 응용 분야를 위해 설계된 첨단 고출력 반도체 소자이다. 티라이스터 기술의 장점과 현대식 게이트 제어 스위칭 기술을 결합하여, A-IGCT 모듈은 낮은 도통 손실, 높은 전류 용량, 우수한 스위칭 특성을 갖춘 뛰어난 전기적 성능을 제공한다.

첨단 프레스팩 패키징 기술을 기반으로 한 A-IGCT 모듈은 뛰어난 기계적 강도, 효율적인 양면 냉각 능력, 그리고 뛰어난 열 사이클 신뢰성을 제공한다. 이러한 특성은 엄격한 산업 환경 및 고출력 전자 시스템에서 안정적이고 신뢰성 높은 작동을 가능하게 한다.

우수한 전압 및 전류 처리 능력을 갖춘 A-IGCT 모듈은 고전압 전력 변환 응용 분야에 최적화되어, 시스템 설계자가 더 높은 효율성, 개선된 신뢰성, 그리고 전체 시스템 손실 감소를 달성할 수 있도록 지원한다.

주요 장점

  • 대규모 전력 변환 시스템을 위한 고전압 및 고전류 성능;
  • 에너지 변환 효율 향상을 위한 낮은 도통 손실;
  • 양면 냉각 기능을 갖춘 고급 프레스-팩 패키지 설계;
  • 장기 산업용 운전을 위한 뛰어난 열 사이클 신뢰성;
  • 높은 단락회로 내성 및 과부하 성능;
  • 고출력, 고전압, 고신뢰성 전력 전자 시스템을 위해 설계됨.

적용 분야

  • 고전압 가변 주파수 구동 장치(HV 드라이브);
  • 철도 견인 변환기;
  • 고압 직류 송전(HVDC);
  • 유연한 교류 송전 시스템(FACTS);
  • 산업용 정류 시스템 및 고출력 산업용 전원 공급 장치;
  • 재생 에너지 변환 시스템;
  • 에너지 저장 및 계통 연계 전력 변환 시스템.

A-IGCT 모듈은 차세대 고출력 전자 장치 및 고전압 에너지 변환 시스템을 위한 신뢰성 높고 효율적인 반도체 솔루션을 제공하여 시스템 성능, 효율성 및 장기 운영 안정성을 향상시킵니다.

YT-ASC40L6500IC

키 파라미터

V DRM

6500

V

TGQM

4000

A

TSM

26

kA

V

1.88

V

r T

0.56

mQ

V DClink

4000

V

기계적 데이터

상징

사양

조건

M 안에

일반적인

M

V DRM

정전 전압의 최고 평행

T Vj =125°C, I D ≤I DRM, t p =10ms

-

-

4500

V

DRM

주파수 중 최고 정전 전류

T Vj =125°C, V D =V DRM, t p =10ms

-

-

50

mA

d v /dt

안도 전압의 급격한 상승률

T Vj =125°C, V D =0.67V DRM

-

-

1000

V/μs

V DClin K

중간 DC 전압

GCT의 100 FIT 실패율에 대한 영구 동전압

-

-

4000

V

V RRM

역전압

\

-

-

17

V

국가별 자료

상징

사양

조건

M 안에

일반적인

M

DC

맥스 RMS 정전 전류

T C = 85 , DC, 이중 냉각

-

-

2000

A

TSM

2t

최대. 최고 반복되지 않는 파동 상태 전류

제한 부하 통합

T Vj = 125 , cE 반파 10초

V D =V R =0

-

-

-

-

26

338

KA

104A 2 s

V TM

정전압

T Vj = 125℃, I T =41000A

-

3.75

4.11

V

V

r T

임계 전압

기울기 저항

T Vj = 125℃, I T = 1000... 41000A

-

-

1.88

0.55

V

m ω

팅 데이터

상징

매개변수 이름

시험 조건

M 안에

일반적인

M

di T /dt

정전 전류의 급격한 증가율

TVJ = 125 , IT = 4000A, VD = 2800V, f=0..500Hz

-

-

5000

A/ μ s

t

턴온 지연 시간

T Vj = 125 , 나 T = 5000A, V D = 4000V,

di /dt = V D /L, CL =20μF, L = 3μH, L CL = 0.3μH

-

-

3

μ s

t donSF

팅 지연 시간 상태 피드백

-

-

7

μ s

t r

상승 시간 (애노드 전압의 하락 시간)

-

-

1

μ s

E 에 대해

펄스당 켜기 에너지

-

-

3.3

J

차단 데이터

상징

사양

조건

M 안에

일반적인

M

TGQM

최대 제어 가능한 프 전류

T Vj = 125℃, V Dm ≤ V DRM , V D =4000V, L CL = 0.3μH,

C CL = 20μF, R S = 0. 4ω f=0..300Hz

D FWD = D CL = FY B 1100-60

-

-

4000

A

t doff

차단 지연 시간

T Vj = 125, TGQ = 4000A, V D =4000V,

V Dm V DRM , C CL = 20μF, R S = 0.4 오,

L =3μH, L CL = 0.3μH

D FWD = D CL = FYB 1100-60

-

-

8

μ s

t doffSF

팅 지연 시간 상태 피드백

-

-

7

μ s

t f

하강 시간

-

-

1

μ s

E 끄다

펄스 당 너지

-

442.5

46.3

J

열 데이터

상징

매개변수 이름

시험 조건

M 안에

일반적인

M

T Vj

T STG

접합 작동 온도

보관 온도 범위

/

0

-40

-

125

60

R thJC

R thCH

열 저항, 케이스에 맞게 연결

열 저항, 케이스-열기 싱크장

이중 냉각

-

-

-

-

8.5

3

K/kW

K/kW

게이트 유닛

상징

매개변수 이름

시험 조건

M 안에

일반적인

M

V GIN RMS

게이트 유닛 전압

DC 전압 또는 AC 제곱파 진폭 (15kHz - 100kHz) 전력 회로에 갈바닉 단열이 없습니다.

28

-

40

V

P GIN 최대

맥스 게이트 단위 전력 소비

/

-

-

130

W

진민

- 아니, 아니 전류가 필요하고

게이트 유닛

- 아니, 아니 전류가 필요하고 게이트 단위를 전원

2

-

-

A

GIN MAX

내부 전류 제한

정정 평균 전류는

게이트 유닛

-

-

8

A

광 제어 입력/출력

t on(min)

t off(min)

시간

시간 단속

/

40

40

-

-

-

-

μ s

μ s

P cS에 관한

P O ff CS

P sF에 대해

P 끄다 SF

CS O ptical 입력 전력

CS O 시광소음력

SF O ptical 출력 전력

SF O 시광소음력

1mm 플라스틱 광섬유에 유효합니다 (POF)

-15

-

-19

-

-

-

-

-

-1

-45

-1

-50

dBm

dBm

dBm

dBm

t 글리치

t 재트리그

펄스 너비 문

외부 재발동 펄스 너비

응답 없이 최대 펄스 너비

/

-

700

-

-

400

1100

nS

nS

CS

명령 신호 수신기

Agilent 유형: HFBR-2521

SF

상태 피드백을 위한 송신기

Agilent 유형: HFBR-1521

시각적 피드백

LED1 (녹색의 )

전원 공급은 괜찮아요

전원 공급 장치가 지정 범위 내에서 있으면 켜집니다.

LED 2(녹색의 )

게이트

GCT가 꺼지면 켜지세요

LED 3(Yellow )

게이트 가동

게이트 전류가 흐르면 켜져

LED 4(빨간색 )

F ault

게이트 드라이브 콘덴서 전압 아래, 또는 게이트 드라이브 전압이있을 때 켜 cS와 일치하지 않거나 GCT가 단회로

LED 5(Yellow )

TBD

TBD

LED 6(빨간색 )

TBD

TBD

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