YMIBH250-33, IGBT 모듈, 하프 브리지 IGBT, CRRC

상징

매개변수

시험 조건

값

UNIT

VCES

컬렉터-이미터 전압

VGE = 0V, TC= 25 °C

3300

V

VGES

게이트-이미터 전압

TC= 25 °C

± 20

V

IC

컬렉터-이미터 전류

TC = 100 °C

250

A

IC(PK)

피크 컬렉터 전류

tP=1ms

500

A

Pmax

최대 트랜지스터 전력 소산

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

2.6

kW

I2t

다이오드 I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

20

kA2s

Visol

모듈당 절연 전압

(기판에 공통 터미널), AC RMS, 1분, 50Hz, TC= 25 °C

6

kV

QPD

모듈당 부분 방전

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

pC

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

ICES

컬렉터 차단 전류

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mA

IGES

게이트 누설 전류

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

게이트 임계 전압

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

V

VCE (sat)(*1)

컬렉터-이미터 포화 전압

VGE =15V, IC = 250A

2.50

2.80

V

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

V

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

V

IF

다이오드 순방향 전류

DC

250

A

IFRM

다이오드 최고 전류

tP = 1ms

500

A

VF(*1)

다이오드 순방향 전압

IF = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

V

ISC

단락 전류

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

A

ICES

컬렉터 차단 전류

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mA

IGES

게이트 누설 전류

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

게이트 임계 전압

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

V

VCE (sat)(*1)

컬렉터-이미터 포화

전압

VGE =15V, IC = 250A

2.50

2.80

V

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

V

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

V

IF

다이오드 순방향 전류

DC

250

A

IFRM

다이오드 최고 전류

tP = 1ms

500

A

VF(*1)

다이오드 순방향 전압

IF = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

V

ISC

단락 전류

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

A

t d(off)

차단 지연 시간

I C =250A,

V CE = 1800V, V GE = ± 15V, R G(OFF) = 9.0Ω , C GE = 56nF,

L S = 150nH,

T vj = 25 °C

1480

nS

T vj = 125 °C

1550

T vj = 150 °C

1570

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

T vj = 25 °C

1280

nS

T vj = 125 °C

1920

T vj = 150 °C

2120

E 끄다

차단 에너지 손실

T vj = 25 °C

300

mJ

T vj = 125 °C

380

T vj = 150 °C

400

t d(on)

턴온 지연 시간

I C =250A,

V CE = 1800V, V GE = ± 15V, R G(ON) = 6.0Ω , C GE = 56nF,

L S = 150nH,

T vj = 25 °C

640

nS

T vj = 125 °C

650

T vj = 150 °C

650

t r

상승 시간

T vj = 25 °C

220

nS

T vj = 125 °C

235

T vj = 150 °C

238

E 에

턴온 에너지 손실

T vj = 25 °C

395

mJ

T vj = 125 °C

510

T vj = 150 °C

565

Q rr

다이오드 반전

회복 전하

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =250A,

V CE = 1800V,

- d i 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 /dt = 1200A/us, (T vj = 125 °C).

T vj = 25 °C

190

μC

T vj = 125 °C

295

T vj = 150 °C

335

I rr

다이오드 반전

회복 전류

T vj = 25 °C

185

A

T vj = 125 °C

210

T vj = 150 °C

216

E rec

다이오드 반전

회복 에너지

T vj = 25 °C

223

mJ

T vj = 125 °C

360

T vj = 150 °C

410