GD1200HFX170C3S,IGBT 모듈,대전류 igbt 모듈,STARPOWER

상징

설명

값

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1700

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 o C @ T C =100 o C

1965

1200

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

2400

A

P D

최대 전력 분산 @ T vj =175 o C

6.55

kW

상징

설명

값

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1700

V

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

1200

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

2400

A

상징

설명

값

UNIT

T vjmax

최대 분기 온도

175

o C

T vjop

작동점 온도

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

V Iso

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

4000

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =1200A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.85

2.30

V

I C =1200A,V GE =15V, T vj =125 o C

2.25

I C =1200A,V GE =15V, T vj =150 o C

2.35

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =48.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

1.6

ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

142

nF

C res

역전환 용량

3.57

nF

Q G

게이트 요금

V GE =-15 ...+15V

11.8

μC

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =1200A, R Gon =1.5Ω, R 고프 =3.3Ω, V GE =-10/+/15V,

L S =110nH,T vj =25 o C

700

nS

t r

상승 시간

420

nS

t d(off)

그림 지연 시간

1620

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

231

nS

E 에

켜 Switching 손실

616

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

419

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =1200A, R Gon =1.5Ω, R 고프 =3.3Ω, V GE =-10/+/15V,

L S =110nH,T vj =125 o C

869

nS

t r

상승 시간

495

nS

t d(off)

그림 지연 시간

1976

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

298

nS

E 에

켜 Switching 손실

898

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

530

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =900V,I C =1200A, R Gon =1.5Ω, R 고프 =3.3Ω, V GE =-10/+/15V,

L S =110nH,T vj =150 o C

941

nS

t r

상승 시간

508

nS

t d(off)

그림 지연 시간

2128

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

321

nS

E 에

켜 Switching 손실

981

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

557

mJ

I SC

SC 데이터

t P ≤10μs, V GE =15V,

T vj =150 o C ,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

4800

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

다이오드 앞 전압

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =1200A,V GE =0V,T vj =25 o C

1.80

2.25

V

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =1200A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.90

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =1200A,V GE =0V,T vj =150 o C

1.95

Q r

회복 전하

V R =900V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =1200A,

-di/dt=2430A/μs,V GE =-10V, L S =110nH,T vj =25 o C

217

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

490

A

E rec

역회복 에너지

108

mJ

Q r

회복 전하

V R =900V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =1200A,

-di/dt=2070A/μs,V GE =-10V, L S =110nH,T vj =125 o C

359

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

550

A

E rec

역회복 에너지

165

mJ

Q r

회복 전하

V R =900V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =1200A,

-di/dt=1970A/μs,V GE =-10V, L S =110nH,T vj =150 o C

423

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

570

A

E rec

역회복 에너지

200

mJ

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

0.37

mΩ

R thJC

교차점 -~까지 -사례 (perIGBT ) 커스 (D) 에 대한 연결 오드)

22.9 44.2

K/kW

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

18.2 35.2 6.0

K/kW

M

단자 연결 토크, 나사 M4 단자 연결 토크, 스크루브 M8 장착 토크, 나사 M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

무게 of 모듈

1500

g