GD1200HFX170C3S,IGBT 모듈,대전류 igbt 모듈,STARPOWER

상징

설명

값

단위

볼트 CES

컬렉터-이미터 전압

1700

볼트

볼트 GES

게이트-이미터 전압

±20

볼트

나 C

콜렉터 전류 @ T C=25o C @ T C=100o C

1965

1200

A

나 Cm

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

2400

A

PD

최대 전력 분산 @ T vj =175o C

6.55

kW

상징

설명

값

단위

볼트 RRM

반복적 피크 역전압 연령

1700

볼트

나 F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

1200

A

나 Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

2400

A

상징

설명

값

단위

T vjmax

최대 분기 온도

175

o C

T vjop

작동점 온도

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

볼트 ISO

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

4000

볼트

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

나 C=1200A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

볼트

나 C=1200A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

나 C=1200A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

볼트 GE (th)

게이트 발산자 문 전압

나 C=48.0mA ,볼트 CE =볼트 GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

볼트

나 CES

수집가 절단 -끄다 현재

볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

나 GES

게이트 발사자 누출 현재

볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T vj =25o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

1.6

ω

Cies

입력 용량

볼트 CE =25V,f=100kHz, 볼트 GE =0V

142

nF

Cres

역전환 용량

3.57

nF

문의 지

게이트 요금

볼트 GE =-15 ...+15V

11.8

μC

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =900V,I C=1200A, R Gon =1.5Ω, R 고프 =3.3Ω, 볼트 GE =-10/+/15V,

L초 =110nH,T vj =25o C

700

nS

t r

상승 시간

420

nS

t d(off)

그림 지연 시간

1620

nS

t f

하강 시간

231

nS

E켜짐

켜 전환 손실

616

mJ

E끄다

그림 전환 손실

419

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =900V,I C=1200A, R Gon =1.5Ω, R 고프 =3.3Ω, 볼트 GE =-10/+/15V,

L초 =110nH,T vj =125o C

869

nS

t r

상승 시간

495

nS

t d(off)

그림 지연 시간

1976

nS

t f

하강 시간

298

nS

E켜짐

켜 전환 손실

898

mJ

E끄다

그림 전환 손실

530

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =900V,I C=1200A, R Gon =1.5Ω, R 고프 =3.3Ω, 볼트 GE =-10/+/15V,

L초 =110nH,T vj =150o C

941

nS

t r

상승 시간

508

nS

t d(off)

그림 지연 시간

2128

nS

t f

하강 시간

321

nS

E켜짐

켜 전환 손실

981

mJ

E끄다

그림 전환 손실

557

mJ

나 SC

SC 데이터

t P≤10μs, 볼트 GE =15V,

T vj =150o C,볼트 CC =1000V,

볼트 CEM ≤1700V

4800

A

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 F

다이오드 앞 전압

나 F =1200A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

볼트

나 F =1200A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

나 F =1200A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

문의 r

회복 전하

볼트 R =900V,I F =1200A,

-di/dt=2430A/μs,V GE =-10V, L초 =110nH,T vj =25o C

217

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

490

A

Erec

역회복 에너지

108

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =900V,I F =1200A,

-di/dt=2070A/μs,V GE =-10V, L초 =110nH,T vj =125o C

359

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

550

A

Erec

역회복 에너지

165

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =900V,I F =1200A,

-di/dt=1970A/μs,V GE =-10V, L초 =110nH,T vj =150o C

423

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

570

A

Erec

역회복 에너지

200

mJ

상징

사양

최소.

전형적인.

최대.

단위

LCE

방랑 인덕턴스

20

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

0.37

mΩ

R thJC

교차점 -~까지 -사례 (perIGBT ) 커스 (D) 에 대한 연결 오드)

22.9 44.2

K/kW

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

18.2 35.2 6.0

K/kW

분

단자 연결 토크, 나사 M4 단자 연결 토크, 스크루브 M8 장착 토크, 나사 M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

지

무게 의 모듈

1500

지