GD150PIY120C6SN, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

설명

가치

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 o C @ T C =100 o C

292

150

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

300

A

P D

최대 전력 분산 @ T j =175 o C

1111

W

상징

설명

가치

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

150

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

300

A

상징

설명

값

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1600

V

I O

평균 출력 전류 5 0Hz/60Hz, 사인파

150

A

I FSM

서지 전류 t p =10ms @ T j =2 5o C @ T j =150 o C

1600

1400

A

I 2t

I 2t값,t p =10ms @ T j =25 o C @ T j =150 o C

13000

9800

A 2s

상징

설명

값

UNIT

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

I C

콜렉터 전류 @ T C =25 o C @ T C =100 o C

200

100

A

I 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

200

A

P D

최대 전력 분산 @ T j =175 o C

833

W

상징

설명

값

UNIT

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

50

A

I Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

100

A

상징

설명

값

UNIT

T jmax

최대 접합부 온도(인버터, 브레이크) 최대 접합부 온도 (정류기)

175

150

o C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

V Iso

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

2500

V

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =150A,V GE =15V, T j =25 o C

1.70

2.15

V

I C =150A,V GE =15V, T j =125 o C

1.95

I C =150A,V GE =15V, T j =150 o C

2.00

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =6.00 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

2.0

ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

15.5

nF

C res

역전환 용량

0.44

nF

Q G

게이트 요금

V GE =-15 ...+15V

1.17

μC

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =150A, R G =1. 1Ω, V GE =±15V, T j =25 o C

96

nS

t r

상승 시간

30

nS

t d(off)

그림 지연 시간

255

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

269

nS

E 에

켜 Switching 손실

8.59

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

12.3

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =150A, R G =1. 1Ω, V GE =±15V, T j =125 o C

117

nS

t r

상승 시간

37

nS

t d(off)

그림 지연 시간

307

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

371

nS

E 에

켜 Switching 손실

13.2

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

16.8

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =150A, R G =1. 1Ω, V GE =±15V, T j =150 o C

122

nS

t r

상승 시간

38

nS

t d(off)

그림 지연 시간

315

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

425

nS

E 에

켜 Switching 손실

14.8

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

18.1

mJ

I SC

SC 데이터

t P ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

600

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

V 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

다이오드 앞 전압

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =150A,V GE =0V,T j =25 o C

1.85

2.25

V

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =150A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.90

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =150A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.95

Q r

회복 전하

V R =600V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =150A,

-di/dt=4750A/μs,V GE =-15V T j =25 o C

8.62

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

177

A

E rec

역회복 에너지

5.68

mJ

Q r

회복 전하

V R =600V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =150A,

-di/dt=3950A/μs,V GE =-15V T j =125 o C

16.7

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

191

A

E rec

역회복 에너지

10.2

mJ

Q r

회복 전하

V R =600V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =150A,

-di/dt=3750A/μs,V GE =-15V T j =150 o C

19.4

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

196

A

E rec

역회복 에너지

12.1

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

다이오드 앞 전압

I C =150A, T j =150 o C

1.00

V

I R

역방향 전류

T j =150 o C,V R =1600V

3.0

mA

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

I C =100A,V GE =15V, T j =25 o C

1.70

2.15

V

I C =100A,V GE =15V, T j =125 o C

1.95

I C =100A,V GE =15V, T j =150 o C

2.00

V GE (번째 )

게이트 발산자 문 전압

I C =4.00 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

수집가 절단 -끄다 전류

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

I GES

게이트 발사자 누출 전류

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

7.5

ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

10.4

nF

C res

역전환 용량

0.29

nF

Q G

게이트 요금

V GE =-15 ...+15V

0.08

μC

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =100A, R G =1.6Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

170

nS

t r

상승 시간

32

nS

t d(off)

그림 지연 시간

360

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

86

nS

E 에

켜 Switching 손실

5.90

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

6.05

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =100A, R G =1.6Ω,V GE =±15V, T j =125 o C

180

nS

t r

상승 시간

42

nS

t d(off)

그림 지연 시간

470

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

165

nS

E 에

켜 Switching 손실

9.10

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

9.35

mJ

t d (에 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =100A, R G =1.6Ω,V GE =±15V, T j =150 o C

181

nS

t r

상승 시간

43

nS

t d(off)

그림 지연 시간

480

nS

t 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

하강 시간

186

nS

E 에

켜 Switching 손실

10.0

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

10.5

mJ

I SC

SC 데이터

t P ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

400

A

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

V 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트

다이오드 앞 전압

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =50A,V GE =0V,T j =25 o C

1.85

2.30

V

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =50A,V GE =0V,T j =125 o C

1.90

I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =50A,V GE =0V,T j =150 o C

1.95

Q r

회복 전하

V R =600V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE =-15V T j =25 o C

6.3

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

62

A

E rec

역회복 에너지

1.67

mJ

Q r

회복 전하

V R =600V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE =-15V T j =125 o C

10.1

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

69

A

E rec

역회복 에너지

2.94

mJ

Q r

회복 전하

V R =600V,I 연료 분사 압력 테스트 게이지 키트 =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE =-15V T j =150 o C

11.5

μC

I RM

피크 역전

회복 전류

72

A

E rec

역회복 에너지

3.63

mJ

상징

매개변수

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 of R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

상징

매개변수

최소.

전형적인.

최대.

UNIT

L CE

방랑 인덕턴스

40

nH

R CC+EE R AA + CC ’

모듈 리드 레시스타 nce,단자에서 칩까지

4.00 3.00

mΩ

R thJC

교차점 -~까지 -사례 (perIGBT -인버터 ) 접합부-외피 (다이오드-인버터당 ) 접합부-외각 (다이오드 당-정류기 ) 교차점 -~까지 -사례 (perIGBT -브레이크 )

접합부-외피 (다이오드 당-브레이크) 어)

0.135 0.300 0.238 0.180 0.472

K/W

R thCH

사례 -~까지 -열기 (perIGBT -인버터 )외각-히트싱크 (다이오드 당-인버터 ) 외각-히트싱크 (다이오드 당-정류기 ) 사례 -~까지 -열기 (perIGBT -브레이크 )

케이스-히트싱크 (다이오 데-브레이크) 케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.118 0.263 0.208 0.158 0.413 0.009

K/W

M

장착 토크, 스ikulu:M5

3.0

6.0

N.M