GD400CLU120C2S, IGBT 모듈, 패키지 하나에 조퍼, STARPOWER

상징

설명

값

단위

볼트 CES

컬렉터-이미터 전압

1200

볼트

볼트 GES

게이트-이미터 전압

±20

볼트

나 C

콜렉터 전류 @ T C=25o C

@ T C=60o C

505

400

A

나 Cm

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

800

A

PD

최대 전력 분산 @ T j =150o C

2358

W

상징

설명

값

단위

볼트 RRM

반복 피크 역전압

1200

볼트

나 F

다이오드 연속 전면 커 임대료

400

A

나 Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

800

A

상징

설명

값

단위

T jmax

최대 분기 온도

150

o C

T jop

작동점 온도

-40에서 +125

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

볼트 ISO

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분

2500

볼트

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

나 C=400A,V GE =15V, T j =25o C

2.90

3.35

볼트

나 C=400A,V GE =15V, T j =125o C

3.60

볼트 GE (th)

게이트 발산자 문 전압

나 C=4.0mA ,볼트 CE =볼트 GE , T j =25o C

5.0

5.8

6.6

볼트

나 CES

수집가 절단 -끄다

현재

볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

나 GES

게이트 발사자 누출 현재

볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T j =25o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

0.5

ω

Cies

입력 용량

볼트 CE =25V,f=1Mhz,

볼트 GE =0V

26.2

nF

Cres

역전환

용량

1.68

nF

문의 지

게이트 요금

볼트 GE =- 15...+15V

4.18

μC

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=400A, R 지 =2.4Ω,

볼트 GE =±15V, T j =25o C

337

nS

t r

상승 시간

88

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

460

nS

t f

하강 시간

116

nS

E켜짐

켜 전환

손실

21.2

mJ

E끄다

그림 전환

손실

19.4

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=400A, R 지 =2.4Ω,

볼트 GE =±15V, T j = 125o C

359

nS

t r

상승 시간

90

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

492

nS

t f

하강 시간

128

nS

E켜짐

켜 전환

손실

29.4

mJ

E끄다

그림 전환

손실

26.0

mJ

나 SC

SC 데이터

t P≤ 10μs,V GE =15V,

T j =125o C,V CC =900V, 볼트 CEM ≤1200V

2400

A

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 F

다이오드 앞

전압

나 F =400A,V GE =0V,T j =25o C

2.00

2.45

볼트

나 F =400A,V GE =0V,T j = 125o C

2.10

문의 r

회복 전하

볼트 CC =600V,I F =400A,

-di/dt=2840A/μs,V GE =±15V, T j =25o C

27.0

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

280

A

Erec

역회복 에너지

16.6

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 CC =600V,I F =400A,

-di/dt=2840A/μs,V GE =±15V, T j = 125o C

46.0

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

380

A

Erec

역회복 에너지

30.0

mJ

상징

사양

최소.

전형적인.

최대.

단위

R thJC

부문별 (IGB당) T)

부대와 부대 (D당) 요오드)

0.053

0.103

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-히트싱크 (p er 다이오드)

케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.048

0.094

0.032

K/W

분

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 나사 M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

지

무게 의 모듈

350

지