GD600HFX120C6HA, IGBT 모듈, STARPOWER

상징

제품 설명

값

단위

V CES

컬렉터-이미터 전압

1200

V

V GES

게이트-이미터 전압

±20

V

이 C

콜렉터 전류 @ T C =25o C @ T C =100o C

1108

600

A

이 센티미터

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

1200

A

P D

최대 전력 분산 @ T j =175o C

4054

W

상징

제품 설명

값

단위

V RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

V

이 F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

600

A

이 Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

1200

A

상징

제품 설명

값

단위

T jmax

최대 분기 온도

175

o C

T jop

작동점 온도

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

V ISO

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

2500

V

상징

파라미터

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

V CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

이 C =600A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

이 C =600A,V GE =15V, T j =125o C

1.90

이 C =600A,V GE =15V, T j =150o C

1.95

V GE (th)

게이트 발산자 문 전압

이 C =24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

이 CES

수집가 절단 -끄다 현재

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

이 GES

게이트 발사자 누출 현재

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

0.7

ω

C ies

입력 용량

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

62.1

nF

C res

역전환 용량

1.74

nF

Q G

게이트 요금

V GE =-15...+15V

4.62

μC

t d (에 대해 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =600A, R G =1.2Ω, L S =34nH , V GE =±15V,T j =25o C

266

nS

t r

상승 시간

82

nS

t d(off)

그림 지연 시간

400

nS

t f

하강 시간

192

nS

E 에 대해

켜 Switching 손실

65.7

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

52.3

mJ

t d (에 대해 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =600A, R G =1.2Ω, L S =34nH , V GE =±15V,T j =125o C

282

nS

t r

상승 시간

94

nS

t d(off)

그림 지연 시간

448

nS

t f

하강 시간

290

nS

E 에 대해

켜 Switching 손실

96.2

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

67.3

mJ

t d (에 대해 )

턴온 지연 시간

V CC =600V,I C =600A, R G =1.2Ω, L S =34nH , V GE =±15V,T j =150o C

286

nS

t r

상승 시간

94

nS

t d(off)

그림 지연 시간

459

nS

t f

하강 시간

299

nS

E 에 대해

켜 Switching 손실

107

mJ

E 끄다

그림 전환 손실

70.3

mJ

이 SC

SC 데이터

t P ≤10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

상징

파라미터

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

V F

다이오드 앞 전압

이 F =600A,V GE =0V,T j =25o C

1.95

2.40

V

이 F =600A,V GE =0V,T j =125o C

2.05

이 F =600A,V GE =0V,T j =150o C

2.10

Q r

회복 전하

V CC =600V,I F =600A,

-di⁄dt=5500A⁄μs, L S =34nH, V GE =-15V,T j =25o C

23.8

μC

이 RM

피크 역전

회복 전류

260

A

E rec

역회복 에너지

11.7

mJ

Q r

회복 전하

V CC =600V,I F =600A,

-di⁄dt=4700A⁄μs, L S =34nH, V GE =-15V,T j =125o C

65.1

μC

이 RM

피크 역전

회복 전류

293

A

E rec

역회복 에너지

26.4

mJ

Q r

회복 전하

V CC =600V,I F =600A,

-di⁄dt=4600A⁄μs, L S =34nH, V GE =-15V,T j =150o C

76.7

μC

이 RM

피크 역전

회복 전류

306

A

E rec

역회복 에너지

30.6

mJ

상징

파라미터

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

R 25

등급 저항

5.0

kΩ

∆R/R

오차 의 R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

전력

소산

20.0

mW

B 25/50

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B값

R 2=R 25경험치 [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

상징

파라미터

최소.

전형적인.

최대.

단위

R thJC

교차점 -에 -사례 (perIGBT ) 커스 (D) 에 대한 연결 오드)

0.037 0.065

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.028 0.050 0.009

K/W

M

단자 연결 토크, 나사 M6 장착 토크, 스크루브 M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

무게 의 모듈

350

g