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IGBT 모듈 750V

IGBT 모듈 750V

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IGBT 모듈 GD820HFA75N6HY 스타파워

750V 820A,패키지:P6

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD820HFA75N6HY
  • 소개
  • 개요
  • 등가 회로 도식
소개

간략한 소개

IGBT 모듈 ,생산자 STARPOWER .820V 750A.

기능

  • 낮은 VCE(sat) 트렌치 IGBT 기술
  • 저변화 손실
  • 6μs 단회로 능력
  • 양의 온도 계수와 함께하는 VCE(sat)
  • 최대 접합부 온도 175
  • 낮은 인덕턴스 케이스
  • 빠른 & 부드러운 역 회수 반 병렬 FWD
  • DBC 기술을 사용한 격리된 구리 핀핀 베이스플레이트

전형적 응용

  • 자동차 신청
  • 하이브리드 및 전기차
  • 모터 드라이브용 인버터

절대 최대 등급 T F =25o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

IGBT

상징

설명

가치

단위

볼트 CES

컬렉터-이미터 전압

750

볼트

볼트 GES

게이트-이미터 전압

±20

볼트

CN

구현된 집합기 Cu 임대료

820

A

C

콜렉터 전류 @ T F =95o C T vj =175o C

450

A

CRM

반복적 최고 수집가 현재 tp 제한적 작성자 T vjop

1640

A

PD

최대 전력 소산 이온 @ T F =65o C T vj =175o C

909

W

다이오드

상징

설명

가치

단위

볼트 RRM

반복적 피크 역전압 연령

750

볼트

FN

구현된 집합기 Cu 임대료

820

A

F

다이오드 연속 정방향 Cu 임대료

450

A

FRM

반복적 최고 앞으로 현재 tp 제한적 작성자 T vjop

1640

A

모듈

상징

설명

단위

T vjmax

최대 분기 온도

175

o C

T vjop

작동 환절 온도 연속

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

볼트 ISO

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

2500

볼트

d 크립

터미널에서 히트싱크로 터미널에서 터미널

7.3 7.3

mm

d 투명

터미널에서 히트싱크로 터미널에서 터미널

7.3 4.0

mm

IGBT 특성 T F =25o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

C=680A,V GE =15V, T vj =25o C

1.25

1.50

볼트

C=680A,V GE =15V, T vj =150o C

1.35

C=680A,V GE =15V, T vj =175o C

1.40

C=820A,V GE =15V, T vj =25o C

1.30

C=820A,V GE =15V, T vj =175o C

1.50

볼트 GE (th)

게이트 발산자 문 전압

C=12.9mA ,볼트 CE =볼트 GE , T vj =25o C

5.5

6.5

7.0

볼트

CES

수집가 절단 -끄다 현재

볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

GES

게이트 발사자 누출 현재

볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T vj =25o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항

1.0

ω

Cies

입력 용량

볼트 CE =50V,f=100kHz, 볼트 GE =0V

72.3

nF

C

출력 용량

1.51

nF

Cres

역전환 용량

0.32

nF

문의

게이트 요금

볼트 CE =400V, C=680A, 볼트 GE =-10…+15V

4.10

μC

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =400V, I C=450A, R =2.4Ω, L=20nH ,볼트 GE =-8V/+15V

T vj =25o C

483

nS

t r

상승 시간

60

nS

t d(off)

그림 지연 시간

664

nS

t f

하강 시간

67

nS

E켜짐

전환 손실

16.3

mJ

E끄다

그림 전환 손실

17.4

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =400V, I C=450A, R =2.4Ω, L=20nH ,볼트 GE =-8V/+15V

T vj =150o C

507

nS

t r

상승 시간

76

nS

t d(off)

그림 지연 시간

750

nS

t f

하강 시간

125

nS

E켜짐

전환 손실

26.3

mJ

E끄다

그림 전환 손실

22.1

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =400V, I C=450A, R =2.4Ω, L=20nH ,볼트 GE =-8V/+15V

T vj =175o C

509

nS

t r

상승 시간

79

nS

t d(off)

그림 지연 시간

764

nS

t f

하강 시간

139

nS

E켜짐

전환 손실

27.6

mJ

E끄다

그림 전환 손실

23.0

mJ

SC

SC 데이터

t P≤3μs, 볼트 GE =15V,

T j =175o C,V CC =450V, 볼트 CEM ≤750V

3300

A

다이오드 특성 T F =25o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 F

다이오드 앞 전압

F =680A,V GE =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

볼트

F =680A,V GE =0V,T vj =150o C

1.60

F =680A,V GE =0V,T vj =175o C

1.55

F =820A,V GE =0V,T vj =25o C

1.70

F =820A,V GE =0V,T vj =175o C

1.65

문의 r

회복 전하

볼트 R =400V, I F =450A,

-di⁄dt=8350A⁄μs,L =20n H, 볼트 GE =-8V, T vj =25o C

12.4

μC

RM

피크 역전

회복 전류

273

A

Erec

역회복 에너지

3.45

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =400V, I F =450A,

-di/dt=6670A/μs,L =20n H, 볼트 GE =-8V, T vj =150o C

27.7

μC

RM

피크 역전

회복 전류

319

A

Erec

역회복 에너지

6.51

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =400V, I F =450A,

-di/dt=6410A/μs,L =20n H, 볼트 GE =-8V, T vj =175o C

31.8

μC

RM

피크 역전

회복 전류

334

A

Erec

역회복 에너지

7.26

mJ

PTC 특성 T F =25o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

R

명목상 저항력

T C=0 o C

T C=150 o C

1000

1573

ω ω

T Cr

온도 계수 nt

0.38

%/K

T SH

자기 가열

T C=0 o C

=0.1...0.3mA

0.4

K/mW

모듈 특성 T F =25o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨

상징

사양

최소.

전형적인.

최대.

단위

LCE

방랑 인덕턴스

5

nH

p

냉각회로에서 최대 압력 쿠잇

2.5

봉재

R thJF

교차점 -~까지 -냉각 액체로 세척하세요 (perIGBT )접합-냉각 유체 (per Di 오드) V/ t=2.67 L/ ,T F =65o C

0.105 0.157

0.121 0.181

K/W

단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 스크루브 M5

3.6 5.4

4.4 6.6

N.M

무게 모듈

220

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