간략한 소개
IGBT 모듈 ,생산자 STARPOWER .820V 750A.
기능
전형적 응용
절대 최대 등급 T F =25o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
IGBT
상징 |
설명 |
가치 |
단위 |
볼트 CES |
컬렉터-이미터 전압 |
750 |
볼트 |
볼트 GES |
게이트-이미터 전압 |
±20 |
볼트 |
나 CN |
구현된 집합기 Cu 임대료 |
820 |
A |
나 C |
콜렉터 전류 @ T F =95o C T vj =175o C |
450 |
A |
나 CRM |
반복적 최고 수집가 현재 tp 제한적 작성자 T vjop |
1640 |
A |
PD |
최대 전력 소산 이온 @ T F =65o C T vj =175o C |
909 |
W |
다이오드
상징 |
설명 |
가치 |
단위 |
볼트 RRM |
반복적 피크 역전압 연령 |
750 |
볼트 |
나 FN |
구현된 집합기 Cu 임대료 |
820 |
A |
나 F |
다이오드 연속 정방향 Cu 임대료 |
450 |
A |
나 FRM |
반복적 최고 앞으로 현재 tp 제한적 작성자 T vjop |
1640 |
A |
모듈
상징 |
설명 |
값 |
단위 |
T vjmax |
최대 분기 온도 |
175 |
o C |
T vjop |
작동 환절 온도 연속 |
-40에서 +150 |
o C |
T STG |
보관 온도 범위 |
-40에서 +125 |
o C |
볼트 ISO |
격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분 |
2500 |
볼트 |
d 크립 |
터미널에서 히트싱크로 터미널에서 터미널 |
7.3 7.3 |
mm |
d 투명 |
터미널에서 히트싱크로 터미널에서 터미널 |
7.3 4.0 |
mm |
IGBT 특성 T F =25o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
사양 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
단위 |
|
볼트 CE (sat) |
수집자로부터 발산자 포화전압 |
나 C=680A,V GE =15V, T vj =25o C |
|
1.25 |
1.50 |
볼트 |
나 C=680A,V GE =15V, T vj =150o C |
|
1.35 |
|
|||
나 C=680A,V GE =15V, T vj =175o C |
|
1.40 |
|
|||
나 C=820A,V GE =15V, T vj =25o C |
|
1.30 |
|
|||
나 C=820A,V GE =15V, T vj =175o C |
|
1.50 |
|
|||
볼트 GE (th) |
게이트 발산자 문 전압 |
나 C=12.9mA ,볼트 CE =볼트 GE , T vj =25o C |
5.5 |
6.5 |
7.0 |
볼트 |
나 CES |
수집가 절단 -끄다 현재 |
볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V, T vj =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
나 GES |
게이트 발사자 누출 현재 |
볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
부적절함 |
R Gint |
내부 게이트 저항 |
|
|
1.0 |
|
ω |
Cies |
입력 용량 |
볼트 CE =50V,f=100kHz, 볼트 GE =0V |
|
72.3 |
|
nF |
C소 |
출력 용량 |
|
1.51 |
|
nF |
|
Cres |
역전환 용량 |
|
0.32 |
|
nF |
|
문의 지 |
게이트 요금 |
볼트 CE =400V, 나 C=680A, 볼트 GE =-10…+15V |
|
4.10 |
|
μC |
t d (켜짐 ) |
턴온 지연 시간 |
볼트 CC =400V, I C=450A, R 지 =2.4Ω, L초 =20nH ,볼트 GE =-8V/+15V T vj =25o C |
|
483 |
|
nS |
t r |
상승 시간 |
|
60 |
|
nS |
|
t d(off) |
그림 지연 시간 |
|
664 |
|
nS |
|
t f |
하강 시간 |
|
67 |
|
nS |
|
E켜짐 |
켜 전환 손실 |
|
16.3 |
|
mJ |
|
E끄다 |
그림 전환 손실 |
|
17.4 |
|
mJ |
|
t d (켜짐 ) |
턴온 지연 시간 |
볼트 CC =400V, I C=450A, R 지 =2.4Ω, L초 =20nH ,볼트 GE =-8V/+15V T vj =150o C |
|
507 |
|
nS |
t r |
상승 시간 |
|
76 |
|
nS |
|
t d(off) |
그림 지연 시간 |
|
750 |
|
nS |
|
t f |
하강 시간 |
|
125 |
|
nS |
|
E켜짐 |
켜 전환 손실 |
|
26.3 |
|
mJ |
|
E끄다 |
그림 전환 손실 |
|
22.1 |
|
mJ |
|
t d (켜짐 ) |
턴온 지연 시간 |
볼트 CC =400V, I C=450A, R 지 =2.4Ω, L초 =20nH ,볼트 GE =-8V/+15V T vj =175o C |
|
509 |
|
nS |
t r |
상승 시간 |
|
79 |
|
nS |
|
t d(off) |
그림 지연 시간 |
|
764 |
|
nS |
|
t f |
하강 시간 |
|
139 |
|
nS |
|
E켜짐 |
켜 전환 손실 |
|
27.6 |
|
mJ |
|
E끄다 |
그림 전환 손실 |
|
23.0 |
|
mJ |
|
나 SC |
SC 데이터 |
t P≤3μs, 볼트 GE =15V, T j =175o C,V CC =450V, 볼트 CEM ≤750V |
|
3300 |
|
A |
다이오드 특성 T F =25o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
사양 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
단위 |
|
볼트 F |
다이오드 앞 전압 |
나 F =680A,V GE =0V,T vj =25o C |
|
1.60 |
2.05 |
볼트 |
나 F =680A,V GE =0V,T vj =150o C |
|
1.60 |
|
|||
나 F =680A,V GE =0V,T vj =175o C |
|
1.55 |
|
|||
나 F =820A,V GE =0V,T vj =25o C |
|
1.70 |
|
|||
나 F =820A,V GE =0V,T vj =175o C |
|
1.65 |
|
|||
문의 r |
회복 전하 |
볼트 R =400V, I F =450A, -di⁄dt=8350A⁄μs,L 초 =20n H, 볼트 GE =-8V, T vj =25o C |
|
12.4 |
|
μC |
나 RM |
피크 역전 회복 전류 |
|
273 |
|
A |
|
Erec |
역회복 에너지 |
|
3.45 |
|
mJ |
|
문의 r |
회복 전하 |
볼트 R =400V, I F =450A, -di/dt=6670A/μs,L 초 =20n H, 볼트 GE =-8V, T vj =150o C |
|
27.7 |
|
μC |
나 RM |
피크 역전 회복 전류 |
|
319 |
|
A |
|
Erec |
역회복 에너지 |
|
6.51 |
|
mJ |
|
문의 r |
회복 전하 |
볼트 R =400V, I F =450A, -di/dt=6410A/μs,L 초 =20n H, 볼트 GE =-8V, T vj =175o C |
|
31.8 |
|
μC |
나 RM |
피크 역전 회복 전류 |
|
334 |
|
A |
|
Erec |
역회복 에너지 |
|
7.26 |
|
mJ |
PTC 특성 T F =25o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
사양 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
단위 |
R |
명목상 저항력 |
T C=0 o C T C=150 o C |
|
1000 1573 |
|
ω ω |
T Cr |
온도 계수 nt |
|
|
0.38 |
|
%/K |
T SH |
자기 가열 |
T C=0 o C 나 분 =0.1...0.3mA |
|
0.4 |
|
K/mW |
모듈 특성 T F =25o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
사양 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
단위 |
LCE |
방랑 인덕턴스 |
|
5 |
|
nH |
p |
냉각회로에서 최대 압력 쿠잇 |
|
|
2.5 |
봉재 |
|
R thJF |
교차점 -~까지 -냉각 액체로 세척하세요 (perIGBT )접합-냉각 유체 (per Di 오드) △V/ △t=2.67 L/ 분 ,T F =65o C |
|
0.105 0.157 |
0.121 0.181 |
K/W |
분 |
단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 스크루브 M5 |
3.6 5.4 |
|
4.4 6.6 |
N.M |
지 |
무게 의 모듈 |
|
220 |
|
지 |


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